පුවත්

සිදුරු සහිත සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් සකස් කිරීමේ ක්‍රමය කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 25-07-22 දින
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) පිඟන් මැටි ඒවායේ ඉහළ දෘඪතාව, ඉහළ ශක්තිය, තාප ප්‍රසාරණයේ කුඩා සංගුණකය, ඉහළ තාප සන්නායකතාවය, හොඳ රසායනික ස්ථායිතාව, විශිෂ්ට තාප කම්පන ප්‍රතිරෝධය සහ ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය හේතුවෙන් විවිධ දියුණු නිෂ්පාදන ක්ෂේත්‍රවල දිගු කලක් තිස්සේ බහුලව භාවිතා වී ඇත....
තවත් කියවන්න
සෙරමික් උපස්ථර මතුපිට ලෝහකරණ පර්යේෂණයේ වත්මන් තත්ත්වය සහ ප්‍රවණතාවය
පරිපාලක විසින් 25-07-16 දින
සෙරමික් උපස්ථරය සින්ටර් කර සෑදූ පසු, එහි මතුපිට ලෝහකරණය කළ යුතු අතර, පසුව සෙරමික් උපස්ථරයේ විද්‍යුත් සම්බන්ධතා කාර්ය සාධනය ලබා ගැනීම සඳහා රූප හුවමාරුව හරහා මතුපිට රටාව සාදනු ලැබේ. මතුපිට ලෝහකරණය සෙරමික් උප නිෂ්පාදනයේ තීරණාත්මක පියවරකි...
තවත් කියවන්න
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ස්ඵටික වර්ධනයට සම්බන්ධ තාක්ෂණය කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 25-07-10 දින
1.සිලිකන් කාබයිඩ් කුඩු මාත්‍රණ තාක්ෂණය සිලිකන් කාබයිඩ් කුඩු වල Ce මූලද්‍රව්‍ය සුදුසු ප්‍රමාණයක් මාත්‍රණය කිරීමෙන් 4H-SiC හි තනි ස්ඵටික ආකාරයෙන් ස්ථායී වර්ධනයේ බලපෑම ලබා ගත හැකිය. කුඩු ද්‍රව්‍යවල Ce මූලද්‍රව්‍ය මාත්‍රණය කිරීමෙන් වර්ධන වේගය වැඩි කළ හැකි බව ප්‍රායෝගික අත්දැකීම් පෙන්වා දී ඇත ...
තවත් කියවන්න
PVT ක්‍රමයේ මූලධර්මය සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ස්ඵටික වර්ධනය
පරිපාලක විසින් 25-07-03 දින
PVT ක්‍රමය, එහි සම්පූර්ණ නම භෞතික වාෂ්ප ප්‍රවාහනය, ඉහළ උෂ්ණත්වය සහ අධි පීඩනය යටතේ සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ස්ඵටික වගා කිරීම සඳහා පොදු ක්‍රමයකි. එහි මූලික මූලධර්මය වන්නේ සිලිකන් කාබයිඩ් කුඩු 2300℃ ට වැඩි උෂ්ණත්වයකදී සහ අඩු පීඩන පරිසරයක උපසිරැසිකරණයට රත් කිරීමයි...
තවත් කියවන්න
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) ස්ඵටික වර්ධන උදුනක් යනු කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 24-06-25 දින
SiC හි විශාල කලාප පරතරය, ඉහළ තාප සන්නායකතාවය, ඉහළ තීරණාත්මක බිඳවැටීමේ ක්ෂේත්‍ර ශක්තිය සහ ඉහළ ඉලෙක්ට්‍රෝන සන්තෘප්ත ප්ලාවිත අනුපාතය යන ලක්ෂණ ඇත. එයට ඉහළ උෂ්ණත්වය, ඉහළ පීඩනය, ඉහළ සංඛ්‍යාතය සහ ඉහළ බල තත්වයන් යටතේ යෙදුම් අවශ්‍යතා සපුරාලිය හැකිය. එය බහුලව භාවිතා කළ හැකිය...
තවත් කියවන්න
CVD SiC ආලේපනය යනු කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 25-06-09 දින
CVD SiC ආලේපනය අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන්ගේ සීමාවන් විශ්මයජනක වේගයකින් නැවත සකස් කරමින් සිටී. මෙම සරල ආලේපන තාක්ෂණය චිප් නිෂ්පාදනයේ අංශු දූෂණය, අධි උෂ්ණත්ව විඛාදනය සහ ප්ලාස්මා ඛාදනය යන මූලික අභියෝග තුනට ප්‍රධාන විසඳුමක් බවට පත්ව ඇත. ...
තවත් කියවන්න
ක්වාර්ට්ස් බෝට්ටුවේ ක්‍රියාකාරිත්වය සහ භාවිතය
පරිපාලක විසින් 25-06-04 දින
ක්වාර්ට්ස් බෝට්ටුව, අධි-පිරිසිදු ක්වාර්ට්ස් ද්‍රව්‍ය වලින් සාදන ලද නිරවද්‍ය උපකරණ සංරචකයක් ලෙස, අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය, දෘෂ්ටි ඉලෙක්ට්‍රොනික කර්මාන්තය, රසායනික විශ්ලේෂණය සහ ඉහළ උෂ්ණත්ව අත්හදා බැලීම් වැනි බොහෝ ක්ෂේත්‍රවල වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි. එහි අද්විතීය භෞතික හා රසායනික ගුණාංග එයට පුළුල් ...
තවත් කියවන්න
CVD SiC ආලේපනයේ වර්ධනයට විවිධ උෂ්ණත්වවල බලපෑම
පරිපාලක විසින් 25-05-26 දින
CVD SiC ආලේපනය යනු කුමක්ද? රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (CVD) යනු ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ඝන ද්‍රව්‍ය නිපදවීමට භාවිතා කරන රික්තක තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියකි. මෙම ක්‍රියාවලිය බොහෝ විට අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්ෂේත්‍රයේ වේෆර් මතුපිට තුනී පටල සෑදීමට භාවිතා කරයි. CV මගින් සිලිකන් කාබයිඩ් සකස් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේදී...
තවත් කියවන්න
සූර්ය මිනිරන් බෝට්ටුවක් යනු කුමක්ද?
පරිපාලක විසින් 25-04-22 දින
වේගයෙන් විකාශනය වන සූර්ය ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා (PV) කර්මාන්තයේ, බලශක්ති පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා නිරවද්‍යතාවය සහ ද්‍රව්‍ය නවෝත්පාදනය ඉතා වැදගත් වේ. මෙම ක්‍රියාවලියේ නොසැලෙන වීරයන් අතර ඉහළ උෂ්ණත්ව අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය සඳහා නිර්මාණය කර ඇති විශේෂිත සංරචකයක් වන සූර්ය ග්‍රැෆයිට් බෝට්ටුව ද වේ...
තවත් කියවන්න