An gwo OEM/ODM GaN-Bazedepitaxial sou Sik Substrates 4′′

Imaj prezante OEM/ODM an gwo GaN-Basedepitaxial sou substrat Sic 4′′

Deskripsyon kout:

Transpòtè wafer yo itilize nan pwosesis kwasans epitaksiyal la dwe sipòte tanperati ki wo ak netwayaj chimik ki di. Sisèpteur CoorsTek Clear Carbon™ yo fèt espesyalman pou aplikasyon ekipman epitaksi sa yo ki mande anpil. Konstriksyon grafit yo ki kouvri ak carbure Silisyòm (SiC) ki gen gwo pite bay yon rezistans chalè siperyè, yon inifòmite tèmik inifòm pou yon epesè ak rezistans kouch epi ki konsistan, ak yon rezistans chimik dirab. Kouch kristal SiC amann bay yon sifas pwòp e lis, ki enpòtan pou manyen paske wafer orijinal yo an kontak ak sisèpteur a nan plizyè pwen sou tout sifas yo.

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Anfèt, se yon bon fason pou amelyore pwodui ak solisyon nou yo epi reparasyon. Misyon nou se pwodui pwodui ak solisyon imajinatif pou kliyan yo grasa yon eksperyans kokenn pou Wholesale OEM/ODM GaN-Basedepitaxial sou Sic Substrates 4′′, Nou konsantre sou bati pwòp mak nou an epi an konbinezon avèk plizyè ekspozisyon ki gen eksperyans ak ekipman premye klas. Pwodui nou yo vo lapenn pou ou genyen yo.
Anfèt, se yon bon fason pou amelyore pwodwi ak solisyon nou yo epi pou reparasyon. Misyon nou se kreye pwodwi ak solisyon imajinatif pou kliyan yo grasa yon eksperyans travay kokenn.Substra GaN Lachin ak fim GaNAvèk yon pakèt pwodui, bon kalite, pri rezonab ak desen élégan, machandiz nou yo lajman itilize nan endistri bote ak lòt endistri yo. Itilizatè yo rekonèt epi fè yo konfyans anpil nan pwodui ak solisyon nou yo, epi yo ka satisfè bezwen ekonomik ak sosyal ki toujou ap chanje.

SiC kouch grafit MOCVD transpòtè wafer

Tout susèpteur nou yo fèt ak grafit izostatik ki gen gwo rezistans. Pwofite de gwo pite grafit nou yo – yo devlope espesyalman pou pwosesis difisil tankou epitaksi, kwasans kristal, enplantasyon iyon ak grave plasma, osi byen ke pou pwodiksyon chip LED.

Deskripsyon pwodwi
Kouch SiC sou yon substrat grafit pou aplikasyon semi-kondiktè pwodui yon pyès ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan.
Yo aplike CVD SiC oubyen CVI SiC sou grafit ki gen yon konsepsyon senp oubyen konplèks. Yo ka aplike kouch la nan diferan epesè epi sou gwo pyès.

Konpon

SiC kouch grafit MOCVD transpòtè wafer

Avantaj espesyal sisèpteur grafit kouvri ak SiC nou yo enkli yon pite ekstrèmman wo, yon kouch omojèn ak yon ekselan lavi sèvis. Yo genyen tou pwopriyete rezistans chimik ak estabilite tèmik ki wo.

Nou kenbe tolerans trè sere lè n ap aplike kouch SiC la, lè l sèvi avèk machinasyon ak gwo presizyon pou asire yon pwofil sisèptè inifòm. Nou pwodui tou materyèl ki gen pwopriyete rezistans elektrik ideyal pou itilize nan sistèm chofaj endiktif. Tout konpozan fini yo vini ak yon sètifika konfòmite pite ak dimansyon.

Aplikasyon:

Karakteristik:
· Ekselan rezistans chòk tèmik
· Ekselan rezistans chòk fizik
· Ekselan rezistans chimik
· Super Pite Segondè
· Disponibilite nan fòm konplèks
· Itilizab anba atmosfè oksidanPwopriyete tipik nan materyèl grafit debaz:

Dansite aparan:	1.85 g/cm3
Rezistans elektrik:	11 μΩm
Fòs fleksyon:	49 MPa (500kgf/cm2)
Dite rivaj:	58
Sann:	<5ppm
Konduktivite tèmik:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Anfèt, se yon bon fason pou amelyore pwodui ak solisyon nou yo epi reparasyon. Misyon nou se pwodui pwodui ak solisyon imajinatif pou kliyan yo grasa yon eksperyans kokenn pou Wholesale OEM/ODM GaN-Basedepitaxial sou Sic Substrates 4′′, Nou konsantre sou bati pwòp mak nou an epi an konbinezon avèk plizyè ekspozisyon ki gen eksperyans ak ekipman premye klas. Pwodui nou yo vo lapenn pou ou genyen yo.
OEM/ODM an gwoSubstra GaN Lachin ak fim GaNAvèk yon pakèt pwodui, bon kalite, pri rezonab ak desen élégan, machandiz nou yo lajman itilize nan endistri bote ak lòt endistri yo. Itilizatè yo rekonèt epi fè yo konfyans anpil nan pwodui ak solisyon nou yo, epi yo ka satisfè bezwen ekonomik ak sosyal ki toujou ap chanje.