1. Semiconductores tertiae generationis
Primae generationis technologiae semiconductorum in materiis semiconductoribus, ut Si et Ge, elaboratae sunt. Haec est basis materiae pro evolutione transistorum et technologiae circuituum integratorum. Materiae semiconductorum primae generationis fundamenta industriae electronicae saeculo XX posuerunt et materiae fundamentales technologiae circuituum integratorum sunt.
Materiae semiconductrices secundae generationis praecipue gallium arsenidum, indii phosphidum, gallium phosphidum, indii arsenidum, aluminii arsenidum et eorum composita ternaria comprehendunt. Materiae semiconductrices secundae generationis fundamentum industriae informationis optoelectronicae constituunt. Hac de causa, industriae conexae, ut illuminatio, ostentatio, laser, et photovoltaica, evolutae sunt. Late in industriis hodiernis technologiae informationis et ostentationis optoelectronicae adhibentur.
Inter materias semiconductorias tertiae generationis repraesentativas numerantur gallium nitridum et silicium carburum. Propter latum intervallum zonae electricae, celeritatem fluctuationis saturationis electronicae magnam, conductivitatem thermalem magnam, et vim campi disruptionis magnam, hae materiae ideales sunt ad apparatus electronicos densitatis potentiae altae, frequentiae altae, et iacturae humilis praeparandos. Inter eas, apparatus potentiae silicii carburi commoda habent densitatis energiae altae, consumptionis energiae humilis, et magnitudinis parvae, et latas prospectus applicationis in vehiculis energiae novae, photovoltaicis, transportatione ferriviaria, magnis datis, et aliis campis. Apparatus RF gallium nitridi commoda habent frequentiae altae, potentiae altae, latae latitudinis, consumptionis energiae humilis, et magnitudinis parvae, et latas prospectus applicationis in communicationibus 5G, Internet Rerum, radar militari, et aliis campis. Praeterea, apparatus potentiae fundati gallium nitrido late in campo tensionis humilis adhibiti sunt. Accedit quod annis proximis, materiae gallium oxidi emergentes exspectantur complementarietatem technicam cum technologiis SiC et GaN existentibus formare, et prospectus applicationis potentiales in campis frequentiae humilis et tensionis altae habere.
Comparatae cum materiis semiconductoribus secundae generationis, materiae semiconductores tertiae generationis latitudinem hiatus energiae maiorem habent (latitudo hiatus energiae Si, materiae typicae materiae semiconductoris primae generationis, est circiter 1.1 eV, latitudo hiatus energiae GaAs, materiae typicae materiae semiconductoris secundae generationis, est circiter 1.42 eV, et latitudo hiatus energiae GaN, materiae typicae materiae semiconductoris tertiae generationis, supra 2.3 eV est), resistentiam radiationis fortiorem, resistentiam fortiorem interruptioni campi electrici, et resistentiam temperaturae altiorem. Materiae semiconductores tertiae generationis cum latitudine hiatus energiae maiori praecipue aptae sunt ad productionem instrumentorum electronicorum radiationi resistentium, altae frequentiae, altae potentiae et altae densitatis integrationis. Applicationes earum in instrumentis radiofrequentiae microundarum, LED, laseribus, instrumentis potentiae et aliis campis magnam attentionem attraxerunt, et latas prospectus progressionis in communicationibus mobilibus, retibus intelligentibus, transitu ferriviario, vehiculis novae energiae, electronicis consumptoribus, et instrumentis lucis ultraviolaceae et caeruleo-viridis ostenderunt [1].
Tempus publicationis: XXV Iunii MMXXIV