Pembawa Wafer MOCVD grafit salutan SiC, Suseptor Grafit untuk Epitaksi SiC

Penerangan Ringkas:

 


  • Tempat Asal:Zhejiang, China (Tanah Besar)
  • Nombor Model:Bot3004
  • Komposisi Kimia:Grafit bersalut SiC
  • Kekuatan lenturan:470Mpa
  • Kekonduksian terma:300 W/mK
  • Kualiti:Sempurna
  • Fungsi:CVD-SiC
  • Permohonan:Semikonduktor / Fotovoltaik
  • Ketumpatan:3.21 g/cc
  • Pengembangan haba:4 10-6/K
  • Abu: <5ppm
  • Contoh:Tersedia
  • Kod HS:6903100000
  • Butiran Produk

    Tag Produk

    Pembawa Wafer MOCVD grafit salutan SiC,Suseptor Grafituntuk Epitaksi SiC,
    Karbon membekalkan suseptor, Suseptor epitaksi grafit, Suseptor Grafit, Suseptor MOCVD, Suseptor Wafer,

    Penerangan Produk

    Salutan CVD-SiC mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid & alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.

    Berbanding dengan bahan grafit berketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada suhu 400°C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar pada peranti periferal dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran berketulenan tinggi.

    Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.

    Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang termendap pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada asas grafit, memberikan sifat khas asas grafit, sekali gus menjadikan permukaan grafit padat, bebas keliangan, tahan suhu tinggi, tahan kakisan dan tahan pengoksidaan.

    Permohonan:

    2

    Ciri-ciri utama:

    1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

    Rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1700 C.

    2. Ketulenan tinggi: dihasilkan melalui pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

    3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

    4. Rintangan kakisan: reagen asid, alkali, garam dan organik.

    Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Ketumpatan

    (g/cc)

    3.21

    Kekuatan lenturan

    (Mpa)

    470

    Pengembangan haba

    (10-6/K)

    4

    Kekonduksian terma

    (W/mK)

    300

    Keupayaan Bekalan:

    10000 Keping/Keping sebulan
    Pembungkusan & Penghantaran:
    Pembungkusan: Pembungkusan Standard & Kuat
    Beg poli + Kotak + Kadbod + Palet
    Pelabuhan:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Masa Pendahuluan:

    Kuantiti (Kepingan) 1 – 1000 >1000
    Anggaran Masa (hari) 15 Untuk dirundingkan


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Sembang Dalam Talian WhatsApp!