SiC povlak grafit MOCVD nosiče doštičiek, grafitové susceptory pre SiC epitaxiu,
Uhlíkové susceptory, grafitové susceptory, grafitové misky, SiC epitaxia, susceptory z doštičiek,

CVD-SiC povlak sa vyznačuje jednotnou štruktúrou, kompaktným materiálom, odolnosťou voči vysokým teplotám, oxidácii, vysokej čistote, odolnosťou voči kyselinám a zásadám a organickým činidlám so stabilnými fyzikálnymi a chemickými vlastnosťami.

V porovnaní s vysoko čistými grafitovými materiálmi začína grafit oxidovať pri 400 °C, čo spôsobuje stratu prášku v dôsledku oxidácie, čo má za následok znečistenie periférnych zariadení a vákuových komôr a zvýšenie nečistôt vo vysoko čistom prostredí.

Povlak SiC si však dokáže udržať fyzikálnu a chemickú stabilitu pri teplote 1600 stupňov, vďaka čomu sa široko používa v modernom priemysle, najmä v polovodičovom priemysle.

Naša spoločnosť poskytuje služby v oblasti povlakovania SiC metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov, pričom špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, ktoré sa ukladajú na povrch potiahnutých materiálov a vytvárajú ochrannú vrstvu SIC. Vytvorená SIC sa pevne viaže na grafitový základ, čím grafitovému základu dodáva špeciálne vlastnosti. Vďaka tomu je povrch grafitu kompaktný, bez pórov, odolný voči vysokým teplotám, korózii a oxidácii.

Aplikácia:

Hlavné vlastnosti:

1. Odolnosť voči oxidácii pri vysokých teplotách:

Odolnosť voči oxidácii je stále veľmi dobrá, aj keď teplota dosiahne 1700 °C.

2. Vysoká čistota: vyrobená chemickým nanášaním z pár za podmienok chlorácie pri vysokej teplote.

3. Odolnosť voči erózii: vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.

4. Odolnosť proti korózii: kyseliny, zásady, soli a organické činidlá.

Hlavné špecifikácie CVD-SIC povlakov:

Schopnosť dodávky:

10 000 kusov/kusov mesačne
Balenie a doručenie:
Balenie: Štandardné a silné balenie
Polyetylénové vrecko + krabica + kartón + paleta
Prístav:
Ningbo/Shenzhen/Šanghaj
Dodacia lehota: