Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione duveria esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginativi per i clienti utilizendu una sperienza di travagliu fantastica per OEM / ODM GaN-Basedepitaxial Wholesale on Sic Substrates 4′′, Ci concentremu nantu à a custruzzione di a nostra propria marca è in cumbinazione cù numerosi spressioni sperimentate è equipaggiamenti di prima classe. I nostri prudutti chì valenu a pena avè.
Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione deve esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginative per i clienti aduprendu una sperienza di travagliu fantastica perSubstrati di GaN è film di GaN in CinaCù una larga gamma, una bona qualità, prezzi ragiunevuli è disinni eleganti, i nostri prudutti sò largamente aduprati in a bellezza è in altre industrie. I nostri prudutti è suluzioni sò largamente ricunnisciuti è fidati da l'utilizatori è ponu risponde à i bisogni ecunomichi è suciali in continua evoluzione.
Rivestimentu di SiC grafite MOCVD Wafer carriers
Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostatica d'alta resistenza. Prufittate di l'alta purezza di e nostre grafite - sviluppate apposta per prucessi difficili cum'è l'epitassia, a crescita di cristalli, l'impiantu ionicu è l'incisione à plasma, è ancu per a pruduzzione di chip LED.
Descrizzione di u produttu
U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.
Compon

I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.
Mantenemu tolleranze assai strette quandu applichemu u rivestimentu di SiC, aduprendu una machinazione di alta precisione per assicurà un prufilu di suscettore uniforme. Pruducemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi riscaldati induttivamente. Tutti i cumpunenti finiti sò furniti cù un certificatu di purezza è di cunfurmità dimensionale.
Applicazione:
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
· Adupràbile sottu atmosfera ossidanteProprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Resistenza à a flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Cendra: | <5 ppm |
| Cunduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione duveria esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginativi per i clienti utilizendu una sperienza di travagliu fantastica per OEM / ODM GaN-Basedepitaxial Wholesale on Sic Substrates 4′′, Ci concentremu nantu à a custruzzione di a nostra propria marca è in cumbinazione cù numerosi spressioni sperimentate è equipaggiamenti di prima classe. I nostri prudutti chì valenu a pena avè.
OEM/ODM à l'ingrossuSubstrati di GaN è film di GaN in CinaCù una larga gamma, una bona qualità, prezzi ragiunevuli è disinni eleganti, i nostri prudutti sò largamente aduprati in a bellezza è in altre industrie. I nostri prudutti è suluzioni sò largamente ricunnisciuti è fidati da l'utilizatori è ponu risponde à i bisogni ecunomichi è suciali in continua evoluzione.
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