Ярымүткәргечләр җитештерү кечерәк җайланма геометрияләренә, югарырак үткәрүчәнлеккә һәм катгыйрак пычрануны контрольдә тоту стандартларына таба үсеш алган саен, термик эшкәртү җиһазлары моңарчы күрелмәгән инженерлык кыенлыклары белән очраша. LPCVD, термик оксидлашу, кушылма диффузиясе һәм югары температурада җылыту кебек процесслар хәзер температураның бер төрлелеген генә түгел, ә җиһазларның озаграк эшләвен, кисәкчәләр барлыкка килүен һәм процессның кабатланучанлыгын яхшыртуын да таләп итә.
Эшкәртү газлары, мич торбалары яки утырту химиясе белән чагыштырганда еш кына игътибардан читтә калса да, консоль калагы пластиналарның югары температуралы мохиттә ничек эшләвен нигездә билгели. Күп кенә алдынгы фабрикаларда ул инде гади кулланылыш компоненты түгел, ә тотрыклы һәм кабатланырлык ярымүткәргеч эшкәртү өчен төп мөмкинлек бирүче материал дип санала.
SiC консоль калагы нәрсә ул?
SiC консоль калагы - нигездә ярымүткәргеч диффузия мичләрендә һәм LPCVD системаларында кулланыла торган югары чисталыклы кремний карбиды структура компоненты. Ул гадәттә югары температуралы эшкәртү вакытында кварц яки SiC пластиналы көймәләрне тотып тора алырлык озын консоль нурлы структура буларак эшләнгән.
Компонент, гадәттә, түбәндәге ысул белән җитештерелә:
● яңадан кристаллаштырылган кремний карбиды (RSiC)
● химик пар белән тутырылган кремний карбиды (CVD SiC)
● югары тыгызлыктагы реакция белән бәйләнгән SiC материаллары
CoorsTek һәм Saint-Gobain Performance Ceramics тарафыннан бастырылган материал мәгълүматларына караганда, югары чисталыктагы SiC материаллары гадәттә түбәндәгеләрне күрсәтә:
● Җылылык үткәрүчәнлеге: бүлмә температурасында якынча 120–200 Вт/м·К
● Инерт атмосферада максималь эш температурасы: 1600°C тан югарырак.
● Җылылык киңәю коэффициенты (ҖКК): якынча 4.0–4.5×10⁻⁶/K.
● HCl, NH₃, O₂ һәм хлорланган химия процессларына бик яхшы каршылык.
LPCVD эшкәртүдә SiC консоль калагының роле
Барлык кушымталар арасында LPCVD системалары SiC Cantilever калаклары өчен иң мөһим куллану очракларының берсе булып тора.
Түбәндәге кебек процесслар:
● полискремний утырмасы.
● кремний нитрид (Si₃N₄).
● түбән басымлы оксид утырмасы.
Гадәттә 500°C һәм 900°C арасында эшли, еш кына озын процесс циклларында һәм югары реактив химик мохиттә.
Бу системалар эчендә консоль калагы бер үк вакытта берничә мөһим функцияне башкара.
Беренчедән, ул мич торбасына керүче һәм чыгучы пластиналы көймәләр өчен тотрыклы механик транспорт тәэмин итә. Заманча вертикаль мичләр бер партиядә йөзләгән пластина сыйдыра алганлыктан, хәтта ишкәкнең кечкенә генә деформациясе дә пластиналарның тигезләнмәвенә, тотрыксыз арага яки механик көчәнеш туплануына китерергә мөмкин.
Икенчедән, калак җылылык бердәмлегендә мөһим роль уйный. SiC'ның югары җылылык үткәрүчәнлеге җылылыкның терәк структурасы буенча тигезрәк таралуына мөмкинлек бирә, утырма бердәмлегенә тәэсир итә алырлык локаль җылылык градиентларын минимальләштерә.
Өченчедән, түбән кисәкчәләр барлыкка китерү бик мөһим. Ярымүткәргеч кисәкчәләр турыдан-туры агып чыгуны үтерә, бигрәк тә алдынгы логика һәм көч ярымүткәргечләре җитештерүдә. Тыгыз керамик структурасы һәм көчле коррозиягә чыдамлыгы аркасында, югары чисталыклы SiC традицион материаллар белән чагыштырганда кисәкчәләрнең коелу куркынычын сизелерлек киметә.
Алдынгы LPCVD җитештерү линияләрендә калакның озак вакытлы үлчәмле тотрыклылыгы турыдан-туры түбәндәгеләргә тәэсир итә:
● пленка калынлыгының консистенциясе.
● пластинадан пластинага кабатланучанлык.
● мичнең эшләү вакыты.
Ningbo VET Energy компаниясе катлаулы ярымүткәргеч җитештерү мохите өчен эшләнгән алдынгы графит, кремний карбиды керамикасы һәм CVD белән капланган ярымүткәргеч компонентлар җитештерүгә махсуслаша.
Core ярымүткәргеч продуктлары түбәндәгеләрне үз эченә ала:
● SiC Консоль калагы
● SiC капланган графит сусепторы
● SiC белән капланган пластина ташучы
● SiC белән капланган ярты ай компонентлары
● Углерод-углерод композит тигельләре
● Йомшак графит киез һәм каты графит киез
Бу продуктлар киң кулланыла:
● Эпитаксия системалары
● LPCVD реакторлары
● Диффузион мичләр
● SiC кристалларын үстерү системалары
● Югары температуралы термик эшкәртү җиһазлары.
SiC һәм алдынгы куәтле ярымүткәргечләр җитештерүнең тиз үсеше белән, югары чисталыклы, югары тотрыклы мич компонентларына ихтыяҗ артуын дәвам итәчәк. Бу контекстта, SiC Cantilever Paddle технологиясе киләсе буын ярымүткәргеч эшкәртүне хуплаучы төп элементларның берсе булып калачак.
Бастырылган вакыты: 2026 елның 14 мае