Atacado OEM/ODM GaN-Based Depitaxial em substratos de Sic 4′′

Descrição curta:

Os suportes de wafer utilizados no processamento de crescimento epitaxial devem suportar altas temperaturas e limpeza química rigorosa. Os susceptores CoorsTek Clear Carbon™ são projetados especificamente para essas aplicações exigentes de equipamentos de epitaxia. Sua construção revestida com grafite de carboneto de silício (SiC) de alta pureza oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi, além de resistência química duradoura. O revestimento fino de cristais de SiC proporciona uma superfície limpa e lisa, essencial para o manuseio, visto que os wafers puros entram em contato com o susceptor em diversos pontos de toda a sua área.


Detalhes do produto

Etiquetas de produtos

Na verdade, é uma ótima maneira de impulsionar nossos produtos, soluções e reparos. Nossa missão é produzir produtos e soluções criativos para clientes, utilizando uma experiência fantástica para substratos de 4" baseados em GaN, OEM/ODM, no atacado. Nosso foco é construir nossa própria marca, em combinação com uma vasta experiência e equipamentos de primeira classe. Nossos produtos são valiosos para você.
Na verdade, é uma ótima maneira de impulsionar nossos produtos e soluções e repará-los. Nossa missão é produzir produtos e soluções criativos para os clientes, proporcionando uma experiência fantástica para eles.Substratos e filmes de GaN da ChinaCom ampla variedade, boa qualidade, preços acessíveis e designs elegantes, nossos produtos são amplamente utilizados na indústria da beleza e em outras áreas. Nossos produtos e soluções são amplamente reconhecidos e confiáveis ​​pelos usuários, atendendo às necessidades econômicas e sociais em constante mudança.

Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC

Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostático de alta resistência. Beneficie-se da alta pureza dos nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação de plasma, bem como para a produção de chips de LED.

Descrição do produto
O revestimento de SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.

 

Composto

Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito rigorosas na aplicação do revestimento de SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades ideais de resistência elétrica para uso em sistemas aquecidos por indução. Todos os componentes acabados possuem um certificado de pureza e conformidade dimensional.

Aplicativo:

2

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidantePropriedades típicas do material de grafite base:

Densidade aparente: 1,85 g/cm3
Resistividade elétrica: 11 μΩm
Resistência à flexão: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureza Shore: 58
Cinzas: <5 ppm
Condutividade térmica: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

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