Заманча C, N, B һәм башка оксид булмаган югары технологияле утка чыдам чимал, атмосфера басымы белән эшкәртелгән кремний карбиды киң колачлы, икътисади яктан файдалы, аны зымырыт яки утка чыдам ком дип әйтергә мөмкин. Саф кремний карбиды төссез үтә күренмәле кристалл. Димәк, кремний карбидының материал структурасы һәм үзенчәлекләре нинди?
Атмосфера басымы астында кайнатылган кремний карбиды
Атмосфера басымында синтезланган кремний карбидының материал структурасы:
Сәнәгатьтә кулланыла торган атмосфера басымы белән эшкәртелгән кремний карбиды, катнашмаларның төренә һәм эчтәлегенә карап, ачык сары, яшел, зәңгәр һәм кара төстә була, сафлыгы һәм үтә күренмәлелеге төрлечә. Кремний карбиды кристалл структурасы алты сүзле яки ромб формасындагы плутоний һәм куб плутоний-сик дип бүленә. Кристалл структурасындагы углерод һәм кремний атомнарының төрле катлам тәртибе аркасында плутоний-сик төрле деформацияләр барлыкка китерә, һәм 70 дән артык деформация төре табылган. Бета-SIC 2100 дән югарырак альфа-SIC га әйләнә. Кремний карбидының сәнәгать процессы югары сыйфатлы кварц комы һәм нефть коксы белән каршылык мичендә эшкәртелә. Эшкәртелгән кремний карбиды блоклары төрле кисәкчә зурлыгындагы продуктлар алу өчен ваклана, кислота-нигез чистартыла, магнит аерыла, скрининг яки су сайлап алына.
Атмосфера басымында синтезланган кремний карбидының материал үзенчәлекләре:
Кремний карбиды яхшы химик тотрыклылыкка, җылылык үткәрүчәнлеккә, җылылык киңәю коэффициентына, тузуга чыдамлыкка ия, шуңа күрә абразив кулланудан тыш, күп кулланылышлар бар: Мәсәлән, кремний карбиды порошогы турбина импеллерының яки цилиндр блогының эчке стенасына махсус процесс белән каплана, бу тузуга чыдамлыкны яхшырта һәм гомерен 1-2 тапкыр озайта ала. Җылылыкка чыдам, кечкенә зурлыктагы, җиңел авырлыктагы, югары ныклыктагы югары сыйфатлы утка чыдам материаллардан ясалган, энергия нәтиҗәлелеге бик яхшы. Түбән сыйфатлы кремний карбиды (якынча 85% SiC кертеп) корыч ясау тизлеген арттыру һәм корыч сыйфатын яхшырту өчен химик составны җиңел контрольдә тоту өчен бик яхшы деоксидлаштыргыч булып тора. Моннан тыш, атмосфера басымы астында синтезланган кремний карбиды кремний углерод таякчыкларының электр детальләрен җитештерүдә дә киң кулланыла.
Кремний карбиды бик каты. Морзе катылыгы 9,5, дөньядагы каты алмаздан (10) гына калыша, җылылык үткәрүчәнлеге бик яхшы булган ярымүткәргеч, югары температураларда оксидлашуга каршы тора ала. Кремний карбиды ким дигәндә 70 кристалл төренә ия. Плутоний-кремний карбиды - 2000 дән югары температурада барлыкка килә торган һәм алты почмаклы кристалл структурага ия булган (вюрцитка охшаган) киң таралган изомер. Атмосфера басымы астында фенланган кремний карбиды
Кремний карбидын ярымүткәргечләр сәнәгатендә куллану
Кремний карбиды ярымүткәргечләр сәнәгате чылбыры, нигездә, кремний карбиды югары сафлыклы порошогын, бер кристалл субстратын, эпитаксиаль катламны, көч компонентларын, модуль төргәген һәм терминал кушымталарын үз эченә ала.
1. Монокристалл субстрат Монокристалл субстрат - ярымүткәргечле терәк материалы, үткәргеч материал һәм эпитаксиаль үсеш субстраты. Хәзерге вакытта SiC монокристаллын үстерү ысулларына физик пар күчерү ысулы (PVT ысулы), сыек фаза ысулы (LPE ысулы) һәм югары температуралы химик пар утырту ысулы (HTCVD ысулы) керә. Атмосфера басымы астында кайнатылган кремний карбиды
2. Эпитаксиаль катлам Кремний карбиды эпитаксиаль катлам, кремний карбиды катламы, субстрат кристаллы белән бер үк юнәлештәге монокристалл пленка (эпитаксиаль катлам). Гамәли кулланылышта киң полосалы ярымүткәргеч җайланмалар диярлек эпитаксиаль катламда җитештерелә, һәм кремний чипы үзе, шул исәптән GaN эпитаксиаль катламының субстраты, субстрат буларак кына кулланыла.
3. Югары сафлыклы кремний карбиды порошогы Югары сафлыклы кремний карбиды порошогы PVT ысулы белән кремний карбиды монокристаллын үстерү өчен чимал булып тора, һәм продуктның сафлыгы кремний карбиды монокристалының үсеш сыйфатына һәм электр үзенчәлекләренә турыдан-туры тәэсир итә.
4. Көч җайланмасы - югары температура, югары ешлык һәм югары нәтиҗәлелек үзенчәлекләренә ия булган кремний карбиды материалыннан ясалган киң диапазонлы көч җайланмасы. Җайланманың эшләү формасы буенча, SiC көч белән тәэмин итү җайланмасы, нигездә, көч диодын һәм көч ачкыч лампасын үз эченә ала.
5. Терминал Өченче буын ярымүткәргечләр куллануда кремний карбиды ярымүткәргечләре галлий нитриды ярымүткәргечләрен комплиментлау өстенлегенә ия. SiC җайланмаларының югары конверсия нәтиҗәлелеге, түбән җылыту үзенчәлекләре, җиңел авырлыгы һәм башка өстенлекләре аркасында, агымдагы сәнәгатьтә ихтыяҗ арта бара, һәм SiO2 җайланмаларын алыштыру тенденциясе күзәтелә.
Бастырылган вакыты: 2023 елның 16 июне