Эпитаксиальные компоненты из SiC

Усовершенствованные CVD-покрытия для эпитаксиального роста SiC

Разработанные специально для процессов производства мощных полупроводниковых приборов, работающих в условиях экстремальных температурных нагрузок (1500–1700 °C), наши планетарные подложки, сателлитные диски и газовые дефлекторы с покрытием из CVD SiC и TaC созданы для достижения превосходных результатов. Разработанные для предотвращения образования частиц, деградации поверхности и реактивного газового травления (H₂, SiH₄, C₃H∯), наши передовые покрытия обеспечивают длительный срок службы, превосходный контроль легирующих примесей и высокую однородность толщины пленки по всей поверхности.6-дюймовые и 8-дюймовые эпитаксиальные кремниевые пластины из карбида кремния.

Сверхвысокотемпературная стабильность

Термостабильна до 1700 °C в агрессивных восстановительных средах H₂/силан.

Градиентное сопоставление CTE

Устраняет расслоение покрытия, микротрещины и отслоение во время быстрых термических циклов.

Готовность к масштабированию производства 8-дюймовых пластин

Высокоточная обработка на станках с ЧПУ, разработанная специально для высокопроизводительных эпитаксиальных реакторов на основе карбида кремния следующего поколения (LPE, Aixtron, Nuflare).

Технические параметры	Значение спецификации	Стандарт / Метод испытания
Варианты материалов покрытия	CVD SiC / Карбид тантала (TaC)	Герметичный слой высокой чистоты
Базовая подложка	Очищенный изостатический графит	Содержание примесей в объеме < 5 ppm
Устойчивость к термическому шоку	Delta T > 500°C Скорость повышения температуры	Без трещин и отслоений
Шероховатость поверхности (Ra)	≤ 0,4 мкм (зеркально отполировано)	Предотвращает слипание пластин и попадание частиц.