Navio profissional chinês Sic transporta wafers de silício para dentro do tubo do forno de revestimento por difusão de alta temperatura.

Navio profissional chinês Sic transporta wafers de silício para o tubo do forno de revestimento por difusão de alta temperatura. Imagem em destaque.

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ProdutoDdescrição

Os suportes para wafers de carboneto de silício são amplamente utilizados em processos de difusão em altas temperaturas.

Vantagens:

Alta resistência à temperatura:Uso normal a 1800 ℃

Alta condutividade térmica:equivalente ao material de grafite

Alta dureza:Com dureza inferior apenas à do diamante, o nitreto de boro é encontrado no nitreto de boro.

Resistência à corrosão:Ácidos e álcalis fortes não causam corrosão nele; sua resistência à corrosão é superior à do carboneto de tungstênio e da alumina.

Leve:baixa densidade, semelhante ao alumínio

Sem deformação: baixo coeficiente de expansão térmica

Resistência ao choque térmico:Ele pode suportar mudanças bruscas de temperatura, resistir a choques térmicos e possui desempenho estável.

Propriedades físicas do SiC

Propriedade	Valor	Método
Densidade	3,21 g/cc	Flutuador e dimensão
Calor específico	0,66 J/g °K	Flash de laser pulsado
Resistência à flexão	450 MPa 560 MPa	Dobra de 4 pontos, dobra de 4 pontos RT, 1300°
tenacidade à fratura	2,94 MPa m1/2	Microindentação
Dureza	2800	Vickers, carga de 500g
Módulo de elasticidadeMódulo de Young	450 GPa 430 GPa	Dobra de 4 pontos, dobra de 4 pontos RT, 1300 °C
Tamanho do grão	2 – 10 µm	MEV (Microscopia Eletrônica de Varredura)

Propriedades térmicas do SiC

Condutividade térmica	250 W/m °K	Método de flash a laser, RT
Expansão Térmica (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Temperatura ambiente até 950 °C, dilatômetro de sílica