Firotina bi toptan a epitaksiyal a li ser bingeha GaN-ê ya OEM/ODM li ser substratên Sic 4′′

Wêneya Taybetmendî ya 4′′ GaN-Basedepitaxial OEM/ODM Bi Toptan

Danasîna Kurt:

Hilgirên wafer ên ku di pêvajoya mezinbûna epitaksiyal de têne bikar anîn divê li germahiyên bilind û paqijkirina kîmyewî ya dijwar bisekinin. Sûsceptorên CoorsTek Clear Carbon™ bi taybetî ji bo van sepanên alavên epitaksiyal ên dijwar hatine çêkirin. Avakirina wan a grafîtê ya bi silîkon karbîd (SiC) ya bi paqijiya bilind pêçayî berxwedana germê ya bilind, yekrengiya germî ya tewra ji bo stûriya û berxwedana qata epi ya domdar, û berxwedana kîmyewî ya domdar peyda dike. Pêçandina krîstala SiC ya nazik rûyek paqij û nerm peyda dike, ku ji bo destgirtinê girîng e ji ber ku waferên bêkêmasî li gelek xalan li seranserê qada xwe bi susceptor re têkilî datînin.

Ji me re e-nameyek bişînin Dakêşin wek PDF

Hûrguliyên Berhemê

Etîketên Berheman

Bi rastî jî ev rêbazek baş e ji bo pêşxistina berhem û çareseriyên me û tamîrkirinê. Divê mîsyona me ew be ku em berhem û çareseriyên xeyalî ji bo xerîdaran bi karanîna ezmûnek xebatê ya fantastîk ji bo Firotina Bi Komî ya OEM/ODM GaN-Basedepitaxial li ser Substratên Sic 4′′ hilberînin. Em li ser avakirina marqeya xwe û bi gelek alavên îfadeya xwedî ezmûn û alavên pola yekem re disekinin. Kelûpelên me hêjayî we ne.
Bi rastî, ew rêbazek baş e ji bo pêşxistina berhem û çareseriyên me û tamîrkirinê. Divê mîsyona me ew be ku em berhem û çareseriyên xeyalî ji xerîdaran re bi karanîna ezmûnek xebatê ya fantastîk hilberînin.Substratên GaN yên Çînê û Fîlmê GaNBi cûrbecûr berhemên me, bi qalîteya baş, bihayên maqûl û sêwiranên şêwazdar, kelûpelên me bi berfirehî di pîşesaziyên bedewiyê û yên din de têne bikar anîn. Berhem û çareseriyên me ji hêla bikarhêneran ve bi berfirehî têne nasîn û bawerî pê tê anîn û dikarin hewcedariyên aborî û civakî yên ku her tim diguherin bicîh bînin.

Grafîta pêçandina SiC MOCVD hilgirên Wafer

Hemû sûsceptorên me ji grafîta îzostatîk a bi hêza bilind têne çêkirin. Ji paqijiya bilind a grafîtên me sûd werbigirin - ku bi taybetî ji bo pêvajoyên dijwar ên wekî epitaksî, mezinbûna krîstalan, çandina îyonan û gravkirina plazmayê, û her weha ji bo hilberîna çîpên LED-ê hatine pêşxistin.

Danasîna Berhemê
Pêçandina SiC ya substrata grafîtê ji bo sepanên nîvconductor perçeyek bi paqijiyek bilind û berxwedana li hember atmosfera oksîdasyonê çêdike.
CVD SiC an CVI SiC li ser Grafîtê perçeyên bi sêwirana sade an tevlihev tê sepandin. Rûpûşkirin dikare bi qalindahiyên cûda û li ser perçeyên pir mezin were sepandin.

Compon

Grafîta pêçandina SiC MOCVD hilgirên Wafer

Avantajên taybetî yên süsceptorên grafîtê yên bi pêçandina SiC-ê paqijiya pir bilind, pêçandina homojen û temenê karûbarê hêja ne. Her wiha berxwedana wan a kîmyewî û taybetmendiyên aramiya germî yên bilind hene.

Em dema ku pêça SiC tê sepandin, toleransên pir nêzîk diparêzin, bi karanîna makînekirina rastbûna bilind da ku profîlek wergirê yekreng peyda bikin. Her weha em materyalên bi taybetmendiyên berxwedana elektrîkê yên îdeal ji bo karanîna di pergalên bi germkirina înduksîyonê de hildiberînin. Hemî pêkhateyên qedandî bi sertîfîkayek paqijî û lihevhatina pîvanan têne.

Bikaranînî:

Taybetmendî:
· Berxwedana Şoka Germahî ya Hêja
· Berxwedana Şoka Fizîkî ya Hêja
· Berxwedana Kîmyewî ya Hêja
· Paqijiya Zêde Bilind
· Berdestbûn di Şiklê Aloz de
· Di bin Atmosfera Oksîdasyonê de tê bikaranînTaybetmendiyên Tîpîk ên Materyalê Grafîtê yê Bingehîn:

Tîrbûna Xuya:	1.85 g/cm3
Berxwedana Elektrîkê:	11 μΩm
Hêza Bertengbûnê:	49 MPa (500kgf/cm2)
Hişkbûna Kêlekê:	58
Xwelî:	<5ppm
Gehîneriya Termal:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Bi rastî jî ev rêbazek baş e ji bo pêşxistina berhem û çareseriyên me û tamîrkirinê. Divê mîsyona me ew be ku em berhem û çareseriyên xeyalî ji bo xerîdaran bi karanîna ezmûnek xebatê ya fantastîk ji bo Firotina Bi Komî ya OEM/ODM GaN-Basedepitaxial li ser Substratên Sic 4′′ hilberînin. Em li ser avakirina marqeya xwe û bi gelek alavên îfadeya xwedî ezmûn û alavên pola yekem re disekinin. Kelûpelên me hêjayî we ne.
OEM/ODM ya bi toptanSubstratên GaN yên Çînê û Fîlmê GaNBi cûrbecûr berhemên me, bi qalîteya baş, bihayên maqûl û sêwiranên şêwazdar, kelûpelên me bi berfirehî di pîşesaziyên bedewiyê û yên din de têne bikar anîn. Berhem û çareseriyên me ji hêla bikarhêneran ve bi berfirehî têne nasîn û bawerî pê tê anîn û dikarin hewcedariyên aborî û civakî yên ku her tim diguherin bicîh bînin.