Àwọn Àwọ̀ CVD Tó Tẹ̀síwájú fún Ìdàgbàsókè Epitaxial SiC
A ṣe àtúnṣe rẹ̀ fún àwọn ìlànà ẹ̀rọ semiconductor alágbára gíga tí ń ṣiṣẹ́ lábẹ́ ìgbóná líle koko (1500°C - 1700°C), àwọn ohun tí a fi bo CVD SiC àti TaC, àwọn díìsì satẹ́láìtì, àti àwọn ohun tí ń yí gáàsì padà ni a ṣe láti tayọ̀tayọ̀. A ṣe é láti dènà ìṣẹ̀dá pàtákì, ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀, àti ìfọ́ gáàsì oníṣẹ́ (H₂, SiH₄, C₃H∯), àwọn ìbòrí wa tí ó ti ní ìlọsíwájú ń rí i dájú pé wọ́n ń ṣiṣẹ́ fún ìgbà pípẹ́, ìṣàkóso dopant tí ó ga jùlọ, àti ìṣọ̀kan fíìmù tí ó nípọn ní gbogbo ibi.Àwọn wáfárì onípele SiC oní-6 àti 8-inch.
Ó dúró ṣinṣin ní ooru títí dé 1700°C ní àwọn àyíká tí ó ń dín H₂/silane kù gidigidi.
Ó ń mú kí ìdènà ìbòrí, ìfọ́ kékeré àti ìfọ́ jáde kúrò nígbà tí a bá ń lo ooru kíákíá.
Awọn ẹrọ CNC ti o peye ti a ṣe apẹrẹ fun awọn reactors SiC Epi ti o ni agbara giga-iran (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Ìlànà Ìmọ̀-ẹ̀rọ | Iye Ìsọdipúpọ̀ | Ọ̀nà Ìdánwò/Bákan náà |
|---|---|---|
| Awọn aṣayan Ohun elo ti a fi bo | CVD SiC / Tantalum Carbide (TaC) | Ipele Hermetic To Ga-Gíga |
| Ipìlẹ̀ ilẹ̀ | Grafiti Isostatic ti a wẹ mọ́ | Àìmọ́ púpọ̀ < 5 ppm |
| Agbara Gbigbona Gbigbona | Ìwọ̀n Rírìn Delta T > 500°C | Kò sí ìfọ́/bíbọ́ |
| Ríru ojú ilẹ̀ (Ra) | ≤ 0.4 μm (A ti dán dígí) | Ó ń dènà kí Wafer má lẹ̀ mọ́ àti àwọn pátákó |
