-
SiC كرىستال ئۆسۈشىنىڭ ئۈچ چوڭ تېخنىكىسى
3-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك، SiC يەككە كىرىستالىنى يۇقىرى سۈپەت ۋە ئۈنۈملۈك تەمىنلەشنى مەقسەت قىلغان ئۈچ ئاساسلىق تېخنىكا بار: سۇيۇق باسقۇچلۇق ئېپىتاكسىيە (LPE)، فىزىكىلىق پار توشۇش (PVT) ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىمىيىلىك پار چۆكمىسى (HTCVD). PVT SiC sin ... ئىشلەپچىقىرىشنىڭ ياخشى قوللىنىلغان جەريانى.كۆپرەك ئوقۇڭ -
ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ GaN ۋە ئۇنىڭغا مۇناسىۋەتلىك ئېپىتاكسىيال تېخنىكىسىغا قىسقىچە كىرىش سۆز
1. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تېخنىكىسى Si ۋە Ge قاتارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارغا ئاساسەن تەرەققىي قىلدۇرۇلغان. ئۇ ترانزىستور ۋە بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى تېخنىكىسىنىڭ تەرەققىياتىنىڭ ماددىي ئاساسى. بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ... نىڭ ئاساسىنى سالغان.كۆپرەك ئوقۇڭ -
23 مىليارد 500 مىليون دوللارلىق سۇجۇنىڭ دەرىجىدىن تاشقىرى بىر مۈڭگۈزلۈك ئاتلىرى IPO غا چىقىدۇ
9 يىللىق كارخانىچىلىقتىن كېيىن، Innoscience جەمئىي 6 مىليارد يۈەندىن ئارتۇق مەبلەغ توپلىدى، ئۇنىڭ قىممىتى ھەيران قالارلىق دەرىجىدە 23 مىليارد 500 مىليون يۈەنگە يەتتى. مەبلەغ سالغۇچىلارنىڭ تىزىملىكى ئون نەچچە شىركەتكە يېتىدۇ: Fukun Venture Capital، Dongfang State-owned Assets، Suzhou Zhanyi، Wujian...كۆپرەك ئوقۇڭ -
تانتال كاربىد بىلەن قاپلانغان مەھسۇلاتلار ماتېرىياللارنىڭ چىرىشكە چىدامچانلىقىنى قانداق ئاشۇرىدۇ؟
تانتال كاربىد قاپلاش كۆپ ئىشلىتىلىدىغان يۈزە بىر تەرەپ قىلىش تېخنىكىسى بولۇپ، ماتېرىياللارنىڭ چىرىشكە چىدامچانلىقىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ياخشىلىيالايدۇ. تانتال كاربىد قاپلاشنى خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش، فىزىكىلىق ... قاتارلىق ھەر خىل تەييارلاش ئۇسۇللىرى ئارقىلىق ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىگە چاپلىغىلى بولىدۇ.كۆپرەك ئوقۇڭ -
ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ GaN ۋە ئۇنىڭغا مۇناسىۋەتلىك ئېپىتاكسىيال تېخنىكىسىغا كىرىش
1. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تېخنىكىسى Si ۋە Ge قاتارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارغا ئاساسەن تەرەققىي قىلدۇرۇلغان. ئۇ ترانزىستور ۋە بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى تېخنىكىسىنىڭ تەرەققىياتىنىڭ ماددىي ئاساسى. بىرىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ... نىڭ ئاساسىنى سالغان.كۆپرەك ئوقۇڭ -
تۆشۈكلۈك گرافىتنىڭ كرېمنىي كاربىد كرىستال ئۆسۈشىگە بولغان تەسىرىنى سانلىق سىمۇلياتسىيە تەتقىقاتى
SiC كرىستال ئۆسۈشىنىڭ ئاساسىي جەريانى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا خام ماتېرىياللارنىڭ سۇبلىماتسىيەسى ۋە پارچىلىنىشى، تېمپېراتۇرا گرادىيېنتىنىڭ تەسىرىدە گاز باسقۇچلۇق ماددىلارنىڭ توشۇلىشى ۋە ئۇرۇق كرىستالىدا گاز باسقۇچلۇق ماددىلارنىڭ قايتا كرىستاللىنىشى ئارقىلىق ئۆسۈشى قاتارلىق تۈرلەرگە بۆلىنىدۇ. بۇنىڭغا ئاساسەن، ...كۆپرەك ئوقۇڭ -
ئالاھىدە گرافىتنىڭ تۈرلىرى
ئالاھىدە گرافىت يۇقىرى ساپلىق، يۇقىرى زىچلىق ۋە يۇقىرى كۈچلۈك گرافىت ماتېرىيالى بولۇپ، ئېسىل چىرىشكە چىداملىق، يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ۋە ئېلېكتر ئۆتكۈزۈشچانلىقىغا ئىگە. ئۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرالىق ئىسسىقلىق بىر تەرەپ قىلىش ۋە يۇقىرى بېسىملىق بىر تەرەپ قىلىشتىن كېيىن تەبىئىي ياكى سۈنئىي گرافىتتىن ياسالغان...كۆپرەك ئوقۇڭ -
نېپىز پەردە چۆكتۈرۈش ئۈسكۈنىلىرىنى تەھلىل قىلىش - PECVD/LPCVD/ALD ئۈسكۈنىلىرىنىڭ پىرىنسىپلىرى ۋە قوللىنىشچانلىقى
نېپىز پەردە چاپلاش يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ ئاساسلىق ئاساسىي ماتېرىيالىغا بىر قەۋەت پەردە چاپلاشنى كۆرسىتىدۇ. بۇ پەردە ئىزولياتسىيەلىك بىرىكمە كرېمنىي دىئوكسىد، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پولى كرېمنىي، مېتال مىس قاتارلىق ھەر خىل ماتېرىياللاردىن ياسىلىدۇ. چاپلاشقا ئىشلىتىلىدىغان ئۈسكۈنىلەر نېپىز پەردە چاپلاش دەپ ئاتىلىدۇ...كۆپرەك ئوقۇڭ -
مونوكرىستاللىق كرېمنىينىڭ ئۆسۈش سۈپىتىنى بەلگىلەيدىغان مۇھىم ماتېرىياللار - ئىسسىقلىق مەيدانى
مونوكرىستاللىق كرېمنىينىڭ ئۆسۈش جەريانى پۈتۈنلەي ئىسسىقلىق مەيدانىدا ئېلىپ بېرىلىدۇ. ياخشى ئىسسىقلىق مەيدانى كرىستاللارنىڭ سۈپىتىنى ياخشىلاشقا پايدىلىق بولۇپ، يۇقىرى كرىستاللىشىش ئۈنۈمىگە ئىگە. ئىسسىقلىق مەيدانىنىڭ لايىھىسى ئاساسلىقى تېمپېراتۇرا گرادىيېنتىنىڭ ئۆزگىرىشىنى بەلگىلەيدۇ...كۆپرەك ئوقۇڭ