O le Substrate Graphite Ufiufi i le Silicon Carbide mo le Semiconductor, MOCVD Susceptor

O le Silicon Carbide Coated Graphite Substrate mo le Semiconductor, MOCVD Susceptor Ata Fa'aalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le VET Energy SiC Coated Susceptor o se oloa maualuga le fa'atinoga ua mamanuina e tu'uina atu ai le fa'atinoga faifai pea ma fa'atuatuaina i se vaitaimi umi. E matua'i lelei lona tete'e atu i le vevela ma le tutusa o le vevela, maualuga le mama, tete'e atu i le ele, ma avea ai ma fofo atoatoa mo fa'aoga fa'agasologa o le wafer.

Nofoaga na Afua Mai ai:Zhejiang, Saina (Mainland)

Fa'asologa Fa'akemikolo:Karate ua ufiufi i le SiC

Malosiaga o le fetu'una'i:470Mpa

Fa'avevela o le eletise:300 W/mK

Tulaga lelei:Atoatoa

Galuega:CVD-SiC

Talosaga:Semiconductor / Photovoltaic

Mafiafia:3.21 kalama/cc

Fa'alauteleina o le vevela:4 10-6/K

Lefulefu: <5ppm

Fa'ata'ita'iga:E maua

Tulafono HS:6903100000

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Fa'amatalaga o le oloa

Fa'ailoga o Oloa

VET Malosiaga SiC Susceptor ua ufiufio se fofo maualuga le faatinoga ua mamanuina ma le faaeteete e tuuina atu ai le faatinoga faatuatuaina ma le tumau i se olaga umi, e faafetaiaia ai manaoga faigata o le gaosiga o semiconductor. O lenei oloa e iai le tete'e atu i le vevela, le tutusa lelei o le vevela, ma le mama maualuga, e fetaui lelei mo le MOCVD wafer carriers ma isi galuega faatino o le wafer e manaomia ai le mautu ma le sa'o. O lona tete'e malosi i le ele e avea ai ma filifiliga sili ona lelei mo siosiomaga e taua ai le tumau ma le malosi i vailaau.

O la matouFa'asusuga o le Graphite Ufiufi SiCO se vaega taua tele i le faagasologa o le gaosiga o semiconductor, e faʻaaogaina ai le tekinolosi faʻapitoa a le VET Energy ua pateniina e ausia ai le mama maualuga, tutusa lelei o le ufiufi, ma le mautu mataʻina o le vevela. O le ufiufi e faʻaleleia atili ai le substrate graphite ma le teteʻe maualuga i vailaʻau ma se olaga faʻalauteleina tele. O le tuuto atu o le VET Energy i le lelei ua iʻu ai i se susceptor ua ufiufiina i le SiC e faʻafetaui ai manaʻoga o loʻo faʻagasolo pea o le maketi o le graphite wafer carrier, ma faʻatulaga ai se tulaga maualuga mo susceptors graphite ua ufiufiina i le SiC e faʻaaogaina iFaiga o le MOCVD.

Vaega Autū o Susceptors Ufiufi SiC:

1. Tete'e atu i le Oxidation i le Vevela Maualuga:E tete'e atu i le vevela e oo atu i le 1700℃, e talafeagai ai mo tulaga faigata o le gaosiga.

2. Mama Maualuga ma le Tutusa o le Vevela:Fa'amautinoaina o taunuuga tutusa, e taua tele moO mea e taofia ai le MOCVDma isi faʻaoga saʻo.

3. Tete'e Sili Ona Lelei i le 'Ele:E tete'e i le 'āsi, alkali, masima, ma isi vaila'au fa'aola eseese.

4. Fa'aleleia atili le Ma'a'a o le Luga:O se fogā'ele'ele la'ititi ma ni fasi mea manifinifi e maua ai le tumau ma le umi e ola ai.

5. Fa'alauteleina o le Ola Auaunaga:Ua mamanuina mo le fa'atinoga tumau, e sili atu nai lo masini fa'asao masani e ufi i le silicon carbide i siosiomaga faigata o le fa'agasologa.

I le avea ai ma se kamupani gaosi oloa taʻimua, e faʻapitoa le VET Energy i le gaosiga o le graphite faʻapitoa maoloa silicon carbidefaatasi ai ma filifiliga eseese o vali, e aofia aiUfiufi SiC, Ufiufi TaC, ufiufi kaponi tioata, ma le ufiufi o le kaponi pyrolytic. Matou te mitamita e tautua i pisinisi semiconductor ma photovoltaic, e tuʻuina atu ai mea e faʻapipiʻi ai le graphite ua ufiufi i le silicon carbide e faʻafetaui ai manaʻoga faʻapitoa o galuega.

O la matou 'au fa'apitoa, fa'atasi ai ma le poto masani mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, ua tuuto atu i le fa'alauteleina o fofo fa'apitoa mo mana'oga fa'atupula'ia o leFa'asusu karapite ua ufiufi i le SiCmaketi. E ala i la matou faiga ua pateniina, ua atiae ai e le VET Energy se tekinolosi tulaga ese e faaleleia atili ai le malosi o le fusifusia i le va o le ufiufi silicon carbide ma le substrate, e faaitiitia ai le lamatiaga o le motusia ma faaleleia atili ai le faatuatuaina i se taimi umi.

Fa'aoga ma Penefiti i le Fa'agasologa o Semiconductor

O leUfiufi SiC mo le MOCVDfa'atagamea e taofia ai le kalafivaega e faatumauina ai le tulaga lelei i lalo o le vevela maualuga ma siosiomaga e 'ele'elea, lea e taua tele mo le gaosiga sa'o o semiconductor. O nei vaega o le graphite ua ufiufi i le SiC e taua tele i faiga e mana'omia ai ni mea e ufiufi i le silicon carbide moavega o le graphite wafer, lea e manaʻomia ai le maualuga o le mautu i le vevela, mama, ma teteʻe atu i le soloia e vailaʻau.

Faatasi ai ma a matou metotia fa'aonaponei o le ufiufiina o le silicon carbide, o lo'o fa'aauau pea ona lagolagoina e le VET Energy le maketi o le graphite wafer carrier e ala i le tu'uina atu o mea fa'apitoa ma lelei le fa'atinoga.O mea e taofia ai le graphite ua ufiufi i le SiCe foia ai luʻitau faʻapitoa i pisinisi, mai faiga faʻavae MOCVD e oʻo atu i faʻaoga maualuga le mama i le matata o semiconductor.