Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti àwọn ojútùú wa pọ̀ sí i àti láti túnṣe. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún Olóòtú OEM/ODM GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′, A dojúkọ kíkọ́ orúkọ ìtajà wa àti ní ìṣọ̀kan pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò tó ní ìrírí àti àwọn ohun èlò tó dára jùlọ. Àwọn ọjà wa tó yẹ kí o ní.
Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti ojútùú wa pọ̀ sí i àti àtúnṣe wa. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún wọnÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNPẹ̀lú onírúurú ọjà, dídára tó dára, owó tó bójú mu àti àwọn àwòrán tó wọ́pọ̀, àwọn ọjà wa ni a ń lò fún ẹwà àti àwọn iṣẹ́ míìrán. Àwọn olùlò mọ̀ nípa àwọn ọjà àti ojútùú wa dáadáa, wọ́n sì lè bá àìní ọrọ̀ ajé àti àwùjọ tó ń yípadà nígbà gbogbo mu.
Awọn ohun elo wafer MOCVD ti a bo SiC
Gbogbo àwọn ohun tí a fi ń ṣe àwọn ohun tí a fi ń ṣe ara wa ni a fi graphite isostatic tó lágbára gíga ṣe. Jàǹfààní láti inú mímọ́ gíga ti àwọn graphite wa – tí a ṣe ní pàtàkì fún àwọn iṣẹ́ tó le koko bíi epitaxy, ìdàgbàsókè kristali, ìfàmọ́ ion àti ìfọ́ plasma, àti fún ṣíṣe àwọn ègé LED.
Àpèjúwe Ọjà
Aṣọ SiC ti substrate Graphite fun awọn ohun elo Semiconductor n pese apakan kan pẹlu mimọ ti o ga julọ ati resistance si afẹfẹ oxidizing.
A máa ń lo CVD SiC tàbí CVI SiC sí Graphite àwọn ẹ̀yà ara tí ó rọrùn tàbí tí ó díjú. A lè lo ìbòrí ní oríṣiríṣi ìwúwo àti sí àwọn ẹ̀yà tí ó tóbi gan-an.
Ẹ̀ka ilé

Àwọn àǹfààní pàtàkì ti àwọn ohun èlò ìfàmọ́ra graphite tí a fi SiC bo ni mímọ́ tó ga gidigidi, ìbòrí tó jọra àti ìgbésí ayé iṣẹ́ tó dára. Wọ́n tún ní agbára ìdènà kẹ́míkà gíga àti agbára ìdúróṣinṣin ooru.
A máa ń fara da ìfarada tó jinlẹ̀ nígbà tí a bá ń lo ìbòrí SiC, a sì máa ń lo ẹ̀rọ tó péye láti rí i dájú pé ó ní ìrísí ìfaradà tó dọ́gba. A tún máa ń ṣe àwọn ohun èlò tó ní agbára ìdènà iná mànàmáná tó dára jùlọ fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ tó ń gbóná pẹ̀lú inductively. Gbogbo àwọn ohun èlò tó ti parí ló ní ìwé ẹ̀rí ìmọ́tótó àti ìtẹ̀síwájú oníwọ̀n.
Ohun elo:
Àwọn ẹ̀yà ara ẹ̀ya ara:
· Resistance to dara julọ fun mọnamọna ooru
· Agbara Idena Iyalẹnu Ti ara to dara julọ
· Agbara Kemikali to dara julọ
· Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ
· Wíwà ní Àwòrán Dídídí
· Lò ó lábẹ́ Afẹ́fẹ́ OxidizingÀwọn Ohun Ànímọ́ Tó Wà Nínú Ohun Èlò Gíráfítì Ìpìlẹ̀:
| Ìwúwo tó hàn gbangba: | 1.85 g/cm3 |
| Agbara Resistance Itanna: | 11 μΩm |
| Agbára Rírọ̀: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
| Líle etíkun: | 58 |
| Eérú: | <5ppm |
| Ìgbékalẹ̀ Ooru: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Ó jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú kí àwọn ọjà àti àwọn ojútùú wa pọ̀ sí i àti láti túnṣe. Iṣẹ́ wa yẹ kí ó jẹ́ láti ṣe àwọn ọjà àti ojútùú onínúure fún àwọn oníbàárà nípa lílo ìrírí iṣẹ́ tó dára fún Olóòtú OEM/ODM GaN-Basedepitaxial on Sic Substrates 4′′, A dojúkọ kíkọ́ orúkọ ìtajà wa àti ní ìṣọ̀kan pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò tó ní ìrírí àti àwọn ohun èlò tó dára jùlọ. Àwọn ọjà wa tó yẹ kí o ní.
OEM/ODM osunwonÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNPẹ̀lú onírúurú ọjà, dídára tó dára, owó tó bójú mu àti àwọn àwòrán tó wọ́pọ̀, àwọn ọjà wa ni a ń lò fún ẹwà àti àwọn iṣẹ́ míìrán. Àwọn olùlò mọ̀ nípa àwọn ọjà àti ojútùú wa dáadáa, wọ́n sì lè bá àìní ọrọ̀ ajé àti àwùjọ tó ń yípadà nígbà gbogbo mu.
-
Adani Lílefìtì ti ngbona fun Semiconductor Si ...
-
Àwọ̀ SiC Graphite MOCVD Wafer Carriers Susce...
-
silikoni oruka erogba seal oruka fifa darí ...
-
Ile-iṣẹ China fun China Sintered Silicon Carbid...
-
Adani Irin Yíyọ SIC Ingot Mould, Siliko...
-
Apapo erogba-erogba ti a bo CVD SiC CFC Bo...
-
CVD sic bo cc composite opa, silikoni carb...
-
wúrà àti fàdákà casting mould Silicon Mould, Si...
-
Ikoko Graphite Graphite ti o yo fadaka ti wura
-
Itura Induction Indurance ti o dara, silikoni yo ...
-
Ọpá Silikoni to ga julọ, ọpá Sic fun sisẹ...
-
Agbara resistance otutu giga ti o tọ si ọpá Silicon ...
-
Awọn Oruka Igi Erogba Graphite Mechanical, Silikoni ...
-
konpireso afẹfẹ fifa afẹfẹ laisi epo fun d ...
-
Lílo ẹ̀rọ ìgbóná gíráfítì Silikoni carbide (SiC) SiC coati...




