Es una excelente manera de mejorar nuestros productos, soluciones y reparaciones. Nuestra misión es ofrecer productos innovadores a nuestros clientes, con una excelente experiencia en la venta al por mayor de sustratos de SIC de 4" basados en GaN y de pitaxial basado en GaN. Nos centramos en el desarrollo de nuestra propia marca, en combinación con una amplia experiencia y equipos de primera clase. Nuestros productos son una inversión que usted merece.
De hecho, es una buena manera de mejorar nuestros productos y servicios. Nuestra misión es ofrecer productos y servicios innovadores a nuestros clientes, brindándoles una experiencia fantástica.Sustratos y películas de GaN de ChinaCon una amplia gama, excelente calidad, precios razonables y diseños elegantes, nuestros productos se utilizan ampliamente en la industria de la belleza y otras industrias. Nuestros productos y soluciones gozan de un amplio reconocimiento y confianza entre los usuarios, satisfaciendo así las necesidades económicas y sociales en constante evolución.
Recubrimiento de SiC, grafito MOCVD, portadores de obleas
Todos nuestros susceptores están fabricados con grafito isostático de alta resistencia. Benefíciese de la alta pureza de nuestros grafitos, desarrollados especialmente para procesos complejos como la epitaxia, el crecimiento de cristales, la implantación de iones y el grabado por plasma, así como para la producción de chips LED.
Descripción del Producto
El recubrimiento de SiC del sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.
Compon

Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Mantenemos tolerancias muy estrictas al aplicar el recubrimiento de SiC, mediante mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil de susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados incluyen un certificado de pureza y conformidad dimensional.
Solicitud:
Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidantePropiedades típicas del material base de grafito:
| Densidad aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividad eléctrica: | 11 μΩm |
| Resistencia a la flexión: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Ceniza: | <5 ppm |
| Conductividad térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Es una excelente manera de mejorar nuestros productos, soluciones y reparaciones. Nuestra misión es ofrecer productos innovadores a nuestros clientes, con una excelente experiencia en la venta al por mayor de sustratos de SIC de 4" basados en GaN y de pitaxial basado en GaN. Nos centramos en el desarrollo de nuestra propia marca, en combinación con una amplia experiencia y equipos de primera clase. Nuestros productos son una inversión que usted merece.
OEM/ODM al por mayorSustratos y películas de GaN de ChinaCon una amplia gama, excelente calidad, precios razonables y diseños elegantes, nuestros productos se utilizan ampliamente en la industria de la belleza y otras industrias. Nuestros productos y soluciones gozan de un amplio reconocimiento y confianza entre los usuarios, satisfaciendo así las necesidades económicas y sociales en constante evolución.
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