Kíkó àwọn oníbàárà ní ìtẹ́lọ́rùn jẹ́ ète ilé-iṣẹ́ wa láìlópin. A ó ṣe àwọn ìgbésẹ̀ tó dára láti gba àwọn ojútùú tuntun àti tó dára jùlọ, láti pàdé àwọn ìlànà pàtàkì rẹ, a ó sì fún ọ ní àwọn olùpèsè títà ṣáájú, títà lórí ọjà àti lẹ́yìn títà fún àwọn ọjà tuntun tí ó gbóná tí a mú dara sí Plasma Enhanced CVD Tube Furnace fún ìfipamọ́ àwọn fíìmù líle tó ga jùlọ. Ẹ káàbọ̀ ìbéèrè yín, iṣẹ́ tó dára jùlọ ni a ó fi gbogbo ọkàn wa ṣe.
Kí àwọn oníbàárà lè ní ìtẹ́lọ́rùn nínú iṣẹ́ wa láìlópin. A ó ṣe àwọn ìgbésẹ̀ tó dára láti gba àwọn ojútùú tuntun àti tó dára jùlọ, láti pàdé àwọn ìlànà pàtàkì rẹ, a ó sì fún ọ ní àwọn olùpèsè tí a ti tà ṣáájú, tí a ti tà ní àkókò títà àti lẹ́yìn títà.Ibùdó Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà ti China CVD Tube Furnace àti CVD Tube FurnaceNínú ọjà tí ń díje sí i, Pẹ̀lú iṣẹ́ tòótọ́ tí ó ní àwọn ọjà tó ga àti orúkọ rere tí ó yẹ, a máa ń fún àwọn oníbàárà ní ìrànlọ́wọ́ lórí àwọn ohun èlò àti ọ̀nà láti ṣàṣeyọrí ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ìgbà pípẹ́. Gbígbé nípa dídára, ìdàgbàsókè nípa gbèsè ni ìlépa wa títí láé, A gbàgbọ́ gidigidi pé lẹ́yìn ìbẹ̀wò rẹ a ó di alábàáṣiṣẹpọ̀ ìgbà pípẹ́.
Àwọn àkópọ̀ erogba / erogba(tí a ń pè ní “"C/C tàbí CFC") jẹ́ irú ohun èlò àdàpọ̀ kan tí a gbé ka orí erogba tí a sì fi okun erogba àti àwọn ọjà rẹ̀ (preform carbon fiber) fún un lágbára. Ó ní inertia ti erogba àti agbára gíga ti okun erogba. Ó ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tí ó dára, resistance ooru, resistance ipata, ideru ìfọ́mọ́ra àti àwọn ànímọ́ conductivity ooru àti itanna.
CVD-SiCìbòrí náà ní àwọn ànímọ́ bí ìṣètò ìṣọ̀kan, ohun èlò kékeré, resistance otutu gíga, resistance oxidation, ìwà mímọ́ gíga, resistance acid & alkali àti reagent organic, pẹ̀lú àwọn ohun-ini ti ara àti kemikali tí ó dúró ṣinṣin.
Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò graphite tí ó mọ́ tónítóní, graphite bẹ̀rẹ̀ sí í bàjẹ́ ní 400C, èyí tí yóò fa pípadánù lulú nítorí ìfọ́sídájú, èyí tí yóò yọrí sí ìbàjẹ́ àyíká sí àwọn ẹ̀rọ àyíká àti àwọn yàrá afẹ́fẹ́, àti pé yóò mú kí àwọn ohun àìmọ́ ti àyíká tí ó mọ́ tónítóní pọ̀ sí i.
Sibẹsibẹ, ibora SiC le ṣetọju iduroṣinṣin ti ara ati kemikali ni awọn iwọn 1600, O ti lo ni ibigbogbo ni ile-iṣẹ ode oni, paapaa ni ile-iṣẹ semiconductor.
Ilé-iṣẹ́ wa ń ṣe iṣẹ́ ìtọ́jú SiC nípasẹ̀ ọ̀nà CVD lórí ojú graphite, àwọn ohun èlò amọ̀ àti àwọn ohun èlò míràn, kí àwọn gáàsì pàtàkì tí ó ní erogba àti silicon lè ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga láti gba àwọn ohun èlò SiC mímọ́ tó ga, àwọn ohun èlò tí a gbé sórí ojú àwọn ohun èlò tí a fi bo, tí wọ́n sì ń ṣe àkójọ ààbò SIC. SIC tí a ṣe ni a so mọ́ ìpìlẹ̀ graphite dáadáa, tí ó fún ìpìlẹ̀ graphite ní àwọn ànímọ́ pàtàkì, nípa bẹ́ẹ̀, ó ń jẹ́ kí ojú graphite náà jẹ́ kékeré, láìsí Porosity, resistance otutu gíga, resistance ipata àti resistance oxidation.
Awọn ẹya pataki:
1. Agbara ifoyina otutu giga:
Agbara oxidation naa tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1600 C.
2. Ìmọ́tótó gíga: tí a ṣe nípasẹ̀ ìforúkọsílẹ̀ èéfín kẹ́míkà lábẹ́ ipò chlorine tí ó wà ní iwọ̀n otútù gíga.
3. Àìlègbé ìfọ́: líle gíga, ojú tí ó kéré, àwọn pàtákì díẹ̀.
4. Àìlera ìbàjẹ́: ásíìdì, alkali, iyọ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣàn ara.
Àwọn Ìlànà Pàtàkì ti Àwọn Àwọ̀ CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ìwọ̀n | (g/cc)
| 3.21 |
| Agbára ìrọ̀rùn | (Mpa)
| 470 |
| Ìfẹ̀sí ooru | (10-6/K) | 4
|
| Agbara itusilẹ ooru | (W/mK) | 300
|
