Oloa e feavea'i ai le SiC ua ufiufi i le Graphite, o le ufiufi sic, o le ufiufi SiC ua ufiufi i le Graphite substrate mo le Semiconductor

Ufiufi i le silicon carbideO le tisiketi graphite o le saunia lea o le vaega puipui silicon carbide i luga o le graphite e ala i le fa'aputuina o le ausa fa'aletino po'o vaila'au ma le fa'asusuina. O le vaega puipui silicon carbide ua saunia e mafai ona pipii mau i le graphite matrix, ma fa'ama'a'a ai le fogaeleele o le fa'avae graphite ma saoloto mai avanoa, ma maua ai e le graphite matrix ni meatotino fa'apitoa, e aofia ai le tete'e atu i le oxidation, tete'e atu i le acid ma le alkali, tete'e atu i le ele, tete'e atu i le ele, ma isi. I le taimi nei, o le ufiufi Gan o se tasi o vaega autu sili ona lelei mo le tuputupu a'e epitaxial o le silicon carbide.

O le semiconductor silicon carbide o le mea autu lea o le semiconductor lautele ua atiaʻe fou. O ana masini e iai uiga o le teteʻe atu i le vevela maualuga, teteʻe atu i le voltage maualuga, teteʻe atu i le tele o taimi, teteʻe atu i le malosi ma le ave o le radiation. E iai ona lelei o le vave o le fesuiaʻiga ma le lelei tele. E mafai ona faʻaitiitia tele le faʻaaogaina o le malosi o oloa, faʻaleleia atili le lelei o le liua o le malosi ma faʻaitiitia le tele o oloa. E masani ona faʻaaogaina i fesoʻotaʻiga 5g, puipuiga a le atunuʻu ma pisinisi faʻamiliteli. O le fanua RF o loʻo faʻatusalia e le vaʻalele ma le fanua eletise eletise o loʻo faʻatusalia e taʻavale eletise fou ma "faʻavae fou" e iai ni faʻamoemoega maketi manino ma tele i matata faʻasivile ma faʻamiliteli.

O le mea e fa'aaogaina ai le Silicon carbide substrate o le mea autu lea o le semiconductor fou ua atia'e o le wide band gap. O le mea e fa'aaogaina tele ai le Silicon carbide substrate i mea fa'aeletoronika microwave, mea fa'aeletoronika eletise ma isi vaega.. O loʻo i le pito i luma o le filifili o le alamanuia semiconductor lautele ma o le mea autu ma autu autu. E mafai ona vaevaeina le substrate silicon carbide i ni ituaiga se lua: semi insulating ma conductive. I totonu o ia mea, o le semi insulating silicon carbide substrate e maualuga le teteʻe (resistivity ≥ 105 Ω· cm). O le semi insulating substrate faʻatasi ai ma le heterogeneous gallium nitride epitaxial sheet e mafai ona faʻaaogaina o se mea mo masini RF, lea e faʻaaogaina tele i fesoʻotaʻiga 5g, puipuiga faʻaleatunuu ma pisinisi militeri i vaaiga o loʻo i luga; O le isi o le conductive silicon carbide substrate ma le resistivity maualalo (o le resistivity range e 15 ~ 30m Ω· cm). O le homogeneous epitaxy o le conductive silicon carbide substrate ma le silicon carbide e mafai ona faʻaaogaina o se mea mo masini eletise. O faʻataʻitaʻiga autu o faʻaoga o taʻavale eletise, faiga eletise ma isi matata.