မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အာရုံခံကိရိယာများအတွက် ပြည့်စုံသောလမ်းညွှန်

ခေတ်မီ semiconductor device ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် တတိယမျိုးဆက် compound semiconductor ထုတ်လုပ်မှု (ဥပမာ Silicon Carbide [SiC] နှင့် Gallium Nitride [GaN]) တို့တွင် စက်မှုလုပ်ငန်းဆွေးနွေးမှုများသည် အလွန်အဆင့်မြင့် EUV lithography စက်များ၊ plasma etcher များ သို့မဟုတ် precursor gas purity တို့ကို အဓိကထားလေ့ရှိသည်။ သို့သော် reaction chamber ၏ အလွန်သန့်ရှင်းပြီး အလွန်ချေးတက်ကာ အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်အတွင်းတွင် အရေးပါသော သူရဲကောင်းတစ်ဦးရှိသည်- Graphite susceptor။

1. Graphite Susceptor ဆိုသည်မှာ အဘယ်နည်း။

A ဂရပ်ဖိုက် အာရုံခံကိရိယာသည် မြင့်မားသောသန့်စင်မှု iso-molded သို့မဟုတ် extruded graphite မှပြုလုပ်ထားသော တိကျစွာအင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားသော လုပ်ဆောင်နိုင်သော carrier component တစ်ခုဖြစ်ပြီး မကြာခဏ disk-shaped၊ pocketed သို့မဟုတ် custom ပုံစံများပါရှိသည်။သီးခြား တုံ့ပြန်မှုအခန်းများနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ပြုလုပ်ထားသော သုံးဖက်မြင် ဂျီဩမေတြီများ။

Chemical Vapor Deposition (CVD)၊ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) နှင့် Rapid Thermal Processing (RTP) reactors ကဲ့သို့သော စက်ပစ္စည်းများတွင် carrier platform ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ primary heat exchanger အဖြစ်ဆောင်ရွက်နေစဉ် semiconductor wafers များကို လုံခြုံစွာကိုင်ထားရန်ဖြစ်သည်။ Graphite susceptor induction heating ယန္တရားများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အစိတ်အပိုင်းသည် Radio Frequency (RF) သို့မဟုတ် microwave electromagnetic energy ကို လျင်မြန်စွာစုပ်ယူပြီး uniform thermal energy အဖြစ်ပြောင်းလဲပေးပြီး wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် millisecond-level precision thermal control ကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

၂။ ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုနှင့် အဏုကြည့်ဖွဲ့စည်းပုံ- အဘယ်ကြောင့် Isostatic Graphite + CVD SiC Coating ကိုအသုံးပြုသင့်သနည်း။

အလွှာမအုပ်ထားသော ကုန်ကြမ်းဂရပ်ဖိုက်သည် ပြင်းထန်သော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာလေထုနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ တင်းကျပ်သော သန့်ရှင်းမှုလိုအပ်ချက်များတွင် ရှင်သန်နိုင်မည်မဟုတ်ပါ။ ခေတ်မီမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဂရပ်ဖိုက်အာရုံခံကိရိယာများသည် အထူးပြု dual-layer composite စနစ်ကို အသုံးပြုသည်-

(၁) မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော အိုင်ဆိုစတက်တစ် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ

core substrate ကို isostatically pressed graphite ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသည်။ graphite micro crystalline alignment ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် isotropic physical properties၊ porosity နည်းပါးခြင်းနှင့် mechanical flexural strength မြင့်မားခြင်းတို့ကို ရရှိစေပြီး ရှုပ်ထွေးသော wafer pocket geometries များကို micro-machining လုပ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးအခြေခံကို ပေးစွမ်းသည်။

(၂) CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အကာအကွယ်အလွှာ

ဓာတုအငွေ့စုဖွဲ့မှုကို အသုံးပြု၍ poly-crystalline B-SiC (ပုံမှန်အားဖြင့် 10 မှ 100 um အထူနှင့် 99.999% သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု) အလွှာကို ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပေါ်တွင် ကြီးထွားစေသည်။ ဤအလွှာသည် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ရှိ အပေါက်ငယ်များကို လုံးဝပိတ်ဆို့ပေးပြီး၊ အမှုန်အမွှားများ ကြွေကျခြင်းကို ကာကွယ်ပေးပြီး HCI၊ NH3 နှင့် ဖလိုရင်းဓာတ်ပါဝင်သော ဒြပ်ပေါင်းများကဲ့သို့သော ချေးတက်စေသောဓာတ်ငွေ့များကို ကာကွယ်ရန် မစိမ့်ဝင်နိုင်သော အတားအဆီးတစ်ခုကို ပေးစွမ်းသည်။

၃။ အဓိက ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပစ္စည်း သတ်မှတ်ချက်များ

တင်းကျပ်သောဓာတ်ခွဲခန်းစမ်းသပ်မှုနှင့် အတည်ပြုထားသောစက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းများအပေါ်အခြေခံ၍ မြင့်မားသောသန့်စင်မှုဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်အာရုံခံကိရိယာများသည် အောက်ပါအရေးကြီးသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာကန့်သတ်ချက်များကိုပြသသည်-

အဓိကအင်ဂျင်နီယာအားသာချက်များ-

၁။ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းအက်ကွဲခြင်း သို့မဟုတ် ပြိုကွဲခြင်းမရှိဘဲ (1500°C အထက်) မြန်ဆန်သော အပူပေးခြင်းနှင့် အအေးခံခြင်း ዑደብကို စဉ်ဆက်မပြတ် ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

၂။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ငြိမ်သက်မှုH2၊ NH3၊ silane ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ပြင်းထန်သော ဓာတုဗေဒ သန့်ရှင်းရေးပစ္စည်းများမှ ယိုယွင်းပျက်စီးမှုကို လုံးဝ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

၃။ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်း (CTE) ကိုက်ညီမှု: VET Energy ၏ မူပိုင် SiC စုပုံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် SiC အပေါ်ယံလွှာ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုအပြုအမူကို ဂရပ်ဖိုက်အူတိုင်နှင့် ချိန်ညှိပေးသောကြောင့် အပူချိန်အလွန်အမင်းတွင် အပေါ်ယံလွှာကျိုးပဲ့ခြင်းကို ကာကွယ်ပေးသည်။

၄။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စီမံဆောင်ရွက်မှုတွင် အခန်းကဏ္ဍနှင့် အသုံးချမှုများ

ယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်အာရုံခံကိရိယာများသည် အရေးကြီးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များစွာတွင် အခြေခံအடையாளအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်-

(1) CVD နှင့် MOCVD Epitaxial Growth (Epi)

GaN LED ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ SiC ပါဝါကိရိယာ epitaxy နှင့် ဆီလီကွန် wafer epi-growth တို့တွင် ဖလင်အထူနှင့် doping uniformity တို့သည် အပူစက်ကွင်း တစ်သားတည်းဖြစ်မှုအပေါ် များစွာမူတည်ပါသည်။ ဂရပ်ဖိုက် susceptor များသည် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း single သို့မဟုတ် multi-wafer configuration များတစ်လျှောက် အပူကို ညီညာစွာဖြန့်ဝေပေးပြီး အပူဖိစီးမှုကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော wafer bowing သို့မဟုတ် slip lines များကို ဖိနှိပ်ပေးပါသည်။

(၂) တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု (PVT နည်းလမ်း)

Physical Vapor Transport (PVT) မှတစ်ဆင့် Silicon Carbide (SiC) နှင့် Sapphire crystal ကြီးထွားမှုအတွင်း၊ susceptor သည် thermal zone gradient ကို သတ်မှတ်ပေးပြီး single-crystal ingot ဖွဲ့စည်းမှုကို တိုက်ရိုက်လမ်းညွှန်ပေးပြီး dislocation density ကို လျှော့ချပေးသည်။

(၃) လျင်မြန်စွာ အပူပေး စီမံခြင်း (RTP) နှင့် အပူပေး အပူပေးခြင်း

ထိရောက်သော Graphite susceptor induction အပူပေးစနစ်ကို အသုံးပြုထားသောကြောင့်၊ ဤပလက်ဖောင်းသည် implantation ပြီးနောက် lattice annealing နှင့် junction ဖွဲ့စည်းခြင်းအတွက် လိုအပ်သော အလွန်မြန်ဆန်သော အပူတုံ့ပြန်မှုအချိန်များကို ဖြစ်စေသည်။

၅။ VET Energy ကို ဘာကြောင့် ရွေးချယ်သင့်တာလဲ။

ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက် ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အလွန်အမင်း သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း တိုးချဲ့မှုအတွက် လိုအပ်ချက်များစွာဖြင့်VET စွမ်းအင်ယုံကြည်စိတ်ချရသော ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ အင်ဂျင်နီယာလုပ်ဖော်ကိုင်ဖက်အဖြစ် ထင်ရှားသည်-

၁။ တိကျသော မိုက်ခရို-စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ: Multi-axis CNC စက်ပိုင်းဆိုင်ရာစင်တာများသည် မိုက်ခရိုမီတာအဆင့်အထိ ခံနိုင်ရည်ရှိသော ရှုပ်ထွေးသော wafer pocket များ၊ micro-grooves များနှင့် စိတ်ကြိုက် aerodynamic gas channel များကို ဖန်တီးပေးပါသည်။

၂။ အဆင့်မြင့်သိပ်သည်းသော CVD SiC စုပုံခြင်း: ကျွန်ုပ်တို့၏ မူပိုင် CVD လုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်သိပ်သည်းပြီး မှန်ဖြင့် ඔප දැමීමနိုင်သော SiC အပေါ်ယံလွှာများကို ရရှိစေပြီး အပူလည်ပတ်မှုသက်တမ်းကို 30% ကျော် တိုးစေပါသည်။

၃။ အလွန်သန့်ရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်: အပြည့်အဝ သန့်စင်ခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းသောအခန်းကိုင်တွယ်ခြင်းသည် စုစုပေါင်းပြာပါဝင်မှုကို 5 ppm အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ကြောင်း အာမခံပြီး တင်းကျပ်သော OEM semiconductor ကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။ဖာဘရီဂွန်စံနှုန်းများ။

၄။ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ် (CoO): VET Energy သည် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်သော ဈေးနှုန်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည် အချိုးများနှင့်အတူ မြန်ဆန်သော ပို့ဆောင်ချိန်များကို ပေးဆောင်ပြီး ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သူများ သုံးစွဲမှု ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးပါသည်။