SiCコーティングは、化学気相成長法(CVD)、前駆体変換法、プラズマスプレー法などによって作製できます。化学気相成長法によって作製されたコーティングは均一で緻密であり、設計性に優れています。シリコン源としてメチルトリクロロシラン(CHzSiCl3、MTS)を使用するCVD法によるSiCコーティングは、このコーティングの応用において比較的成熟した方法です。
SiCコーティングとグラファイトは化学的適合性が良好で、両者の熱膨張係数の差が小さいため、SiCコーティングを使用することでグラファイト材料の耐摩耗性と耐酸化性を効果的に向上させることができます。その中でも、化学量論比、反応温度、希釈ガス、不純物ガスなどの条件は反応に大きな影響を与えます。
投稿日時:2022年9月14日
