Noticias

Principio da bóia de grafito PECVD para célula solar (revestimento) | VET Energy
por administrador o 24-12-23
En primeiro lugar, precisamos coñecer a PECVD (Deposición Química de Vapor Mellorada por Plasma). O plasma é a intensificación do movemento térmico das moléculas dun material. A colisión entre elas fará que as moléculas de gas se ionicen e o material se converta nunha mestura de...
Ler máis
Como conseguen os vehículos de novas enerxías a freada asistida por baleiro? | VET Energy
por administrador o 24-12-18
Os vehículos de nova enerxía non están equipados con motores de combustible, entón como conseguen a freada asistida por baleiro durante a freada? Os vehículos de nova enerxía conseguen principalmente a asistencia á freada a través de dous métodos: o primeiro método é usar un sistema de freada de reforzo de baleiro eléctrico. Este sistema usa un baleiro eléctrico...
Ler máis
Por que empregamos cinta UV para o corte de obleas? | VET Energy
por administrador o 24-12-16
Despois de que a oblea pase polo proceso anterior, complétase a preparación do chip e cómpre cortala para separar os chips da oblea e, finalmente, empaquetala. O proceso de corte de obleas seleccionado para obleas de diferentes grosores tamén é diferente: ▪ Obleas cun grosor de máis de ...
Ler máis
Deformación da oblea, que facer?
por administrador o 24-12-16
Nun determinado proceso de empaquetado, utilízanse materiais de empaquetado con diferentes coeficientes de expansión térmica. Durante o proceso de empaquetado, a oblea colócase sobre o substrato de empaquetado e, a continuación, realízanse pasos de quecemento e arrefriamento para completar o empaquetado. Non obstante, debido á discrepancia entre...
Ler máis
Por que a velocidade de reacción do Si e do NaOH é máis rápida que a do SiO2?
por administrador o 24-12-10
Por que a velocidade de reacción do silicio e o hidróxido de sodio pode superar a do dióxido de silicio pódese analizar a partir dos seguintes aspectos: Diferenza na enerxía de enlace químico ▪ Reacción do silicio e o hidróxido de sodio: Cando o silicio reacciona co hidróxido de sodio, a enerxía de enlace Si-Si entre os átomos de silicio...
Ler máis
Por que o silicio é tan duro pero tan fráxil?
por administrador o 24-12-10
O silicio é un cristal atómico, cuxos átomos están conectados entre si por enlaces covalentes, formando unha estrutura de rede espacial. Nesta estrutura, os enlaces covalentes entre os átomos son moi direccionais e teñen unha alta enerxía de enlace, o que fai que o silicio mostre unha alta dureza ao resistir forzas externas...
Ler máis
Por que se dobran as paredes laterais durante o gravado en seco?
por administrador o 24-12-03
Non uniformidade do bombardeo iónico O gravado en seco adoita ser un proceso que combina efectos físicos e químicos, no que o bombardeo iónico é un método de gravado físico importante. Durante o proceso de gravado, o ángulo de incidencia e a distribución de enerxía dos ións poden ser desiguais. Se o ión inc...
Ler máis
Introdución a tres tecnoloxías comúns de CVD
por administrador o 24-12-03
A deposición química de vapor (CVD) é a tecnoloxía máis empregada na industria dos semicondutores para depositar unha variedade de materiais, incluíndo unha ampla gama de materiais illantes, a maioría dos materiais metálicos e materiais de aliaxe metálica. A CVD é unha tecnoloxía tradicional de preparación de películas finas. Os seus principios...
Ler máis
Pode o diamante substituír outros dispositivos semicondutores de alta potencia?
por admin o 24-11-25
Como pedra angular dos dispositivos electrónicos modernos, os materiais semicondutores están a experimentar cambios sen precedentes. Hoxe en día, o diamante está a mostrar gradualmente o seu gran potencial como material semicondutor de cuarta xeración coas súas excelentes propiedades eléctricas e térmicas e a súa estabilidade baixo condicións extremas...
Ler máis