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ProdutoDdescrição
Os barcos de wafer de carboneto de silício são amplamente utilizados como suporte de wafer em processos de difusão de alta temperatura.
Vantagens:
Resistência a altas temperaturas:uso normal a 1800 ℃
Alta condutividade térmica:equivalente ao material de grafite
Alta dureza:dureza superada apenas pelo diamante e nitreto de boro
Resistência à corrosão:Ácidos e álcalis fortes não corroem, a resistência à corrosão é melhor do que carboneto de tungstênio e alumina
Peso leve:baixa densidade, próximo ao alumínio
Sem deformação: baixo coeficiente de expansão térmica
Resistência ao choque térmico:pode suportar mudanças bruscas de temperatura, resistir a choques térmicos e tem desempenho estável
Propriedades físicas do SiC
| Propriedade | Valor | Método |
| Densidade | 3,21 g/cc | Afundar-flutuar e dimensionar |
| Calor específico | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsado |
| Resistência à flexão | 450 MPa 560 MPa | Curvatura de 4 pontos, curvatura de 4 pontos RT, 1300° |
| Tenacidade à fratura | 2,94 MPa m1/2 | Microindentação |
| Dureza | 2800 | Vicker's, carga de 500g |
| Módulo de elasticidadeMódulo de Young | 450 GPa430 GPa | Curvatura de 4 pontos, curvatura RT4 pontos, 1300 °C |
| Tamanho do grão | 2 – 10 µm | SEM |
Propriedades térmicas do SiC
| Condutividade térmica | 250 W/m °K | Método de flash laser, RT |
| Expansão Térmica (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Temperatura ambiente até 950 °C, dilatômetro de sílica |
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