Memnûniyeta kirrûbiran armanca bêdawî ya pargîdaniya me ye. Em ê înîsiyatîfên mezin bikin da ku çareseriyên nû û kalîteya bilind bi dest bixin, bi taybetmendiyên we yên taybetî re bicîh bînin û ji bo Berhemên Nû yên Germ, Firna Lûleya CVD ya Bi Plazmaya Pêşkeftî ji bo Depokirina Fîlmên Hişk ên Kalîteya Bilind, dabînkerên pêş-firotanê, di dema firotanê de û piştî firotanê ji we re peyda bikin. Lêpirsîna we bi xêr hatî, karûbarê çêtirîn dê bi dil û can were peyda kirin.
Memnûniyeta kirrûkaran armanca bêdawî ya pargîdaniya me ye. Em ê înîsiyatîfên mezin bikin da ku çareseriyên nû û bi kalîte bilind bi dest bixin, li gorî taybetmendiyên we yên taybet tevbigerin û dabînkerên pêş-firotanê, li ser firotanê û piştî firotanê ji we re peyda bikin.Çîn CVD Tube Furnace û CVD Tube Furnace Kîmyewî Vapor Deposition, Di bazara ku her ku diçe reqabet dibe de, bi xizmeteke samîmî, kelûpelên bi kalîte û navûdengeke baş-layiq, em her gav ji bo bidestxistina hevkariya demdirêj li ser tişt û teknîkan piştgirî didin xerîdaran. Jiyana bi kalîteyê, pêşxistina bi krediyê lêgerîna me ya herheyî ye, Em bi tundî bawer dikin ku piştî serdana we em ê bibin şirîkên demdirêj.
Karbon / kompozîtên karbonê(ji vir û pê ve wekî "C / C an CFC”) cureyekî materyalê kompozît e ku li ser bingeha karbonê ye û bi fîbera karbonê û berhemên wê (pêşforma fîbera karbonê) tê xurtkirin. Hem bêbandoriya karbonê û hem jî hêza bilind a fîbera karbonê heye. Taybetmendiyên mekanîkî yên baş, berxwedana germê, berxwedana korozyonê, şilkirina sürtûnê û taybetmendiyên rêvebirina germî û elektrîkê hene.
CVD-SiCRûpûş xwedî taybetmendiyên avahiya yekreng, materyalê kompakt, berxwedana germahiya bilind, berxwedana oksîdasyonê, paqijiya bilind, berxwedana asîd û alkalî û reaktîfa organîk e, bi taybetmendiyên fîzîkî û kîmyewî yên stabîl.
Li gorî materyalên grafîtê yên paqijiya bilind, grafît di 400°C de dest bi oksîdasyonê dike, ku ev yek dibe sedema windabûna tozê ji ber oksîdasyonê, di encamê de qirêjiya jîngehê ji bo cîhazên periferîk û odeyên valahiyê çêdibe, û qirêjiyên jîngeha paqijiya bilind zêde dibe.
Lêbelê, pêçandina SiC dikare aramiya fîzîkî û kîmyewî li 1600 pileyan biparêze, Ew bi berfirehî di pîşesaziya nûjen de, nemaze di pîşesaziya nîvconductor de, tê bikar anîn.
Şirketa me xizmetên pêvajoya pêçandina SiC bi rêbaza CVD li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silîkonê dihewînin di germahiya bilind de reaksiyon bikin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekul li ser rûyê materyalên pêçandî têne danîn, û qata parastinê ya SIC-ê pêk tînin. SIC-ya ku çêdibe bi zexmî bi bingeha grafîtê ve girêdayî ye, ku taybetmendiyên taybetî dide bingeha grafîtê, bi vî rengî rûyê grafîtê kompakt, bê porozîte, li hember germahiya bilind, li hember korozyonê û li hember oksîdasyonê berxwedan dike.
Taybetmendiyên sereke:
1. Berxwedana oksîdasyonê ya germahiya bilind:
Berxwedana oksîdasyonê hîn jî pir baş e dema ku germahî bigihêje 1600 C.
2. Paqijiya bilind: bi danîna buxara kîmyewî di bin şert û mercên klorînê yên germahiya bilind de tê çêkirin.
3. Berxwedana li hember erozyonê: hişkbûna bilind, rûbera kompakt, perçeyên zirav.
4. Berxwedana li hember korozyonê: asîd, alkalî, xwê û reagentên organîk.
Taybetmendiyên sereke yên pêçanên CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Tîrbûn | (g/cc)
| 3.21 |
| Hêza xwarbûnê | (Mpa)
| 470 |
| Berfirehbûna germî | (10-6/K) | 4
|
| Gehînerîya germî | (W/mK) | 300
|
