वायुमंडलीय दबाव के तहत सिन्टर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड की सामग्री संरचना और गुण

आधुनिक सी, एन, बी और अन्य गैर-ऑक्साइड उच्च तकनीक दुर्दम्य कच्चे माल, वायुमंडलीय दबाव sintered सिलिकॉन कार्बाइड व्यापक, आर्थिक है, एमरी या दुर्दम्य रेत कहा जा सकता है। शुद्ध सिलिकॉन कार्बाइड रंगहीन पारदर्शी क्रिस्टल है। तो सिलिकॉन कार्बाइड की सामग्री संरचना और विशेषताएं क्या हैं?

वायुमंडलीय दबाव के तहत सिन्टर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड

वायुमंडलीय दबाव sintered सिलिकॉन कार्बाइड की सामग्री संरचना:

उद्योग में उपयोग किए जाने वाले वायुमंडलीय दबाव सिंटर सिलिकॉन कार्बाइड अशुद्धियों के प्रकार और सामग्री के अनुसार हल्के पीले, हरे, नीले और काले रंग के होते हैं, और शुद्धता अलग होती है और पारदर्शिता अलग होती है। सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल संरचना को छह-शब्द या हीरे के आकार के प्लूटोनियम और क्यूबिक प्लूटोनियम-सिक में विभाजित किया गया है। प्लूटोनियम-सिक क्रिस्टल संरचना में कार्बन और सिलिकॉन परमाणुओं के विभिन्न स्टैकिंग क्रम के कारण कई प्रकार के विरूपण बनाता है, और 70 से अधिक प्रकार के विरूपण पाए गए हैं। बीटा-एसआईसी 2100 से ऊपर अल्फा-एसआईसी में परिवर्तित हो जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड की औद्योगिक प्रक्रिया को प्रतिरोध भट्टी में उच्च गुणवत्ता वाले क्वार्ट्ज रेत और पेट्रोलियम कोक के साथ परिष्कृत किया जाता है। विभिन्न प्रकार के कण आकार के उत्पादों का उत्पादन करने के लिए परिष्कृत सिलिकॉन कार्बाइड ब्लॉकों को कुचल दिया जाता है, एसिड-बेस की सफाई, चुंबकीय पृथक्करण, स्क्रीनिंग या पानी का चयन किया जाता है।

वायुमंडलीय दबाव sintered सिलिकॉन कार्बाइड की सामग्री विशेषताएं:

सिलिकॉन कार्बाइड में अच्छी रासायनिक स्थिरता, ऊष्मीय चालकता, ऊष्मीय विस्तार गुणांक, पहनने का प्रतिरोध होता है, इसलिए घर्षण उपयोग के अलावा, इसके कई उपयोग हैं: उदाहरण के लिए, सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर को एक विशेष प्रक्रिया के साथ टरबाइन प्ररित करनेवाला या सिलेंडर ब्लॉक की आंतरिक दीवार पर लेपित किया जाता है, जो पहनने के प्रतिरोध को बेहतर बना सकता है और 1 से 2 गुना तक जीवन का विस्तार कर सकता है। गर्मी प्रतिरोधी, छोटे आकार, हल्के वजन, उच्च श्रेणी की दुर्दम्य सामग्री की उच्च शक्ति से बना, ऊर्जा दक्षता बहुत अच्छी है। निम्न-श्रेणी के सिलिकॉन कार्बाइड (लगभग 85% SiC सहित) स्टीलमेकिंग की गति बढ़ाने और स्टील की गुणवत्ता में सुधार करने के लिए रासायनिक संरचना को आसानी से नियंत्रित करने के लिए एक उत्कृष्ट डीऑक्सीडाइज़र है। इसके अलावा, वायुमंडलीय दबाव sintered सिलिकॉन कार्बाइड भी सिलिकॉन कार्बन छड़ के विद्युत भागों के निर्माण में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।

सिलिकॉन कार्बाइड बहुत कठोर होता है। मोर्स कठोरता 9.5 है, जो दुनिया के सबसे कठोर हीरे (10) के बाद दूसरे स्थान पर है, यह उत्कृष्ट तापीय चालकता वाला अर्धचालक है, जो उच्च तापमान पर ऑक्सीकरण का प्रतिरोध कर सकता है। सिलिकॉन कार्बाइड में कम से कम 70 क्रिस्टलीय प्रकार होते हैं। प्लूटोनियम-सिलिकॉन कार्बाइड एक सामान्य आइसोमर है जो 2000 से ऊपर के तापमान पर बनता है और इसमें एक हेक्सागोनल क्रिस्टलीय संरचना होती है (वुर्टज़ाइट के समान)। वायुमंडलीय दबाव में सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड

अर्धचालक उद्योग में सिलिकॉन कार्बाइड का अनुप्रयोग

सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालक उद्योग श्रृंखला में मुख्य रूप से सिलिकॉन कार्बाइड उच्च शुद्धता पाउडर, एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट, एपिटैक्सियल शीट, बिजली घटक, मॉड्यूल पैकेजिंग और टर्मिनल अनुप्रयोग शामिल हैं।

1. सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट एक अर्धचालक सहायक सामग्री, प्रवाहकीय सामग्री और एपिटैक्सियल ग्रोथ सब्सट्रेट है। वर्तमान में, SiC सिंगल क्रिस्टल की वृद्धि विधियों में भौतिक वाष्प स्थानांतरण विधि (PVT विधि), तरल चरण विधि (LPE विधि), और उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव विधि (HTCVD विधि) शामिल हैं। वायुमंडलीय दबाव के तहत सिन्टर किए गए सिलिकॉन कार्बाइड

2. एपिटैक्सियल शीट सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल शीट, सिलिकॉन कार्बाइड शीट, सब्सट्रेट क्रिस्टल के समान दिशा वाली एकल क्रिस्टल फिल्म (एपिटैक्सियल परत) जिसमें सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट के लिए कुछ आवश्यकताएं होती हैं। व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, वाइड बैंड गैप सेमीकंडक्टर डिवाइस लगभग सभी एपिटैक्सियल परत में निर्मित होते हैं, और सिलिकॉन चिप को केवल सब्सट्रेट के रूप में उपयोग किया जाता है, जिसमें GaN एपिटैक्सियल परत का सब्सट्रेट भी शामिल है।

3. उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर पीवीटी विधि द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल के विकास के लिए कच्चा माल है, और उत्पाद की शुद्धता सीधे सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल की विकास गुणवत्ता और विद्युत विशेषताओं को प्रभावित करती है।

4. पावर डिवाइस सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री से बना एक वाइड-बैंड पावर है, जिसमें उच्च तापमान, उच्च आवृत्ति और उच्च दक्षता की विशेषताएं हैं। डिवाइस के ऑपरेटिंग फॉर्म के अनुसार, SiC पावर सप्लाई डिवाइस में मुख्य रूप से एक पावर डायोड और एक पावर स्विच ट्यूब शामिल है।

5. टर्मिनल तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक अनुप्रयोगों में, सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालकों को गैलियम नाइट्राइड अर्धचालकों के पूरक होने का लाभ है। SiC उपकरणों की उच्च रूपांतरण दक्षता, कम हीटिंग विशेषताओं, हल्के वजन और अन्य लाभों के कारण, डाउनस्ट्रीम उद्योग की मांग में वृद्धि जारी है, और SiO2 उपकरणों को बदलने की प्रवृत्ति है।