Atacado OEM/ODM de GaN depitaxial em substratos de SiC de 4 polegadas

Atacado OEM/ODM de células epitaxiais de GaN em substratos de SiC de 4 polegadas (imagem em destaque)

Descrição resumida:

Os suportes de wafers usados no processamento de crescimento epitaxial devem suportar altas temperaturas e limpeza química agressiva. Os susceptores CoorsTek Clear Carbon™ são projetados especificamente para essas exigentes aplicações em equipamentos de epitaxia. Sua construção em grafite revestida com carbeto de silício (SiC) de alta pureza proporciona resistência térmica superior, uniformidade térmica para espessura e resistência consistentes da camada epitaxial e resistência química durável. O revestimento fino de cristal de SiC proporciona uma superfície limpa e lisa, essencial para o manuseio, visto que os wafers em perfeito estado entram em contato com o susceptor em diversos pontos ao longo de toda a sua superfície.

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Detalhes do produto

Etiquetas do produto

Na verdade, é uma ótima maneira de impulsionar nossos produtos, soluções e serviços de reparo. Nossa missão é produzir produtos e soluções inovadoras para clientes, proporcionando uma experiência de trabalho excepcional para OEM/ODM de GaN-Based depitaxial em substratos de SiC de 4". Nosso foco é construir uma marca própria, aliada a uma vasta experiência e equipamentos de ponta. Nossos produtos valem a pena.
Na verdade, é uma ótima maneira de impulsionar nossos produtos, soluções e serviços de reparo. Nossa missão deve ser criar produtos e soluções inovadoras para os clientes, proporcionando uma experiência de trabalho fantástica.Substratos de GaN e filmes de GaN da ChinaCom uma ampla variedade, alta qualidade, preços acessíveis e designs elegantes, nossos produtos são amplamente utilizados nos setores de beleza e outros. Nossos produtos e soluções são amplamente reconhecidos e confiáveis pelos usuários, atendendo às necessidades econômicas e sociais em constante mudança.

Suportes de wafer de grafite com revestimento de SiC MOCVD

Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostático de alta resistência. Beneficie da alta pureza dos nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação a plasma, bem como para a produção de chips de LED.

Descrição do produto
O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Compon

Suportes de wafer de grafite com revestimento de SiC MOCVD

As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito rigorosas na aplicação do revestimento de SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil uniforme do susceptor. Também produzimos materiais com propriedades de resistência elétrica ideais para uso em sistemas de aquecimento indutivo. Todos os componentes acabados são acompanhados de um certificado de pureza e conformidade dimensional.

Aplicativo:

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.Propriedades típicas do material base de grafite:

Densidade aparente:	1,85 g/cm³
Resistividade elétrica:	11 μΩm
Resistência à flexão:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Dureza da costa:	58
Cinzas:	<5 ppm
Condutividade térmica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Na verdade, é uma ótima maneira de impulsionar nossos produtos, soluções e serviços de reparo. Nossa missão é produzir produtos e soluções inovadoras para clientes, proporcionando uma experiência de trabalho excepcional para OEM/ODM de GaN-Based depitaxial em substratos de SiC de 4". Nosso foco é construir uma marca própria, aliada a uma vasta experiência e equipamentos de ponta. Nossos produtos valem a pena.
Atacado OEM/ODMSubstratos de GaN e filmes de GaN da ChinaCom uma ampla variedade, alta qualidade, preços acessíveis e designs elegantes, nossos produtos são amplamente utilizados nos setores de beleza e outros. Nossos produtos e soluções são amplamente reconhecidos e confiáveis pelos usuários, atendendo às necessidades econômicas e sociais em constante mudança.