Klientide rahulolu saavutamine on meie ettevõtte lõputu eesmärk. Teeme suurepäraseid algatusi uute ja tippkvaliteediga lahenduste leidmiseks, vastame teie eksklusiivsetele spetsifikatsioonidele ning pakume teile müügieelset, müügi- ja müügijärgset teenust uute toodete jaoks, mis on mõeldud plasmaga täiustatud CVD-toruahjude jaoks kvaliteetsete kõvade kilede sadestamiseks. Tere tulemast teie päringule, pakume parimat teenindust täie südamega.
Klientide rahulolu saavutamine on meie ettevõtte lõputu eesmärk. Teeme suurepäraseid algatusi uute ja tippkvaliteediga lahenduste leidmiseks, vastame teie eksklusiivsetele spetsifikatsioonidele ning pakume teile müügieelset, müügi ajal ja müügijärgset teenust.Hiina CVD toruahi ja CVD toruahju keemiline aurustamine-sadestamineÜha konkurentsitihedamal turul pakume siirast teenindust, kvaliteetseid kaupu ja teenitud mainet ning alati tuge klientidele toodete ja tehnikate osas, et saavutada pikaajaline koostöö. Kvaliteedi järgi elamine ja krediidi arendamine on meie igavene püüdlus. Usume kindlalt, et pärast teie külastust saavad meist pikaajalised partnerid.
Süsinik/süsinikkomposiidid(edaspidi „C / C või CFC”) on süsinikul põhinev komposiitmaterjal, mida tugevdab süsinikkiud ja selle tooted (süsinikkiust toorikud). Sellel on nii süsiniku inerts kui ka süsinikkiu kõrge tugevus. Sellel on head mehaanilised omadused, kuumakindlus, korrosioonikindlus, hõõrdumise summutamine ning soojus- ja elektrijuhtivus.
CVD-SiCKattel on ühtlase struktuuri, kompaktse materjali, kõrge temperatuurikindluse, oksüdatsioonikindluse, kõrge puhtusastme, happe- ja leeliskindluse ning orgaanilise reaktiivi omadused, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.
Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma temperatuuril 400 °C, mis põhjustab pulbri kadu oksüdeerumise tõttu, mille tulemuseks on keskkonnareostus välisseadmetes ja vaakumkambrites ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite suurenemine.
SiC-kate suudab siiski säilitada füüsikalise ja keemilise stabiilsuse 1600 kraadi juures. Seda kasutatakse laialdaselt tänapäeva tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.
Meie ettevõte pakub grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale CVD-meetodil ränikarbiidi (SiC) katmisprotsessi teenuseid, mille käigus süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, saades kõrge puhtusastmega ränikarbiidi (SiC) molekule. Molekulid ladestuvad kaetud materjalide pinnale, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC seob end kindlalt grafiidi aluspinnaga, andes grafiidi aluspinnale erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, kõrgele temperatuurile vastupidavaks, korrosioonikindlaks ja oksüdatsioonikindlaks.
Peamised omadused:
1. Kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus:
Oksüdatsioonikindlus on endiselt väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 °C.
2. Kõrge puhtusaste: valmistatud keemilise aurustamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: hape, leelis, sool ja orgaanilised reagendid.
CVD-SIC-katete peamised spetsifikatsioonid:
| SiC-CVD | ||
| Tihedus | (g/cm³)
| 3.21 |
| Paindetugevus | (MPa)
| 470 |
| Soojuspaisumine | (10-6/K) | 4
|
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300
|
