Berita

Apakah Kaedah Penyediaan Seramik Silikon Karbida Berliang?
oleh admin pada 25-07-22
Seramik silikon karbida (SiC) telah lama digunakan secara meluas dalam pelbagai bidang pembuatan canggih kerana kekerasannya yang tinggi, kekuatan yang tinggi, pekali pengembangan haba yang kecil, kekonduksian haba yang tinggi, kestabilan kimia yang baik, rintangan kejutan haba yang sangat baik dan rintangan pengoksidaan. Dalam...
Baca lebih lanjut
Situasi Semasa dan Trend Penyelidikan Metalisasi pada Permukaan Substrat Seramik
oleh admin pada 25-07-16
Selepas substrat seramik disinter dan dibentuk, permukaannya perlu dimetabolisasi, dan kemudian corak permukaan dibuat melalui pemindahan imej untuk mencapai prestasi sambungan elektrik substrat seramik. Pengmetabolisasi permukaan merupakan langkah penting dalam fabrikasi sub seramik...
Baca lebih lanjut
Apakah Teknologi Berkaitan dengan Pertumbuhan Kristal Silikon Karbida (SiC)
oleh admin pada 25-07-10
1. Teknologi pendopan serbuk silikon karbida Mendopan sejumlah unsur Ce yang sesuai dalam serbuk silikon karbida boleh mencapai kesan pertumbuhan stabil bagi bentuk kristal tunggal 4H-SiC. Pengalaman praktikal telah menunjukkan bahawa pendopan unsur Ce dalam bahan serbuk boleh meningkatkan kadar pertumbuhan...
Baca lebih lanjut
Prinsip Kaedah PVT Pertumbuhan Kristal Silikon Karbida (SiC)
oleh admin pada 25-07-03
Kaedah PVT, yang nama penuhnya ialah Pengangkutan Wap Fizikal, merupakan kaedah biasa untuk menumbuhkan kristal silikon karbida (SiC) di bawah suhu dan tekanan tinggi. Prinsip asasnya adalah untuk memanaskan serbuk silikon karbida kepada pemejalwapan pada suhu melebihi 2300℃ dan dalam persekitaran tekanan rendah...
Baca lebih lanjut
Apakah relau pertumbuhan kristal silikon karbida (SiC)?
oleh admin pada 25-06-24
SiC mempunyai ciri-ciri jurang jalur yang besar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan kadar hanyutan tepu elektron yang tinggi. Ia boleh memenuhi keperluan aplikasi di bawah suhu tinggi, tekanan tinggi, frekuensi tinggi, dan keadaan kuasa tinggi. Ia boleh digunakan secara meluas...
Baca lebih lanjut
Apakah Salutan CVD SiC?
oleh admin pada 25-06-09
Salutan CVD SiC sedang membentuk semula had proses pembuatan semikonduktor pada kadar yang menakjubkan. Teknologi salutan yang nampaknya mudah ini telah menjadi penyelesaian utama kepada tiga cabaran teras iaitu pencemaran zarah, kakisan suhu tinggi dan hakisan plasma dalam pembuatan cip. ...
Baca lebih lanjut
Fungsi dan Kegunaan Bot Kuarza
oleh admin pada 25-06-04
Bot kuarza, sebagai komponen instrumen ketepatan yang diperbuat daripada bahan kuarza berketulenan tinggi, memainkan peranan penting dalam pelbagai bidang seperti pembuatan semikonduktor, industri optoelektronik, analisis kimia dan eksperimen suhu tinggi. Sifat fizikal dan kimianya yang unik memberikannya kepelbagaian...
Baca lebih lanjut
Kesan Suhu Berbeza Terhadap Pertumbuhan Salutan CVD SiC
oleh admin pada 25-05-26
Apakah Salutan CVD SiC? Pemendapan wap kimia (CVD) ialah proses pemendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan pepejal berketulenan tinggi. Proses ini sering digunakan dalam bidang pembuatan semikonduktor untuk membentuk filem nipis pada permukaan wafer. Dalam proses penyediaan silikon karbida oleh CV...
Baca lebih lanjut
Apakah Bot Grafit Suria?
oleh admin pada 25-04-22
Dalam industri fotovoltaik solar (PV) yang pesat berkembang, ketepatan dan inovasi bahan adalah penting untuk meningkatkan kecekapan penukaran tenaga. Antara wira yang tidak didendang dalam proses ini ialah Bot Grafit Suria, komponen khusus yang direka untuk pembuatan semikonduktor suhu tinggi...
Baca lebih lanjut