Усъвършенствани CVD покрития за епитаксиален растеж на SiC
Разработени за процеси на високомощни полупроводникови устройства, работещи при екстремно термично натоварване (1500°C - 1700°C), нашите CVD SiC и TaC покрити планетарни сусцептори, сателитни дискове и газови дефлектори са създадени за превъзходство. Проектирани да предотвратят генерирането на частици, деградацията на повърхността и реактивното газово ецване (H₂, SiH₄, C₃H∯), нашите усъвършенствани покрития осигуряват дълъг експлоатационен живот, превъзходен контрол на примесите и висока еднородност на дебелината на филма.6-инчови и 8-инчови SiC епитаксиални пластини.
Термично стабилен до 1700°C в тежки среди с редукция на H₂/силан.
Елиминира разслояването на покритието, микропукнатините и отлющването му по време на бързи термични цикли.
Прецизна CNC обработка, пригодена за високопроизводителни SiC Epi реактори от следващо поколение (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Технически параметър | Стойност на спецификацията | Стандарт / Метод на изпитване |
|---|---|---|
| Опции за покривен материал | CVD SiC / Танталов карбид (TaC) | Херметичен слой с висока чистота |
| Основен субстрат | Пречистен изостатичен графит | Обемни примеси < 5 ppm |
| Устойчивост на термичен удар | Делта T > 500°C Скорост на нарастване | Без напукване / лющене |
| Грапавост на повърхността (Ra) | ≤ 0,4 μm (огледално полирана) | Предотвратява залепването на вафлите и образуването на частици |
