ニュース

水素エネルギー技術の応用シナリオの紹介
管理者による投稿（2017年9月22日）

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自動原子炉製造プロセス
管理者による投稿（2017年9月22日）
寧波VETエネルギーテクノロジー株式会社は、中国に設立されたハイテク企業であり、先端材料技術と自動車製品に注力しています。当社は自社工場と営業チームを擁する専門メーカー兼サプライヤーです。
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2台の電動真空ポンプがアメリカに出荷された。
管理者による投稿（2014年9月22日）

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グラファイトフェルトはベトナムに出荷された
管理者による投稿（2014年9月22日）

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CVDプロセスにより、グラファイト表面にSiC耐酸化性コーティングを作製した。
管理者による投稿（2014年9月22日）
SiCコーティングは、化学気相成長法（CVD）、前駆体変換法、プラズマスプレー法などによって作製できます。化学気相成長法によって作製されたコーティングは均一で緻密であり、設計性に優れています。シリコン源としてメチルトリクロロシラン（CHzSiCl3、MTS）を使用すると、SiCコーティングを作製できます。
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炭化ケイ素の構造
管理者による投稿（2020年8月22日）
炭化ケイ素の多形体の主な3種類炭化ケイ素には約250種類の結晶形があります。炭化ケイ素は類似した結晶構造を持つ一連の均質な多形体を持つため、均質多結晶体という特徴があります。炭化ケイ素（モサナイト）…
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SiC集積回路の研究状況
管理者による投稿（2023年8月22日）
高電圧、高電力、高周波、高温特性を追求するSiCディスクリートデバイスとは異なり、SiC集積回路の研究目標は主にインテリジェントパワーIC制御回路用の高温デジタル回路を実現することです。SiC集積回路は…
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高温環境におけるSiCデバイスの応用
管理者による投稿（2023年8月22日）
航空宇宙機器や自動車機器では、電子機器は航空機エンジン、自動車エンジン、太陽近傍ミッションの宇宙船、衛星内の高温機器など、高温環境で動作することが多い。通常のSiやGaAsデバイスは、非常に高温では動作しないため、使用すべきではない。
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第三世代半導体表面 - SiC（炭化ケイ素）デバイスとその応用
管理者による投稿（2023年8月22日）
SiCは新しいタイプの半導体材料として、その優れた物理的特性と化学的特性により、短波長光電子デバイス、高温デバイス、耐放射線デバイス、高出力/高電力電子デバイスの製造において最も重要な半導体材料となっています。
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