ခေတ်မီ C, N, B နှင့် အခြား အောက်ဆိုဒ်မဟုတ်သော အဆင့်မြင့်နည်းပညာသုံး ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများ၊ လေထုဖိအားဖြင့် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကျယ်ပြန့်ပြီး စီးပွားရေးအရ ကျယ်ပြန့်သောကြောင့် emery သို့မဟုတ် refractory sand ဟုခေါ်သည်။ သန့်စင်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အရောင်မဲ့ ကြည်လင်သော ပုံဆောင်ခဲဖြစ်သည်။ ဒါဆိုရင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ရဲ့ ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနဲ့ ဝိသေသလက္ခဏာတွေက ဘာလဲ။
လေထုဖိအားအောက်တွင် Sintered silicon carbide
လေထုဖိအား sintered silicon carbide ၏ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ:
စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်အသုံးပြုသော လေထုဖိအားဖြင့် sintered silicon carbide သည် မသန့်စင်မှုအမျိုးအစားနှင့် ပါဝင်မှုပေါ် မူတည်၍ အဝါဖျော့ဖျော့၊ အစိမ်းရောင်၊ အပြာရောင်နှင့် အနက်ရောင်ဖြစ်ပြီး သန့်စင်မှုကွဲပြားပြီး ပွင့်လင်းမြင်သာမှုကွဲပြားသည်။ silicon carbide ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို စကားလုံးခြောက်လုံး သို့မဟုတ် စိန်ပုံသဏ္ဍာန် plutonium နှင့် cubic plutonium-sic အဖြစ်ခွဲခြားထားသည်။ Plutonium-sic သည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံတွင် ကာဗွန်နှင့် silicon အက်တမ်များ၏ stacking အစီအစဉ်ကွဲပြားမှုကြောင့် ပုံပျက်ခြင်းအမျိုးမျိုးကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ပုံပျက်ခြင်းအမျိုးအစား ၇၀ ကျော်ကို တွေ့ရှိခဲ့သည်။ beta-SIC သည် ၂၁၀၀ အထက် alpha-SIC သို့ ပြောင်းလဲသည်။ silicon carbide ၏ စက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို resistance furnace တွင် အရည်အသွေးမြင့် quartz သဲနှင့် petroleum coke ဖြင့် သန့်စင်သည်။ သန့်စင်ထားသော silicon carbide blocks များကို ကြေမွခြင်း၊ acid-base cleaning၊ magnetic separation၊ filtering သို့မဟုတ် water selection ဖြင့် အမှုန်အရွယ်အစားထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးကို ထုတ်လုပ်သည်။
လေထုဖိအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ပစ္စည်းဝိသေသလက္ခဏာများ-
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းနှင့် ဟောင်းနွမ်းမှုခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်သောကြောင့် ပွတ်တိုက်အသုံးပြုမှုအပြင် အသုံးပြုမှုများစွာရှိသည်- ဥပမာအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်ကို တာဘိုင်ဒယ်လ် သို့မဟုတ် ဆလင်ဒါဘလောက်၏ အတွင်းနံရံတွင် အထူးလုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး ဟောင်းနွမ်းမှုခံနိုင်ရည်ကို တိုးတက်စေပြီး သက်တမ်း ၁ ဆမှ ၂ ဆအထိ ရှည်ကြာစေနိုင်သည်။ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ အရွယ်အစားသေးငယ်သော၊ အလေးချိန်ပေါ့ပါးသော၊ အရည်အသွေးမြင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။ အဆင့်နိမ့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC ၈၅% ခန့်ပါဝင်သည်) သည် သံမဏိထုတ်လုပ်မှုအမြန်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် သံမဏိအရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန် ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုကို အလွယ်တကူ ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော အောက်ဆီဒေးရှင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ လေထုဖိအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ချောင်းများ၏ လျှပ်စစ်အစိတ်အပိုင်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အလွန်မာကျောသည်။ မော့စ်မာကျောမှုမှာ ၉.၅ ရှိပြီး ကမ္ဘာ့မာကျောသောစိန် (10) ပြီးလျှင် ဒုတိယအများဆုံးဖြစ်ပြီး အပူစီးကူးမှုအလွန်ကောင်းမွန်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အောက်ဆီဒေးရှင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် အနည်းဆုံး ပုံဆောင်ခဲအမျိုးအစား ၇၀ ရှိသည်။ ပလူတိုနီယမ်-ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ၂၀၀၀ အထက်အပူချိန်တွင် ဖြစ်ပေါ်လာသော အဖြစ်များသော အိုင်ဆိုမာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ခြောက်ထောင့်ပုံသဏ္ဍာန် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ (ဝါ့ဇ်ဇိုက်နှင့်ဆင်တူသည်) ရှိသည်။ လေထုဖိအားအောက်တွင် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် အသုံးချခြင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းကွင်းဆက်တွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုအမှုန့်၊ တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာ၊ epitaxial ပြား၊ ပါဝါအစိတ်အပိုင်းများ၊ မော်ဂျူးထုပ်ပိုးမှုနှင့် terminal အသုံးချမှုများ ပါဝင်သည်။
၁။ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ အလွှာ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ အလွှာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် epitaxial ကြီးထွားမှု အလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ၏ ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများတွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အငွေ့လွှဲပြောင်းနည်းလမ်း (PVT နည်းလမ်း)၊ အရည်အဆင့်နည်းလမ်း (LPE နည်းလမ်း) နှင့် အပူချိန်မြင့် ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်းနည်းလမ်း (HTCVD နည်းလမ်း) တို့ ပါဝင်သည်။ လေထုဖိအားအောက်တွင် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
၂။ Epitaxial sheet ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial sheet၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စာရွက်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအတွက် လိုအပ်ချက်အချို့ရှိသော substrate crystal နှင့် တူညီသောဦးတည်ချက်ရှိသော single crystal film (epitaxial layer)။ လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင်၊ wide band gap semiconductor devices များအားလုံးကို epitaxial layer တွင်ထုတ်လုပ်ပြီး ဆီလီကွန်ချစ်ပ်ကိုယ်တိုင်ကို GaN epitaxial layer ၏ substrate အပါအဝင် substrate အဖြစ်သာအသုံးပြုသည်။
၃။ မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အမှုန့်သည် PVT နည်းလမ်းဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပုံစံတည်းပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားရန်အတွက် ကုန်ကြမ်းဖြစ်ပြီး ထုတ်ကုန်၏သန့်စင်မှုသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပုံစံတည်းပုံဆောင်ခဲ၏ ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးနှင့် လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။
၄။ ပါဝါကိရိယာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ကျယ်ပြန့်သောပါဝါတစ်ခုဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်းနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်တို့၏ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ကိရိယာ၏လည်ပတ်မှုပုံစံအရ SiC ပါဝါထောက်ပံ့ရေးကိရိယာတွင် အဓိကအားဖြင့် ပါဝါဒိုင်အိုဒက်နှင့် ပါဝါခလုတ်ပြွန်တစ်ခုပါဝင်သည်။
၅။ ဂိတ် တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအသုံးချမှုများတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ဖြည့်စွက်ပေးသည့် အားသာချက်ရှိသည်။ SiC စက်ပစ္စည်းများ၏ မြင့်မားသော ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှု၊ အပူပေးမှုနည်းခြင်း၊ အလေးချိန်ပေါ့ပါးခြင်းနှင့် အခြားအားသာချက်များကြောင့် အောက်ပိုင်းစက်မှုလုပ်ငန်း၏ ဝယ်လိုအားသည် ဆက်လက်တိုးပွားနေပြီး SiO2 စက်ပစ္စည်းများကို အစားထိုးရန် လမ်းကြောင်းတစ်ခုရှိသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၁၆ ရက်