خبرونه

د سیمیکمډکټر پروسه د فوتولیتوګرافي بشپړه پروسه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۱۶
د هر سیمیکمډکټر محصول تولید سلګونو پروسو ته اړتیا لري. موږ د تولید ټوله پروسه په اتو مرحلو ویشو: د ویفر پروسس کول - اکسیډیشن - فوټو لیتوګرافي - ایچینګ - د پتلي فلم زیرمه کول - د اپیټیکسیل وده - خپریدل - د آیون امپلانټیشن. ستاسو سره د مرستې لپاره ...
نور یی ولوله
۴ ملیارده! ایس کی هینکس د پردو څیړنیز پارک کې د سیمیکمډکټر پرمختللي بسته بندۍ پانګونه اعلان کړه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۰۹
ویسټ لافایټ، انډیانا - ایس کے هاینکس شرکت د پردو ریسرچ پارک کې د مصنوعي استخباراتو محصولاتو لپاره د پرمختللي بسته بندۍ تولید او R&D تاسیساتو جوړولو لپاره نږدې 4 ملیارد ډالر پانګوونې پلانونه اعلان کړل. په ویسټ لافایټ کې د متحده ایالاتو سیمیکمډکټر اکمالاتي سلسله کې د کلیدي لینک رامینځته کول ...
نور یی ولوله
د لیزر ټیکنالوژي د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ پروسس کولو ټیکنالوژۍ بدلون رهبري کوي
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۰۸
۱. د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ پروسس کولو ټیکنالوژۍ عمومي کتنه د سیلیکون کاربایډ سبسټریټ پروسس کولو اوسني مرحلې عبارت دي له: بهرنۍ حلقه پیس کول، ټوټه کول، چیمفر کول، پیس کول، پالش کول، پاکول، او داسې نور. ټوټه کول د سیمیکمډکټر سبسټریټ پروسس کولو کې یو مهم ګام دی ...
نور یی ولوله
د تودوخې ساحې اصلي مواد: د C/C مرکب مواد
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۰۱
د کاربن-کاربن مرکبات د کاربن فایبر مرکباتو یو ډول دی، چې کاربن فایبر د تقویه کولو مواد او زیرمه شوي کاربن د میټریکس موادو په توګه لري. د C/C مرکباتو میټریکس کاربن دی. څرنګه چې دا تقریبا په بشپړ ډول د عنصر کاربن څخه جوړ شوی دی، دا د لوړ تودوخې مقاومت لري ...
نور یی ولوله
د SiC کرسټال ودې لپاره درې لوی تخنیکونه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۰۱
لکه څنګه چې په انځور 3 کې ښودل شوي، درې غالب تخنیکونه شتون لري چې موخه یې د SiC واحد کرسټال لوړ کیفیت او موثریت چمتو کول دي: د مایع مرحله ایپیټیکسي (LPE)، فزیکي بخار لیږد (PVT)، او د لوړې تودوخې کیمیاوي بخار زیرمه (HTCVD). PVT د SiC sin تولید لپاره یو ښه تاسیس شوی پروسه ده ...
نور یی ولوله
د دریم نسل سیمیکمډکټر GaN او اړونده اپیټیکسیل ټیکنالوژۍ لنډه پیژندنه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۸
۱. د دریم نسل سیمیکمډکټرونه د لومړي نسل سیمیکمډکټر ټیکنالوژي د سیمیکمډکټر موادو لکه Si او Ge پر بنسټ رامینځته شوې. دا د ټرانزیسټرونو او مدغم سرکټ ټیکنالوژۍ پراختیا لپاره مادي اساس دی. د لومړي نسل سیمیکمډکټر موادو ... کېښود.
نور یی ولوله
د سوزو سوپر یونیکورن شرکت ۲۳.۵ ملیارد ډالر ارزښت لري او IPO ته ځي
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۸
د نهو کلونو د تشبث وروسته، انوساینس په ټولیزه توګه له ۶ ملیارد یوانو څخه ډیر تمویل راټول کړی دی، او د هغې ارزښت حیرانونکي ۲۳.۵ ملیارد یوانو ته رسیدلی دی. د پانګوالو لیست د لسګونو شرکتونو په څیر اوږد دی: فوکون وینچر کیپیټل، دونګ فانګ دولتي ملکیت شتمنۍ، سوزو ژاني، ووجیان ...
نور یی ولوله
د ټنټالم کاربایډ پوښل شوي محصولات څنګه د موادو د زنګون مقاومت لوړوي؟
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۵
د ټانټالم کاربایډ کوټینګ د سطحې درملنې لپاره یو عام کارول شوی ټیکنالوژي ده چې کولی شي د موادو د زنګون مقاومت د پام وړ ښه کړي. د ټانټالم کاربایډ کوټینګ د چمتو کولو مختلف میتودونو له لارې د سبسټریټ سطح سره وصل کیدی شي، لکه د کیمیاوي بخار زیرمه کول، فزیک ...
نور یی ولوله
د دریم نسل سیمیکمډکټر GaN او اړونده اپیتیکسیل ټیکنالوژۍ معرفي کول
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۵
۱. د دریم نسل سیمیکمډکټرونه د لومړي نسل سیمیکمډکټر ټیکنالوژي د سیمیکمډکټر موادو لکه Si او Ge پر بنسټ رامینځته شوې. دا د ټرانزیسټرونو او مدغم سرکټ ټیکنالوژۍ پراختیا لپاره مادي اساس دی. د لومړي نسل سیمیکمډکټر موادو f... کېښود.
نور یی ولوله