د سي سي اپیټیکسیل ودې لپاره پرمختللي سي وي ډي کوټینګونه

د لوړ ځواک سیمیکمډکټر وسیلو پروسو لپاره چې د سخت تودوخې فشار (1500 ° C - 1700 ° C) لاندې کار کوي، زموږ د CVD SiC او TaC پوښل شوي سیارې سیسیپټرونه، سپوږمکۍ ډیسکونه، او د ګاز ډیفلیکټرونه د غوره والي لپاره جوړ شوي دي. د ذراتو تولید، د سطحې تخریب، او د تعامل ګاز ایچینګ (H₂، SiH₄، C₃H∯) مخنیوي لپاره ډیزاین شوی، زموږ پرمختللي کوټینګونه اوږد عملیاتي ژوند، غوره ډوپینټ کنټرول، او د لوړ فلم ضخامت یووالي تضمینوي.۶ انچه او ۸ انچه SiC اپیتیکسیل ویفرونه.