Àwọn Ohun Èlò Tí A Fi Kàn CVD SiC fún Silicon Epitaxy (Si Epi)
A ti ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ dáadáa fún àwọn ètò ìpamọ́ ohun èlò onípele kan ṣoṣo àti ìpele Silicon Epitaxial, àwọn ohun èlò ìtọ́jú ohun èlò wa tí a fi CVD SiC bo, àwọn díìsìkì sátẹ́láìtì, àti àwọn èròjà pápá ooru ń fún wa ní ìṣọ̀kan ooru tó tayọ àti pé kò ní sí ìjákulẹ̀. Ìpele ìbòrí onípele onípele onípele β-SiC tó ga jùlọ ń fi ẹ̀rọ graphite tó ga jùlọ bo gbogbo rẹ̀, ó ń dènà ìfọ́ gaasi tó ń ṣiṣẹ́ (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) ó sì ń ṣe ìdánilójú pé ìwọ̀n àìmọ́ irin tó kéré gan-an (< 5 ppm) yóò wà nígbà tí a bá ń ṣe Si Epi tó ga ní iwọ̀n otútù (1000°C - 1200°C).
Ìyọrísí ìtújáde tí a ṣàkóso ń mú kí ó dájú pé fíìmù wafer náà ní ìwọ̀n tó péye láti etí dé àárín.
Ó ń pèsè ààbò tó lágbára lòdì sí àwọn kẹ́míkà ìwẹ̀nùmọ́ yàrá àti àwọn ìkọlù ooru.
A ṣe ẹ̀rọ CNC tó péye láti bá àwọn irinṣẹ́ Epi oní-wafer 200mm/300mm mu (Àwọn Ohun Èlò Tí A Fi Sílẹ̀, ASM).
| Ìlànà Ìmọ̀-ẹ̀rọ | Iye Ìsọdipúpọ̀ | Ọ̀nà Ìdánwò/Bákan náà |
|---|---|---|
| Ohun elo ti a fi bo | CVD β-SiC (Ìpele Kubiki) | Ìrísí Kírísítàlì Oníwúwo Gíga |
| Ohun èlò ìpìlẹ̀ | Graphite Isostatic Ultra-Pure | Ìwọ̀n: 1.82 - 1.88 g/cm³ |
| Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | Àìmọ́ gbogbogbò < 5 ppm | Idanwo GDMS |
| Sisanra ti a fi bo | 80 μm - 150 μm | Ìṣọ̀kan ≤ ±5% |
