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Principio del processo PECVD a base di grafite per la realizzazione di celle solari (rivestimento) | VET Energy
Innanzitutto, dobbiamo conoscere il PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Il plasma è l'intensificazione del moto termico delle molecole del materiale. La collisione tra di esse provoca l'ionizzazione delle molecole del gas e il materiale diventa una miscela di...Per saperne di più -
Come fanno i veicoli a energia pulita a ottenere la frenata assistita dal vuoto? | VET Energy
I veicoli a energia nuova non sono dotati di motori a combustione, quindi come ottengono la frenata assistita dal vuoto durante la frenata? I veicoli a energia nuova ottengono l'assistenza alla frenata principalmente attraverso due metodi: il primo metodo consiste nell'utilizzare un sistema di frenatura con servofreno elettrico a vuoto. Questo sistema utilizza un vuoto elettrico...Per saperne di più -
Perché utilizziamo il nastro UV per il taglio dei wafer? | VET Energy
Dopo che il wafer ha attraversato il processo precedente, la preparazione del chip è completata e deve essere tagliato per separare i chip sul wafer e infine confezionato. Il processo di taglio del wafer selezionato per wafer di diverso spessore è anch'esso diverso: ▪ Wafer con uno spessore maggiore di ...Per saperne di più -
Deformazione del wafer: cosa fare?
In un determinato processo di confezionamento, vengono utilizzati materiali di confezionamento con diversi coefficienti di dilatazione termica. Durante il processo di confezionamento, il wafer viene posizionato sul substrato di confezionamento e successivamente vengono eseguite fasi di riscaldamento e raffreddamento per completare il confezionamento. Tuttavia, a causa della discrepanza tra...Per saperne di più -
Perché la velocità di reazione tra Si e NaOH è maggiore rispetto a quella tra SiO2?
Il motivo per cui la velocità di reazione tra silicio e idrossido di sodio può superare quella del biossido di silicio può essere analizzato dai seguenti aspetti: Differenza nell'energia del legame chimico ▪ Reazione tra silicio e idrossido di sodio: Quando il silicio reagisce con l'idrossido di sodio, l'energia del legame Si-Si tra gli atomi di silicio...Per saperne di più -
Perché il silicio è così duro ma allo stesso tempo così fragile?
Il silicio è un cristallo atomico, i cui atomi sono collegati tra loro da legami covalenti, formando una struttura reticolare spaziale. In questa struttura, i legami covalenti tra gli atomi sono molto direzionali e presentano un'elevata energia di legame, il che conferisce al silicio un'elevata durezza quando resiste alle forze esterne.Per saperne di più -
Perché le pareti laterali si piegano durante la fase di incisione a secco?
Non uniformità del bombardamento ionico. L'incisione a secco è solitamente un processo che combina effetti fisici e chimici, in cui il bombardamento ionico rappresenta un importante metodo di incisione fisica. Durante il processo di incisione, l'angolo di incidenza e la distribuzione energetica degli ioni possono essere disomogenei. Se l'incidenza degli ioni...Per saperne di più -
Introduzione a tre tecnologie CVD comuni
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è la tecnologia più utilizzata nell'industria dei semiconduttori per depositare una varietà di materiali, tra cui un'ampia gamma di materiali isolanti, la maggior parte dei materiali metallici e delle leghe metalliche. La CVD è una tecnologia tradizionale di preparazione di film sottili. Il suo principio...Per saperne di più -
Il diamante può sostituire altri dispositivi semiconduttori ad alta potenza?
Essendo la pietra angolare dei moderni dispositivi elettronici, i materiali semiconduttori stanno subendo cambiamenti senza precedenti. Oggi, il diamante sta gradualmente dimostrando il suo grande potenziale come materiale semiconduttore di quarta generazione grazie alle sue eccellenti proprietà elettriche e termiche e alla sua stabilità in condizioni estreme...Per saperne di più