Кремний эпитаксисы өчен CVD SiC белән капланган компонентлар (Si Epi)

Бер пластиналы һәм партияле Кремний Эпитаксиаль Чөкмә системалары өчен төгәл эшләнгән, безнең CVD SiC белән капланган сусцепторлар, юлдаш дисклары һәм җылылык кыры компонентлары искиткеч җылылык бердәмлеген һәм нуль газ чыгаруны тәэмин итә. Югары тыгызлыктагы кубик β-SiC каплау катламы югары чисталыклы графит субстратын тулысынча каплап ала, реактив газ эшкәртүне (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) булдырмый һәм югары температуралы SiEpi эшкәртү вакытында (1000°C - 1200°C) металл катнашмасының бик түбән дәрәҗәсен (< 5 ppm) гарантияли.