Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione duveria esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginativi per i clienti utilizendu una sperienza di travagliu fantastica per OEM / ODM GaN-Basedepitaxial Wholesale on Sic Substrates 4′′, Ci concentremu nantu à a custruzzione di a nostra propria marca è in cumbinazione cù numerosi spressioni sperimentate è equipaggiamenti di prima classe. I nostri prudutti chì valenu a pena avè.
Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione deve esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginative per i clienti aduprendu una sperienza di travagliu fantastica perSubstrati di GaN è film di GaN in CinaCù una larga gamma, una bona qualità, prezzi ragiunevuli è disinni eleganti, i nostri prudutti sò largamente aduprati in a bellezza è in altre industrie. I nostri prudutti è suluzioni sò largamente ricunnisciuti è fidati da l'utilizatori è ponu risponde à i bisogni ecunomichi è suciali in continua evoluzione.
Rivestimentu di SiC grafite MOCVD Wafer carriers
Tutti i nostri suscettori sò fatti di grafite isostatica d'alta resistenza. Prufittate di l'alta purezza di e nostre grafite - sviluppate apposta per prucessi difficili cum'è l'epitassia, a crescita di cristalli, l'impiantu ionicu è l'incisione à plasma, è ancu per a pruduzzione di chip LED.
Descrizzione di u produttu
U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.
Compon

I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.
Mantenemu tolleranze assai strette quandu applichemu u rivestimentu SiC, aduprendu una machinazione d'alta precisione per assicurà un prufilu di suscettore uniforme. Pruducemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi riscaldati induttivamente. Tutti i cumpunenti finiti sò furniti cù un certificatu di purezza è di cunfurmità dimensionale.
Applicazione:
Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
· Adupràbile sottu atmosfera ossidanteProprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Resistenza à a flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Cendra: | <5 ppm |
| Cunduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Hè in realtà un bonu modu per rinfurzà i nostri prudutti è suluzioni è riparazioni. A nostra missione duveria esse di pruduce prudutti è suluzioni imaginativi per i clienti utilizendu una sperienza di travagliu fantastica per OEM / ODM GaN-Basedepitaxial Wholesale on Sic Substrates 4′′, Ci concentremu nantu à a custruzzione di a nostra propria marca è in cumbinazione cù numerosi spressioni sperimentate è equipaggiamenti di prima classe. I nostri prudutti chì valenu a pena avè.
OEM/ODM à l'ingrossuSubstrati di GaN è film di GaN in CinaCù una larga gamma, una bona qualità, prezzi ragiunevuli è disinni eleganti, i nostri prudutti sò largamente aduprati in a bellezza è in altre industrie. I nostri prudutti è suluzioni sò largamente ricunnisciuti è fidati da l'utilizatori è ponu risponde à i bisogni ecunomichi è suciali in continua evoluzione.
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