Ngahontal kapuasan konsumén mangrupikeun tujuan perusahaan kami anu teu aya tungtungna. Kami bakal ngalakukeun inisiatif anu saé pikeun kéngingkeun solusi énggal sareng kualitas luhur, nyumponan spésifikasi éksklusif anjeun sareng nyayogikeun anjeun panyedia pra-penjualan, penjualan, sareng purna jual pikeun Produk Anyar Panas Tungku Tabung CVD Plasma anu Ditingkatkeun pikeun Déposisi Film Keras Berkualitas Tinggi, Wilujeng sumping patarosan anjeun, layanan anu pangsaéna bakal disayogikeun kalayan sepenuh haté.
Ngawujudkeun kapuasan konsumén mangrupikeun tujuan perusahaan kami anu teu aya tungtungna. Kami bakal ngalakukeun inisiatif anu saé pikeun kéngingkeun solusi énggal sareng kualitas luhur, nyumponan spésifikasi éksklusif anjeun sareng nyayogikeun anjeun jasa pra-penjualan, on-sale, sareng purna jual.Tungku Tabung CVD Cina sareng Déposisi Uap Kimia Tungku Tabung CVD, Dina pasar anu beuki kompetitif, Kalayan jasa anu tulus, barang-barang kualitas luhur, sareng reputasi anu pantes, kami teras-terasan masihan dukungan ka konsumén dina barang sareng téknik pikeun ngahontal kerjasama jangka panjang. Hirup ku kualitas, pamekaran ku kiridit mangrupikeun tujuan kami anu langgeng, Kami yakin pisan yén saatos kunjungan anjeun, kami bakal janten mitra jangka panjang.
Karbon / komposit karbon(salajengna disebut "C / C atanapi CFC”) nyaéta salah sahiji jenis bahan komposit anu dumasar kana karbon sareng dikuatkeun ku serat karbon sareng produkna (serat karbon preform). Éta ngagaduhan inersia karbon sareng kakuatan serat karbon anu luhur. Éta ngagaduhan sipat mékanis anu saé, tahan panas, tahan korosi, redaman gesekan sareng karakteristik konduktivitas termal sareng listrik.
CVD-SiCPalapis ieu mibanda ciri struktur seragam, bahan kompak, résistansi suhu luhur, résistansi oksidasi, kamurnian luhur, résistansi asam & alkali sareng réagen organik, kalayan sipat fisik sareng kimia anu stabil.
Dibandingkeun sareng bahan grafit anu kamurnian luhur, grafit mimiti ngoksidasi dina suhu 400°C, anu bakal nyababkeun leungitna bubuk kusabab oksidasi, anu nyababkeun polusi lingkungan kana alat-alat periferal sareng ruang vakum, sareng ningkatkeun pangotor lingkungan anu kamurnian luhur.
Nanging, palapis SiC tiasa ngajaga stabilitas fisik sareng kimia dina suhu 1600 derajat, Ieu seueur dianggo dina industri modéren, khususna dina industri semikonduktor.
Pausahaan kami nyayogikeun jasa prosés palapis SiC ku metode CVD dina permukaan grafit, keramik sareng bahan sanésna, supados gas khusus anu ngandung karbon sareng silikon réaksi dina suhu anu luhur pikeun kéngingkeun molekul SiC anu luhur, molekul anu diendapkeun dina permukaan bahan anu dilapis, ngabentuk lapisan pelindung SIC. SIC anu kabentuk napel pageuh kana dasar grafit, masihan sipat khusus kana dasar grafit, sahingga ngajantenkeun permukaan grafit kompak, bébas porositas, tahan suhu anu luhur, tahan korosi sareng tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Résistansi oksidasi suhu luhur:
Résistansi oksidasi masih saé pisan nalika suhu naék kana 1600 C.
2. Kamurnian luhur: dijieun ku déposisi uap kimia dina kaayaan klorinasi suhu luhur.
3. Résistansi érosi: karasana luhur, permukaanana kompak, partikelna lemes.
4. Résistansi korosi: réagen asam, alkali, uyah sareng organik.
Spésifikasi Utama Lapisan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kapadetan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kakuatan fléksibel | (Mpa)
| 470 |
| Ékspansi termal | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivitas termal | (L/mK) | 300
|
