Modern C, N, B an aner net-oxidéiert High-Tech-Refraktärmaterialien, Atmosphärendrock-Sintersiliziumcarbid ass extensiv, wirtschaftlech a kann als Schmiergel oder refraktäre Sand bezeechent ginn. Rengt Siliziumcarbid ass e faarflosen transparenten Kristall. Also wat ass d'Materialstruktur an d'Charakteristike vu Siliziumcarbid?
Gesintert Siliziumkarbid ënner Atmosphärendrock
Materialstruktur vu gesintertem Siliziumcarbid ënner Atmosphärendrock:
Dat ënner Atmosphärendrock gesintert Siliziumcarbid, dat an der Industrie benotzt gëtt, ass hellgiel, gréng, blo a schwaarz jee no der Aart an dem Inhalt vun den Ongereinheeten, an d'Reinheet ass ënnerschiddlech an d'Transparenz ass ënnerschiddlech. D'Siliziumcarbid-Kristallstruktur ass a sechswierdeg oder rautefërmeg Plutonium a kubesch Plutonium-SIC opgedeelt. Plutonium-SIC bildt eng Vielfalt vun Deformatiounen wéinst der ënnerschiddlecher Stapelreihenfolge vu Kuelestoff- a Siliziumatome an der Kristallstruktur, a méi wéi 70 Aarte vun Deformatiounen goufen fonnt. Beta-SIC gëtt iwwer 2100 an Alpha-SIC ëmgewandelt. Am industrielle Prozess vu Siliziumcarbid gëtt mat héichwäertege Quarzsand a Petroleumkoks an engem Resistenzuewen raffinéiert. Raffinéiert Siliziumcarbidblöcke ginn zerquetscht, Säure-Basen-Botzen, Magnéitseparatioun, Sifting oder Waasserauswielung fir eng Vielfalt vu Partikelgréissten ze produzéieren.
Materialcharakteristike vu gesintertem Siliziumcarbid ënner Atmosphärendrock:
Siliziumkarbid huet eng gutt chemesch Stabilitéit, Wärmeleitfäegkeet, Wärmeausdehnungskoeffizient a Verschleißbeständegkeet, sou datt et nieft der abrasiver Notzung och vill Uwendungsméiglechkeeten gëtt: Zum Beispill gëtt Siliziumkarbidpulver mat engem spezielle Prozess op der bannenzeger Mauer vum Turbinenlaf oder Zylinderblock beschichtet, wat d'Verschleißbeständegkeet verbessert an d'Liewensdauer ëm 1 bis 2 Mol verlängert. Gemaach aus hëtzebeständegem, klengem Gréisst, liichtem Gewiicht an héijer Stäerkt vun héichwäertege Feierbeständege Materialien, ass d'Energieeffizienz ganz gutt. Nidderegwäertege Siliziumkarbid (dorënner ongeféier 85% SiC) ass en exzellenten Desoxidatiounsmëttel fir d'Geschwindegkeet vun der Stolproduktioun ze erhéijen an d'chemesch Zesummesetzung einfach ze kontrolléieren, fir d'Stolqualitéit ze verbesseren. Zousätzlech gëtt ënner Atmosphärendrock gesintert Siliziumkarbid och wäit verbreet bei der Fabrikatioun vun elektreschen Deeler vu Siliziumkuelestoffstangen agesat.
Siliziumkarbid ass ganz haart. D'Morsehärte ass 9,5, déi zweetgréisst nom haarde Diamant vun der Welt (10), ass e Hallefleeder mat exzellenter Wärmeleitfäegkeet, kann Oxidatioun bei héijen Temperaturen widderstoen. Siliziumkarbid huet op d'mannst 70 Kristalltypen. Plutonium-Siliziumkarbid ass en heefegen Isomer, deen sech bei Temperaturen iwwer 2000 formt an eng hexagonal kristallin Struktur huet (ähnlech wéi Wurtzit). Gesintert Siliziumkarbid ënner Atmosphärendrock
Uwendung vu Siliziumkarbid an der Hallefleederindustrie
D'Siliciumcarbid-Halbleiterindustriekette ëmfaasst haaptsächlech Siliciumcarbid-Héichreinheetspulver, Eenkristallsubstrat, epitaktesch Blieder, Energiekomponenten, Modulverpackungen an Terminalapplikatiounen.
1. Eenzelkristallsubstrat Eenzelkristallsubstrat ass e Hallefleederträgermaterial, e leetfäegt Material an e epitaktisches Wuesssubstrat. Aktuell ëmfaassen d'Wuessmethoden fir SiC-Eenzelkristaller d'physikalesch Dampftransfermethod (PVT-Method), d'Flëssegkeetsphasenmethod (LPE-Method) an d'Héichtemperatur-chemesch Dampfoflagerungsmethod (HTCVD-Method). Sintersiliziumcarbid ënner Atmosphärendrock
2. Epitaxialblech Siliziumkarbid-Epitaxialblech, Siliziumkarbidblech, Eenkristallfilm (Epitaxialschicht) mat der selwechter Richtung wéi de Substratkristall, déi bestëmmt Ufuerderunge fir de Siliziumkarbid-Substrat huet. A prakteschen Uwendungen gi bal all Halbleiterkomponenten mat breeder Bandlück an der epitaxialer Schicht hiergestallt, an de Siliziumchip selwer gëtt nëmmen als Substrat benotzt, inklusiv dem Substrat vun der GaN-Epitaxialschicht.
3. Héichreine Siliziumcarbidpulver Héichreine Siliziumcarbidpulver ass d'Rohmaterial fir de Wuesstum vu Siliziumcarbid-Eenkristaller mat der PVT-Method, an d'Rengheet vum Produkt beaflosst direkt d'Wuesstumsqualitéit an d'elektresch Charakteristike vum Siliziumcarbid-Eenkristall.
4. Den Energieversuergungsapparat ass e Breetband-Energieversuergungsapparat aus Siliziumkarbidmaterial, deen d'Charakteristike vun héijer Temperatur, héijer Frequenz an héijer Effizienz huet. Jee no der Betribsform vum Apparat enthält den SiC-Energieversuergungsapparat haaptsächlech eng Energiediod an e Stroumschalterrouer.
5. Terminal An Uwendungen vun der drëtter Generatioun vun Hallefleeder hunn Siliziumkarbid-Halbleeder de Virdeel, datt se komplementär zu Galliumnitrid-Halbleeder sinn. Wéinst der héijer Konversiounseffizienz, den niddrege Heizcharakteristiken, dem Gewiicht an anere Virdeeler vun de SiC-Komponenten hëlt d'Nofro vun der Downstream-Industrie weider zou, an et gëtt en Trend, SiO2-Komponenten z'ersetzen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. Juni 2023