କ୍ରେତାଙ୍କ ପରିପୂର୍ଣ୍ଣତା ହାସଲ କରିବା ହେଉଛି ଆମ କମ୍ପାନୀର ଅଶେଷ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ। ଆମେ ନୂତନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସମାଧାନ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଚମତ୍କାର ପଦକ୍ଷେପ ନେବୁ, ଆପଣଙ୍କର ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ପୂରଣ କରିବୁ ଏବଂ ଆପଣଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା କଠିନ ଫିଲ୍ମ ଜମା କରିବା ପାଇଁ ହଟ୍ ନୂତନ ଉତ୍ପାଦ ପ୍ଲାଜମା ଉନ୍ନତ CVD ଟ୍ୟୁବ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ପାଇଁ ପୂର୍ବ-ବିକ୍ରୟ, ବିକ୍ରୟ ଏବଂ ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରଦାନକାରୀ ପ୍ରଦାନ କରିବୁ, ଆପଣଙ୍କର ପ୍ରଶ୍ନକୁ ସ୍ୱାଗତ, ପୂର୍ଣ୍ଣ ହୃଦୟ ସହିତ ସର୍ବୋତ୍ତମ ସେବା ପ୍ରଦାନ କରାଯିବ।
କ୍ରେତାଙ୍କ ସନ୍ତୁଷ୍ଟି ହାସଲ କରିବା ହେଉଛି ଆମ କମ୍ପାନୀର ଅନନ୍ତ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ। ଆମେ ନୂତନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସମାଧାନ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଚମତ୍କାର ପଦକ୍ଷେପ ନେବୁ, ଆପଣଙ୍କର ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ପୂରଣ କରିବୁ ଏବଂ ଆପଣଙ୍କୁ ପୂର୍ବ-ବିକ୍ରୟ, ବିକ୍ରୟ ଏବଂ ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରଦାନକାରୀ ପ୍ରଦାନ କରିବୁ।ଚୀନ୍ ସିଭିଡି ଟ୍ୟୁବ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଏବଂ ସିଭିଡି ଟ୍ୟୁବ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା, କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ପ୍ରତିଯୋଗିତାମୂଳକ ବଜାରରେ, ଆନ୍ତରିକ ସେବା ଉଚ୍ଚମାନର ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଭଲ ଖ୍ୟାତି ସହିତ, ଆମେ ସର୍ବଦା ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ସହଯୋଗ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଜିନିଷ ଏବଂ କୌଶଳ ଉପରେ ସମର୍ଥନ ଦେଉଛୁ। ଗୁଣବତ୍ତା ଦ୍ୱାରା ବଞ୍ଚିବା, କ୍ରେଡିଟ୍ ଦ୍ୱାରା ବିକାଶ ଆମର ଅନନ୍ତ ଲକ୍ଷ୍ୟ, ଆମେ ଦୃଢ଼ ଭାବରେ ବିଶ୍ୱାସ କରୁ ଯେ ଆପଣଙ୍କ ଗସ୍ତ ପରେ ଆମେ ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ସହଯୋଗୀ ହୋଇଯିବୁ।
କାର୍ବନ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍(ଏଠାରେ " ଭାବରେ ଉଲ୍ଲେଖ କରାଯାଇଛି"ସି / ସି କିମ୍ବା ସିଏଫସି") ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକାରର ଯୌଗିକ ସାମଗ୍ରୀ ଯାହା କାର୍ବନ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଏବଂ କାର୍ବନ ଫାଇବର ଏବଂ ଏହାର ଉତ୍ପାଦ (କାରବନ ଫାଇବର ପ୍ରିଫର୍ମ) ଦ୍ୱାରା ବଳବତ୍ତର। ଏଥିରେ କାର୍ବନର ଜଡ଼ତା ଏବଂ କାର୍ବନ ଫାଇବରର ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଉଭୟ ଅଛି। ଏଥିରେ ଭଲ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ, ଉତ୍ତାପ ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷରଣ ପ୍ରତିରୋଧ, ଘର୍ଷଣ ଡମ୍ପିଂ ଏବଂ ତାପଜ ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହୀତା ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ରହିଛି।
CVD-SiCNameଆବରଣରେ ସମାନ ଗଠନ, ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ସାମଗ୍ରୀ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଏସିଡ୍ ଏବଂ କ୍ଷାର ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଜୈବ ପ୍ରତିରୋଧକ, ସ୍ଥିର ଭୌତିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଗୁଣ ରହିଛି।
ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ 400C ରେ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ହେବା ଆରମ୍ଭ କରେ, ଯାହା ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ଯୋଗୁଁ ପାଉଡରର କ୍ଷତି ଘଟାଇବ, ଯାହା ଫଳରେ ପରିଧିୟ ଉପକରଣ ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ ପରିବେଶ ପ୍ରଦୂଷଣ ହେବ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ପରିବେଶର ଅଶୁଦ୍ଧତା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବ।
ତଥାପି, SiC ଆବରଣ ୧୬୦୦ ଡିଗ୍ରୀରେ ଭୌତିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖିପାରେ, ଏହା ଆଧୁନିକ ଶିଳ୍ପରେ, ବିଶେଷକରି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଶିଳ୍ପରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
ଆମର କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଦ୍ଵାରା କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଯୁକ୍ତ ବିଶେଷ ଗ୍ୟାସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବରଣଯୁକ୍ତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ SIC ସୁରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ କରେ। ଗଠିତ SIC ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଆଧାର ସହିତ ଦୃଢ଼ ଭାବରେ ବନ୍ଧିତ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଆଧାରକୁ ବିଶେଷ ଗୁଣ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଏହିପରି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ର ପୃଷ୍ଠକୁ ସଂକୁଚିତ, ପୋରୋସିଟି-ମୁକ୍ତ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କରିଥାଏ।
ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:
1. ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ:
୧୬୦୦ ସେଲସିୟସ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପମାତ୍ରା ଥିଲେ ମଧ୍ୟ ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଭଲ ରହିଥାଏ।
2. ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଲୋରିନେସନ ଅବସ୍ଥାରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ।
3. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା, ସଂକୁଚିତ ପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା।
୪. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜୈବ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାକାରୀ।
CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ:
| SiC-CVD | ||
| ଘନତ୍ୱ | (ଗ୍ରା/ସିସି)
| ୩.୨୧ |
| ନମନୀୟ ଶକ୍ତି | (ଏମ୍ପିଏ)
| ୪୭୦ |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର | (୧୦-୬/କେ) | 4
|
| ତାପଜ ପରିବାହୀତା | (ୱାଟ୍/ମାଲିକେ) | ୩୦୦
|
