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シリコンカーバイドの技術的な障壁は何ですか?
管理者による 24-05-22
第一世代の半導体材料は、集積回路製造の基盤となる従来のシリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）に代表されます。これらは、低電圧、低周波数、低消費電力のトランジスタや検出器に広く使用されています。半導体製品の90%以上が、現在、シリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）で占められています。
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SiCマイクロパウダーはどのように作られるのでしょうか？
2013年5月24日 adminより
SiC単結晶は、SiとCの2つの元素を1:1の化学量論比で含むIV-IV族化合物半導体材料です。その硬度はダイヤモンドに次ぐものです。SiCを製造するためのシリコン酸化物の炭素還元法は、主に以下の化学反応式に基づいています…
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エピタキシャル層は半導体デバイスにどのように役立つのでしょうか?
2013年5月24日 adminより
エピタキシャルウェーハの名前の由来まず、ウェーハ製造には、基板製造とエピタキシャルプロセスという2つの主要なプロセスが含まれます。基板とは、半導体単結晶材料で作られたウェーハのことです。この基板は、ウェーハ製造工程に直接投入することができます。
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化学蒸着（CVD）薄膜堆積技術の紹介
2006年5月24日 adminより
化学気相成長法（CVD）は重要な薄膜堆積技術であり、さまざまな機能性フィルムや薄層材料の製造によく使用され、半導体製造などの分野で広く利用されています。 1. CVDの動作原理 CVDプロセスでは、ガス前駆体（1つまたは複数の...
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太陽光発電半導体産業の背後にある「黒い金」の秘密：静水圧グラファイトへの欲求と依存
2006年5月24日 adminより
静水圧グラファイトは、太陽光発電や半導体において非常に重要な材料です。中国国内の静水圧グラファイト企業の急速な台頭により、中国における外資系企業の独占状態は打破されました。継続的な独自の研究開発と技術革新により、…
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半導体セラミックス製造におけるグラファイトボートの本質的特性の解明
管理者による 24-04-22
グラファイトボート（グラファイトボートとも呼ばれる）は、半導体セラミックスの製造工程において重要な役割を果たします。これらの特殊な容器は、高温処理中の半導体ウェハの信頼性の高い搬送手段として機能し、正確で制御された処理を保証します。…
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炉管装置の内部構造を詳しく説明します
管理者による 24-04-22
上図は、典型的な前半部分です。 ▪ 加熱要素 (加熱コイル): 炉管の周囲に配置され、通常は抵抗線で作られ、炉管内部を加熱するために使用されます。 ▪ 石英管: 高温酸化炉の芯で、高温に耐えられる高純度の石英で作られています。 ▪ 加熱要素 (加熱コイル): 炉管の周囲に配置され、通常は抵抗線で作られ、炉管内部を加熱するために使用されます。 ▪ 石英管: 高温酸化炉の芯で、高温に耐えられる高純度の石英で作られています。
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SiC基板とエピタキシャル材料がMOSFETデバイス特性に与える影響
2016年4月24日 adminより
三角欠陥三角欠陥は、SiCエピタキシャル層において最も致命的な形態欠陥です。多くの文献では、三角欠陥の形成は3C結晶構造と関連していることが示されています。しかし、成長メカニズムの違いにより、多くの結晶構造において三角欠陥の形態は異なります。
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SiCシリコンカーバイド単結晶の成長
2016年4月24日 adminより
炭化ケイ素は発見以来、広く注目を集めてきました。炭化ケイ素は、Si原子とC原子がそれぞれ半分ずつで構成されており、これらはsp3混成軌道を共有する電子対を介して共有結合しています。単結晶の基本構造単位は、4つのSi原子で構成されています。
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