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Principio de fabricación de la barquilla de grafito PECVD para células solares (recubrimiento) | VET Energy
En primer lugar, necesitamos conocer la PECVD (Deposición Química en Vapor Mejorada por Plasma). El plasma es la intensificación del movimiento térmico de las moléculas del material. La colisión entre ellas provoca la ionización de las moléculas de gas, y el material se convierte en una mezcla de...Leer más -
¿Cómo logran los vehículos de nueva energía el frenado asistido por vacío? | VET Energy
Los vehículos de nueva energía no están equipados con motores de combustible, entonces, ¿cómo logran el frenado asistido por vacío durante la frenada? Los vehículos de nueva energía logran la asistencia de frenado principalmente a través de dos métodos: El primer método es utilizar un sistema de frenado con servofreno eléctrico por vacío. Este sistema utiliza un sistema eléctrico de vacío...Leer más -
¿Por qué utilizamos cinta UV para el corte de obleas? | VET Energy
Una vez que la oblea ha pasado por el proceso anterior, se completa la preparación del chip y es necesario cortarlo para separar los chips de la oblea, y finalmente empaquetarlo. El proceso de corte de la oblea seleccionado para obleas de diferentes espesores también es diferente: ▪ Las obleas con un espesor mayor a...Leer más -
¿Qué hacer ante la deformación de la oblea?
En un determinado proceso de empaquetado, se utilizan materiales con diferentes coeficientes de expansión térmica. Durante el proceso, la oblea se coloca sobre el sustrato de empaquetado y, a continuación, se realizan pasos de calentamiento y enfriamiento para completar el empaquetado. Sin embargo, debido a la diferencia de coeficientes de expansión térmica entre...Leer más -
¿Por qué la velocidad de reacción del Si con el NaOH es más rápida que la del SiO2?
La razón por la que la velocidad de reacción del silicio y el hidróxido de sodio puede superar la del dióxido de silicio se puede analizar desde los siguientes aspectos: Diferencia en la energía del enlace químico ▪ Reacción del silicio y el hidróxido de sodio: Cuando el silicio reacciona con el hidróxido de sodio, la energía del enlace Si-Si entre el silicio y el...Leer más -
¿Por qué el silicio es tan duro pero a la vez tan frágil?
El silicio es un cristal atómico, cuyos átomos están conectados entre sí por enlaces covalentes, formando una estructura de red espacial. En esta estructura, los enlaces covalentes entre los átomos son muy direccionales y poseen una alta energía de enlace, lo que confiere al silicio una gran dureza al resistir fuerzas externas.Leer más -
¿Por qué se doblan las paredes laterales durante el grabado en seco?
No uniformidad del bombardeo iónico. El grabado en seco suele ser un proceso que combina efectos físicos y químicos, en el que el bombardeo iónico es un método de grabado físico importante. Durante el proceso de grabado, el ángulo de incidencia y la distribución de energía de los iones pueden ser desiguales. Si el bombardeo iónico...Leer más -
Introducción a tres tecnologías CVD comunes
La deposición química en fase vapor (CVD) es la tecnología más utilizada en la industria de semiconductores para depositar diversos materiales, incluyendo una amplia gama de materiales aislantes, la mayoría de los metales y aleaciones metálicas. La CVD es una tecnología tradicional de preparación de películas delgadas. Su principio...Leer más -
¿Puede el diamante sustituir a otros dispositivos semiconductores de alta potencia?
Como piedra angular de los dispositivos electrónicos modernos, los materiales semiconductores están experimentando cambios sin precedentes. Hoy en día, el diamante está demostrando gradualmente su gran potencial como material semiconductor de cuarta generación gracias a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas, así como a su estabilidad en condiciones extremas.Leer más
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