OEM/ODM GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn ohun èlò ìtọ́jú wafer tí a lò nínú ìtọ́jú ìdàgbàsókè epitaxial gbọ́dọ̀ fara da ooru gíga àti ìwẹ̀nùmọ́ kẹ́míkà líle. Àwọn ohun èlò ìtọ́jú CoorsTek Clear Carbon™ ni a ṣe ní pàtó fún àwọn ohun èlò ìtọ́jú epitaxy tó le koko wọ̀nyí. Ìṣẹ̀dá graphite silicon carbide (SiC) tí a fi awọ ṣe tí ó ní ìmọ́tótó gíga ń pèsè ìdènà ooru tó ga jùlọ, àní ìṣọ̀kan ooru fún sisanra àti ìdènà epi tí ó dúró ṣinṣin, àti ìdènà kẹ́míkà tí ó le koko. Ìbòrí kirisita SiC Fine ń pèsè ojú ilẹ̀ tí ó mọ́, tí ó sì mọ́, tí ó ṣe pàtàkì fún mímú nítorí pé àwọn wafer tí ó mọ́ máa ń kan suscepter ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ibi káàkiri gbogbo agbègbè wọn.


Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti àwọn ojútùú wa pọ̀ sí i àti láti túnṣe. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún Olóòtú OEM/ODM GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′, A dojúkọ kíkọ́ orúkọ ìtajà wa àti ní ìṣọ̀kan pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò tó ní ìrírí àti àwọn ohun èlò tó dára jùlọ. Àwọn ọjà wa tó yẹ kí o ní.
Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti ojútùú wa pọ̀ sí i àti àtúnṣe wa. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún wọnÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNPẹ̀lú onírúurú ọjà, dídára tó dára, owó tó bójú mu àti àwọn àwòrán tó wọ́pọ̀, àwọn ọjà wa ni a ń lò fún ẹwà àti àwọn iṣẹ́ míìrán. Àwọn olùlò mọ̀ nípa àwọn ọjà àti ojútùú wa dáadáa, wọ́n sì lè bá àìní ọrọ̀ ajé àti àwùjọ tó ń yípadà nígbà gbogbo mu.

Awọn ohun elo wafer MOCVD ti a bo SiC

Gbogbo àwọn ohun tí a fi ń ṣe àwọn ohun tí a fi ń ṣe ara wa ni a fi graphite isostatic tó lágbára gíga ṣe. Jàǹfààní láti inú mímọ́ gíga ti àwọn graphite wa – tí a ṣe ní pàtàkì fún àwọn iṣẹ́ tó le koko bíi epitaxy, ìdàgbàsókè kristali, ìfàmọ́ ion àti ìfọ́ plasma, àti fún ṣíṣe àwọn ègé LED.

Àpèjúwe Ọjà
Aṣọ SiC ti substrate Graphite fun awọn ohun elo Semiconductor n pese apakan kan pẹlu mimọ ti o ga julọ ati resistance si afẹfẹ oxidizing.
A máa ń lo CVD SiC tàbí CVI SiC sí Graphite àwọn ẹ̀yà ara tí ó rọrùn tàbí tí ó díjú. A lè lo ìbòrí ní oríṣiríṣi ìwúwo àti sí àwọn ẹ̀yà tí ó tóbi gan-an.

 

Ẹ̀ka ilé

Awọn ohun elo wafer MOCVD ti a bo SiC

Àwọn àǹfààní pàtàkì ti àwọn ohun èlò ìfàmọ́ra graphite tí a fi SiC bo ni mímọ́ tó ga gidigidi, ìbòrí tó jọra àti ìgbésí ayé iṣẹ́ tó dára. Wọ́n tún ní agbára ìdènà kẹ́míkà gíga àti agbára ìdúróṣinṣin ooru.

A máa ń fara da ìfarada tó jinlẹ̀ nígbà tí a bá ń lo ìbòrí SiC, a sì máa ń lo ẹ̀rọ tó péye láti rí i dájú pé ó ní ìrísí ìfaradà tó dọ́gba. A tún máa ń ṣe àwọn ohun èlò tó ní agbára ìdènà iná mànàmáná tó dára jùlọ fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ tó ń gbóná pẹ̀lú inductively. Gbogbo àwọn ohun èlò tó ti parí ló ní ìwé ẹ̀rí ìmọ́tótó àti ìtẹ̀síwájú oníwọ̀n.

Ohun elo:

2

Àwọn ẹ̀yà ara ẹ̀ya ara:
· Resistance to dara julọ fun mọnamọna ooru
· Agbara Idena Iyalẹnu Ti ara to dara julọ
· Agbara Kemikali to dara julọ
· Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ
· Wíwà ní Àwòrán Dídídí
· Lò ó lábẹ́ Afẹ́fẹ́ OxidizingÀwọn Ohun Ànímọ́ Tó Wà Nínú Ohun Èlò Gíráfítì Ìpìlẹ̀:

Ìwúwo tó hàn gbangba: 1.85 g/cm3
Agbara Resistance Itanna: 11 μΩm
Agbára Rírọ̀: 49 MPa (500kgf/cm2)
Líle etíkun: 58
Eérú: <5ppm
Ìgbékalẹ̀ Ooru: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti àwọn ojútùú wa pọ̀ sí i àti láti túnṣe. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún Olóòtú OEM/ODM GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′, A dojúkọ kíkọ́ orúkọ ìtajà wa àti ní ìṣọ̀kan pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò tó ní ìrírí àti àwọn ohun èlò tó dára jùlọ. Àwọn ọjà wa tó yẹ kí o ní.
OEM/ODM osunwonÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNPẹ̀lú onírúurú ọjà, dídára tó dára, owó tó bójú mu àti àwọn àwòrán tó wọ́pọ̀, àwọn ọjà wa ni a ń lò fún ẹwà àti àwọn iṣẹ́ míìrán. Àwọn olùlò mọ̀ nípa àwọn ọjà àti ojútùú wa dáadáa, wọ́n sì lè bá àìní ọrọ̀ ajé àti àwùjọ tó ń yípadà nígbà gbogbo mu.


  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Iwiregbe lori ayelujara WhatsApp!