Materie prime refrattarie muderne di C, N, B è altre materie prime refrattarie di alta tecnulugia senza ossidu, u carburu di siliciu sinterizatu à pressione atmosferica hè estensivu, ecunomicu, si pò dì chì hè smerigliu o sabbia refrattaria. U carburu di siliciu puru hè un cristallu trasparente incolore. Dunque, chì hè a struttura è e caratteristiche di u materiale di u carburu di siliciu?
Carburu di siliciu sinterizatu sottu pressione atmosferica
Struttura di u materiale di carburo di siliciu sinterizatu à pressione atmosferica:
U carburu di siliciu sinterizatu à pressione atmosferica utilizatu in l'industria hè giallu chjaru, verde, turchinu è neru secondu u tipu è u cuntenutu di l'impurità, è a purità hè diversa è a trasparenza hè diversa. A struttura cristallina di u carburu di siliciu hè divisa in plutoniu à sei parolle o in forma di diamante è plutoniu-sic cubicu. U plutoniu-sic forma una varietà di deformazioni per via di u diversu ordine di impilamentu di l'atomi di carbone è di siliciu in a struttura cristallina, è sò stati trovati più di 70 tipi di deformazioni. U beta-SIC si cunverte in alfa-SIC sopra à 2100. U prucessu industriale di u carburu di siliciu hè raffinatu cù sabbia di quarzu di alta qualità è coke di petroliu in un fornu di resistenza. I blocchi di carburu di siliciu raffinati sò schiacciati, puliti à acidu-base, separati magnetici, vagliati o selezziunati cù acqua per pruduce una varietà di prudutti di dimensione di particelle.
Caratteristiche di u materiale di carburo di siliciu sinterizatu à pressione atmosferica:
U carburu di siliciu hà una bona stabilità chimica, cunduttività termica, coefficientu di dilatazione termica, resistenza à l'usura, dunque in più di l'usu abrasivu, ci sò parechji usi: Per esempiu, a polvere di carburu di siliciu hè rivestita nantu à a parete interna di a girante di a turbina o di u bloccu di cilindri cù un prucessu speciale, chì pò migliurà a resistenza à l'usura è allargà a vita di 1 à 2 volte. Fattu di materiali refrattarii di alta qualità resistenti à u calore, di piccule dimensioni, ligeri, d'alta resistenza, l'efficienza energetica hè assai bona. U carburu di siliciu di bassa qualità (cumprendu circa 85% di SiC) hè un eccellente disossidante per aumentà a velocità di fabricazione di l'acciaiu è cuntrullà facilmente a cumpusizione chimica per migliurà a qualità di l'acciaiu. Inoltre, u carburu di siliciu sinterizatu à pressione atmosferica hè ancu largamente adupratu in a fabricazione di parti elettriche di barre di carbone di siliciu.
U carburu di siliciu hè assai duru. A durezza Morse hè 9,5, seconda solu à u diamante duru di u mondu (10), hè un semiconduttore cù una eccellente cunduttività termica, pò resiste à l'ossidazione à alte temperature. U carburu di siliciu hà almenu 70 tipi cristallini. U carburu di plutoniu-siliciu hè un isomeru cumunu chì si forma à temperature superiori à 2000 è hà una struttura cristallina esagonale (simile à a wurtzite). U carburu di siliciu sinterizatu sottu pressione atmosferica
Applicazione di u carburu di siliciu in l'industria di i semiconduttori
A catena di l'industria di i semiconduttori di carburo di siliciu include principalmente polvere di alta purezza di carburo di siliciu, substratu monocristallinu, fogli epitassiali, cumpunenti di putenza, imballaggio di moduli è applicazioni terminali.
1. Sustratu di cristallu unicu U sustratu di cristallu unicu hè un materiale di supportu semiconduttore, un materiale conduttivu è un sustratu di crescita epitassiale. Attualmente, i metudi di crescita di u cristallu unicu di SiC includenu u metudu di trasferimentu fisicu di vapore (metodu PVT), u metudu di fase liquida (metodu LPE) è u metudu di deposizione chimica di vapore à alta temperatura (metodu HTCVD). Carburu di siliciu sinterizatu sottu pressione atmosferica
2. Fogliu epitassiale Fogliu epitassiale di carburo di siliciu, fogliu di carburo di siliciu, film di cristallu unicu (stratu epitassiale) cù a stessa direzzione di u cristallu di u substratu chì hà certi requisiti per u substratu di carburo di siliciu. In l'applicazioni pratiche, i dispositivi semiconduttori à banda larga sò guasi tutti fabbricati in u stratu epitassiale, è u chip di siliciu stessu hè adupratu solu cum'è substratu, cumpresu u substratu di u stratu epitassiale di GaN.
3. Polvere di carburo di siliciu di alta purità A polvere di carburo di siliciu di alta purità hè a materia prima per a crescita di monocristalli di carburo di siliciu per mezu di u metudu PVT, è a purità di u pruduttu affetta direttamente a qualità di crescita è e caratteristiche elettriche di u monocristalli di carburo di siliciu.
4. U dispusitivu di putenza hè una putenza à banda larga fatta di materiale di carburo di siliciu, chì hà e caratteristiche di alta temperatura, alta frequenza è alta efficienza. Sicondu a forma di funziunamentu di u dispusitivu, u dispusitivu di alimentazione SiC include principalmente un diodu di putenza è un tubu di interruttore di putenza.
5. Terminale In l'applicazioni di semiconduttori di terza generazione, i semiconduttori di carburo di siliciu anu u vantaghju d'esse cumplementarii à i semiconduttori di nitruro di galliu. A causa di l'alta efficienza di cunversione, e caratteristiche di riscaldamentu bassu, a leggerezza è altri vantaghji di i dispositivi SiC, a dumanda di l'industria downstream cuntinueghja à cresce, è ci hè una tendenza à rimpiazzà i dispositivi SiO2.
Data di publicazione: 16 di ghjugnu 2023