ຕົວຈິງແລ້ວມັນເປັນວິທີທີ່ດີທີ່ຈະຊຸກຍູ້ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແລະການແກ້ໄຂແລະການສ້ອມແປງ. ພາລະກິດຂອງພວກເຮົາຄວນຈະເປັນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນຈິນຕະນາການແລະການແກ້ໄຂໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າໂດຍນໍາໃຊ້ປະສົບການການເຮັດວຽກທີ່ດີເລີດສໍາລັບການຂາຍສົ່ງ OEM / ODM GaN-Basedepitaxial ເທິງ Sic Substrates 4′′, ພວກເຮົາສຸມໃສ່ການສ້າງຍີ່ຫໍ້ຂອງຕົນເອງແລະປະສົມປະສານກັບການສະແດງອອກທີ່ມີປະສົບການຈໍານວນຫລາຍແລະອຸປະກອນຊັ້ນທໍາອິດ. ສິນຄ້າຂອງພວກເຮົາທ່ານມີຄຸນຄ່າ.
ຕົວຈິງແລ້ວມັນເປັນວິທີທີ່ດີທີ່ຈະຊຸກຍູ້ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແລະການແກ້ໄຂແລະການສ້ອມແປງ. ພາລະກິດຂອງພວກເຮົາຄວນຈະເປັນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນຈິນຕະນາການແລະການແກ້ໄຂໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າໂດຍນໍາໃຊ້ປະສົບການການເຮັດວຽກທີ່ດີເລີດສໍາລັບແຜ່ນຍ່ອຍຂອງຈີນ GaN ແລະຮູບເງົາ GaN, ມີລະດັບຄວາມກ້ວາງ, ຄຸນນະພາບດີ, ລາຄາທີ່ເຫມາະສົມແລະການອອກແບບທີ່ທັນສະໄຫມ, ສິນຄ້າຂອງພວກເຮົາຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາຄວາມງາມແລະອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນແລະວິທີແກ້ໄຂຂອງພວກເຮົາໄດ້ຮັບການຍອມຮັບຢ່າງກວ້າງຂວາງແລະເຊື່ອຖືໂດຍຜູ້ໃຊ້ແລະສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທາງດ້ານເສດຖະກິດແລະສັງຄົມທີ່ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.

SiC coating graphite MOCVD Wafer carriers

ທຸກໆ susceptors ຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite isostatic ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ. ໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງ graphites ຂອງພວກເຮົາ - ພັດທະນາໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການທີ່ທ້າທາຍເຊັ່ນ: epitaxy, ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ການປູກຝັງ ion ແລະ etching plasma, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການຜະລິດຊິບ LED.

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ
ການເຄືອບ SiC ຂອງ Graphite substrate ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Semiconductor ຜະລິດສ່ວນຫນຶ່ງທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດດີກວ່າແລະການຕໍ່ຕ້ານກັບບັນຍາກາດ oxidizing.
CVD SiC ຫຼື CVI SiC ຖືກນໍາໃຊ້ກັບ Graphite ຂອງພາກສ່ວນການອອກແບບທີ່ງ່າຍດາຍຫຼືສະລັບສັບຊ້ອນ. ການເຄືອບສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄວາມຫນາທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະກັບພາກສ່ວນຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼາຍ.

ສ່ວນປະກອບ

ຂໍ້ໄດ້ປຽບພິເສດຂອງຕົວອ່ອນ graphite ທີ່ເຄືອບ SiC ຂອງພວກເຮົາລວມມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ການເຄືອບເປັນເນື້ອດຽວກັນ ແລະ ຊີວິດການບໍລິການທີ່ດີເລີດ. ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງມີຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງແລະຄຸນສົມບັດສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນ.

ພວກເຮົາຮັກສາຄວາມທົນທານຢ່າງໃກ້ຊິດຫຼາຍເມື່ອນໍາໃຊ້ການເຄືອບ SiC, ການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເພື່ອຮັບປະກັນ profile susceptor ເປັນເອກະພາບ. ພວກເຮົາຍັງຜະລິດວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນສົມບັດຕ້ານໄຟຟ້າທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນລະບົບຄວາມຮ້ອນ inductively. ອົງປະກອບສໍາເລັດຮູບທັງຫມົດມາພ້ອມກັບໃບຢັ້ງຢືນຄວາມບໍລິສຸດແລະຂະຫນາດ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ:

ຄຸນສົມບັດ:
· ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນດີເລີດ
· ຕ້ານການຊ໊ອກທາງກາຍທີ່ດີເລີດ
· ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີທີ່ດີເລີດ
· ຄວາມບໍລິສຸດສູງ
· ມີຢູ່ໃນຮູບຮ່າງທີ່ຊັບຊ້ອນ
· ນຳໃຊ້ພາຍໃຕ້ບັນຍາກາດການອອກຊີຊິດຄຸນສົມບັດທົ່ວໄປຂອງວັດສະດຸ Graphite ພື້ນຖານ:

ຕົວຈິງແລ້ວມັນເປັນວິທີທີ່ດີທີ່ຈະຊຸກຍູ້ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແລະການແກ້ໄຂແລະການສ້ອມແປງ. ພາລະກິດຂອງພວກເຮົາຄວນຈະເປັນການຜະລິດຜະລິດຕະພັນຈິນຕະນາການແລະການແກ້ໄຂໃຫ້ແກ່ລູກຄ້າໂດຍນໍາໃຊ້ປະສົບການການເຮັດວຽກທີ່ດີເລີດສໍາລັບການຂາຍສົ່ງ OEM / ODM GaN-Basedepitaxial ເທິງ Sic Substrates 4′′, ພວກເຮົາສຸມໃສ່ການສ້າງຍີ່ຫໍ້ຂອງຕົນເອງແລະປະສົມປະສານກັບການສະແດງອອກທີ່ມີປະສົບການຈໍານວນຫລາຍແລະອຸປະກອນຊັ້ນທໍາອິດ. ສິນຄ້າຂອງພວກເຮົາທ່ານມີຄຸນຄ່າ.
ຂາຍສົ່ງ OEM/ODMແຜ່ນຍ່ອຍຂອງຈີນ GaN ແລະຮູບເງົາ GaN, ມີລະດັບຄວາມກ້ວາງ, ຄຸນນະພາບດີ, ລາຄາທີ່ເຫມາະສົມແລະການອອກແບບທີ່ທັນສະໄຫມ, ສິນຄ້າຂອງພວກເຮົາຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາຄວາມງາມແລະອື່ນໆ. ຜະລິດຕະພັນແລະວິທີແກ້ໄຂຂອງພວກເຮົາໄດ້ຮັບການຍອມຮັບຢ່າງກວ້າງຂວາງແລະເຊື່ອຖືໂດຍຜູ້ໃຊ້ແລະສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທາງດ້ານເສດຖະກິດແລະສັງຄົມທີ່ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.