Эпитаксиальные кремниевые компоненты

Компоненты с покрытием из карбида кремния, полученным методом химического осаждения из газовой фазы (CVD SiC), для эпитаксии кремния (Si Epi)

Разработанные с высокой точностью для систем эпитаксиального осаждения кремния на отдельных пластинах и в пакетном режиме, наши подложки, сателлитные диски и компоненты теплового поля с покрытием из CVD SiC обеспечивают превосходную равномерность теплового режима и нулевое газовыделение. Высокоплотный кубический слой покрытия β-SiC полностью инкапсулирует подложку из высокочистого графита, предотвращая реактивное газовое травление (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) и гарантируя сверхнизкий уровень металлических примесей (< 5 ppm) во время высокотемпературной эпитаксиальной обработки кремния (1000°C - 1200°C).

Равномерность теплового поля

Контролируемая излучательная способность обеспечивает точную и равномерную толщину пленки от края до центра пластины.

Устойчивость к травлению соляной кислотой

Обеспечивает надежную защиту от химических средств для очистки камер и термических ударов.

Совместимость с OEM-системами

Высокоточная обработка на станке с ЧПУ для установки на стандартные однопластинчатые эпитаксиальные печатные машины диаметром 200 мм/300 мм (Applied Materials, ASM).

Технические параметры	Значение спецификации	Стандарт / Метод испытания
Материал покрытия	CVD β-SiC (кубическая фаза)	Высокоплотная кристаллическая структура
Материал подложки	Сверхчистый изостатический графит	Плотность: 1,82 - 1,88 г/см³
Химическая чистота	Общее содержание примесей < 5 ppm	Протестировано в соответствии с GDPR.
Толщина покрытия	80 мкм - 150 мкм	Равномерность ≤ ±5%