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ProdottuDdescrizzione
I battelli di wafer in carburo di siliciu sò largamente aduprati cum'è supporti per wafer in u prucessu di diffusione à alta temperatura.
Vantaghji:
Resistenza à alta temperatura:usu nurmale à 1800 ℃
Alta conducibilità termica:equivalente à u materiale di grafite
Alta durezza:durezza seconda solu à u diamante, u nitruru di boru
Resistenza à a corrosione:L'acidu forte è l'alcali ùn anu micca corrosione, a resistenza à a corrosione hè megliu cà u carburu di tungstenu è l'alumina
Pesu ligeru:bassa densità, vicinu à l'aluminiu
Nisuna deformazione: bassu coefficiente di dilatazione termica
Resistenza à i shock termichi:Pò suppurtà cambiamenti bruschi di temperatura, resiste à i shock termichi è hà una prestazione stabile
Proprietà fisiche di SiC
| Pruprietà | Valore | Metudu |
| Densità | 3,21 g/cc | Sink-float è dimensione |
| Calore specificu | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsatu |
| Resistenza à a flessione | 450 MPa560 MPa | Curva à 4 punti, curva à 4 punti RT, 1300° |
| Tenacità à a frattura | 2,94 MPa m1/2 | Microindentazione |
| Durezza | 2800 | Vicker's, carica di 500 g |
| Modulu Elasticu Modulu di Young | 450 GPa430 GPa | Curvatura 4 pt, curvatura RT4 pt, 1300 °C |
| Dimensione di u granu | 2 – 10 µm | SEM |
Proprietà termiche di SiC
| Cunduttività termica | 250 W/m°K | Metudu di u lampu laser, RT |
| Espansione Termica (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Temperatura ambiente à 950 °C, dilatometru di silice |
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