Großhandel OEM/ODM GaN-basiert, epitaktisch auf SiC-Substraten 4′′

Kurze Beschreibung:

Waferträger für epitaktische Wachstumsverfahren müssen hohen Temperaturen und aggressiven chemischen Reinigungen standhalten. CoorsTek Clear Carbon™ Suszeptoren wurden speziell für diese anspruchsvollen Epitaxieanwendungen entwickelt. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für konstante Epitaxieschichtdicke und -beständigkeit sowie dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, die für die Handhabung entscheidend ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über die gesamte Fläche berühren.


Produktdetail

Produkt Tags

Dies ist eine gute Möglichkeit, unsere Produkte, Lösungen und Reparaturen zu verbessern. Unsere Mission ist es, innovative Produkte und Lösungen für unsere Kunden zu entwickeln und dabei eine fantastische Erfahrung im Großhandel mit OEM/ODM-GaN-basierten Epitaxie-Systemen auf SiC-Substraten 4 zu bieten. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau einer eigenen Marke und kombinieren dies mit zahlreichen erfahrenen Experten und erstklassiger Ausrüstung. Unsere Produkte sind für Sie wertvoll.
Es ist tatsächlich eine gute Möglichkeit, unsere Produkte und Lösungen zu verbessern und zu reparieren. Unsere Mission sollte es sein, einfallsreiche Produkte und Lösungen für Kunden zu entwickeln, die ein fantastisches Arbeitserlebnis bieten.China GaN-Substrate und GaN-FilmDank unserer großen Auswahl, der guten Qualität, den angemessenen Preisen und dem stilvollen Design finden unsere Waren breite Anwendung in der Schönheitsbranche und anderen Branchen. Unsere Produkte und Lösungen genießen bei den Anwendern breite Anerkennung und das Vertrauen der Anwender und können den sich ständig ändernden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Bedürfnissen gerecht werden.

SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – entwickelt speziell für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzen sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Durch die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen entsteht ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

 

Komponente

SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind ihre extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und hervorragende Lebensdauer. Zudem zeichnen sie sich durch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.

Wir gewährleisten beim Auftragen der SiC-Beschichtung sehr enge Toleranzen und durch hochpräzise Bearbeitung ein gleichmäßiges Suszeptorprofil. Darüber hinaus produzieren wir Materialien mit optimalen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßhaltigkeitszertifikat geliefert.

Anwendung:

2

Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:

Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm³
Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-Härte: 58
Asche: <5 ppm
Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Dies ist eine gute Möglichkeit, unsere Produkte, Lösungen und Reparaturen zu verbessern. Unsere Mission ist es, innovative Produkte und Lösungen für unsere Kunden zu entwickeln und dabei eine fantastische Erfahrung im Großhandel mit OEM/ODM-GaN-basierten Epitaxie-Systemen auf SiC-Substraten 4 zu bieten. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau einer eigenen Marke und kombinieren dies mit zahlreichen erfahrenen Experten und erstklassiger Ausrüstung. Unsere Produkte sind für Sie wertvoll.
Großhandel OEM/ODMChina GaN-Substrate und GaN-FilmDank unserer großen Auswahl, der guten Qualität, den angemessenen Preisen und dem stilvollen Design finden unsere Waren breite Anwendung in der Schönheitsbranche und anderen Branchen. Unsere Produkte und Lösungen genießen bei den Anwendern breite Anerkennung und das Vertrauen der Anwender und können den sich ständig ändernden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Bedürfnissen gerecht werden.


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