Νέα, δημοφιλή προϊόντα, φούρνος σωλήνων CVD με ενίσχυση πλάσματος για εναπόθεση σκληρών μεμβρανών υψηλής ποιότητας

Σύντομη Περιγραφή:


Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η ικανοποίηση των πελατών είναι ο αέναος σκοπός της εταιρείας μας. Θα αναλάβουμε εξαιρετικές πρωτοβουλίες για την απόκτηση νέων και κορυφαίων λύσεων, την κάλυψη των αποκλειστικών σας προδιαγραφών και την παροχή υπηρεσιών πριν από την πώληση, κατά την πώληση και μετά την πώληση για τα νέα προϊόντα φούρνου σωλήνων CVD με ενισχυμένο πλάσμα για την εναπόθεση σκληρών μεμβρανών υψηλής ποιότητας. Καλωσορίζουμε το ερώτημά σας και η καλύτερη εξυπηρέτηση θα σας παρασχεθεί με απόλυτη εχεμύθεια.
Η ικανοποίηση των πελατών είναι ο αέναος σκοπός της εταιρείας μας. Θα αναλάβουμε εξαιρετικές πρωτοβουλίες για να αποκτήσουμε νέες και κορυφαίας ποιότητας λύσεις, να ανταποκριθούμε στις αποκλειστικές σας προδιαγραφές και να σας παρέχουμε υπηρεσίες πριν, κατά την πώληση και μετά την πώληση.Κίνα Φούρνος σωλήνων CVD και χημική εναπόθεση ατμών φούρνου σωλήνων CVD, Στην ολοένα και πιο ανταγωνιστική αγορά, με ειλικρινή εξυπηρέτηση, προϊόντα υψηλής ποιότητας και άξια φήμη, παρέχουμε πάντα στους πελάτες υποστήριξη σε είδη και τεχνικές για την επίτευξη μακροχρόνιας συνεργασίας. Ζώντας με γνώμονα την ποιότητα, η ανάπτυξη με πίστωση είναι η αιώνια επιδίωξή μας. Πιστεύουμε ακράδαντα ότι μετά την επίσκεψή σας θα γίνουμε μακροπρόθεσμοι συνεργάτες.

Περιγραφή προϊόντος

Σύνθετα υλικά άνθρακα / άνθρακα(εφεξής καλούμενο «C / C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ίνες άνθρακα και τα προϊόντα του (προπλάσματα ινών άνθρακα). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ινών άνθρακα. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας.

CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά ομοιόμορφης δομής, συμπαγούς υλικού, αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχής στην οξείδωση, υψηλής καθαρότητας, αντοχής σε οξέα και αλκάλια και οργανικού αντιδραστηρίου, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.

Σε σύγκριση με τα υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400°C, γεγονός που προκαλεί απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και θαλάμους κενού και την αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.

Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 βαθμούς. Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες επικάλυψης SiC με τη μέθοδο CVD στην επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να λάβουν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, τα οποία εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών, σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το σχηματιζόμενο SIC συνδέεται σταθερά με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ειδικές ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.

 Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVD

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

Η αντοχή στην οξείδωση παραμένει πολύ καλή όταν η θερμοκρασία φτάσει τους 1600°C.

2. Υψηλή καθαρότητα: παρασκευάζεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης σε υψηλή θερμοκρασία.

3. Αντίσταση στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: όξινα, αλκαλικά, αλατισμένα και οργανικά αντιδραστήρια.

 

Κύριες προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:

SiC-CVD

Πυκνότητα

(g/cc)

3.21

Αντοχή σε κάμψη

(Μπα)

470

Θερμική διαστολή

(10-6/Κ)

4

Θερμική αγωγιμότητα

(W/mK)

300

Λεπτομερείς εικόνες

Επεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVDΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVDΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVDΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVDΕπεξεργασία επίστρωσης SiC σε επιφανειακούς γραφίτη υποδοχείς MOCVD

Πληροφορίες Εταιρείας

111

Εξοπλισμός εργοστασίου

222

Αποθήκη

333

Πιστοποιήσεις

Πιστοποιήσεις22

 


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Διαδικτυακή συνομιλία μέσω WhatsApp!