SiC эпитаксиаль өлешләре

SiC эпитаксиаль үсеше өчен алдынгы CVD капламалары

Экстремаль җылылык көчәнеше (1500°C - 1700°C) шартларында эшли торган югары куәтле ярымүткәргеч җайланмалар процесслары өчен махсус эшләнгән, безнең CVD SiC һәм TaC белән капланган планетар сусцепторлары, юлдаш дисклары һәм газ дефлекторлары бик яхшы эшләнгән. Кисәкчәләр барлыкка килүне, өслек деградациясен һәм реактив газ эшкәртүне (H₂, SiH₄, C₃H∯) булдырмас өчен эшләнгән, безнең алдынгы каплауларыбыз озак эшләү гомерен, югары дәрәҗәдәге легирлау контролен һәм югары пленка калынлыгының бердәмлеген тәэмин итә.6 дюймлы һәм 8 дюймлы SiC эпитаксиаль пластиналары.

Бик югары температура тотрыклылыгы

Катлаулы H₂/силанны киметү мохитендә 1700°C кадәр термик тотрыклы.

Градиент CTE туры килүе

Тиз термик цикллар вакытында каплау катламнарының катламлашуын, микроярылуларны һәм сиптерелүне бетерә.

8 дюймлы вафли үлчәвенә әзерлек

Киләсе буын югары җитештерүчәнлекле SiC Epi реакторлары (LPE, Aixtron, Nuflare) өчен махсуслаштырылган төгәл CNC эшкәртү.

Техник параметр	Спецификация кыйммәте	Стандарт / Сынау ысулы
Каплау материалы вариантлары	CVD SiC / Тантал карбиды (TaC)	Югары чисталыклы герметик катлам
Нигез субстраты	Чистартылган изостатик графит	Күпләп кушылган күләм < 5 ppm
Термик шокка чыдамлык	Дельта Т > 500°C төшү тизлеге	Ярылмый / Кабыкланмый
Өслекнең тигезсезлеге (Ra)	≤ 0,4 мкм (Көзге белән ялтыратылган)	Вафли ябышуын һәм кисәкчәләрне булдырмый