CVD покритие

CVD покрития за усъвършенствана полупроводникова обработка

Проектирани за критични среди за производство на полупроводници, нашите покрития от силициев карбид (SiC), танталов карбид (TaC) и пиролитичен въглерод (PyC) чрез химическо отлагане от пари (CVD) осигуряват изключителна химическа инертност, изключителна термична стабилност и ултрависока чистота (< 5 ppm). Проектирани да предпазват високочисти графитни и керамични субстрати от агресивна плазма, реактивни технологични газове и високи термични цикли, нашите усъвършенствани покрития минимизират генерирането на частици и значително удължават живота на компонентите.Силициева/SiC епитаксия, MOCVD, плазмено ецване и растеж на монокристалиприложения.

Ултрависока чистота (< 5 ppm)

GDMS-сертифицирано ниско съдържание на метални примеси за предотвратяване на замърсяване на пластините в критични процеси.

Превъзходна устойчивост на плазма и газ

Плътната кристална структура предпазва от халогенна плазма (CF₄, NF₃, Cl₂) и корозивни газове.

Оптимизирано термично съвпадение

Строгият контрол на CTE елиминира микропукнатини и разслояване на покритието при силни термични удари.

Вид покритие	Ключово техническо предимство	Приложение за основен процес
CVD SiC покритие	Висока топлопроводимост, отлична устойчивост на плазмена ерозия	Сухо ецване, силициева епитаксия, MOCVD, растеж на кристали
CVD TaC покритие	Устойчивост на екстремни температури (>2000°C), корозионна бариера H₂/SiH₄	SiC епитаксия, растеж на монокристален SiC чрез PVT
PyC покритие	Херметично газоуплътняване, ултрагладка анизотропна въглеродна повърхност	Термоизолация, монокристален силиций CZ