Nûçe

Prensîba qeyika grafîtê ya PECVD ji bo hucreya rojê (pêçandin) | VET Energy
ji hêla admin ve di 24-12-23 de
Pêşî, divê em PECVD (Depozîsyona Buxara Kîmyayî ya Bi Plazmayê Zêdekirî) bizanibin. Plazma zêdebûna tevgera germî ya molekulên materyalê ye. Pevçûna di navbera wan de dê bibe sedema îyonîzekirina molekulên gazê, û materyal dê bibe tevlîheviyek ji fr...
Zêdetir bixwîne
Wesayîtên nû yên bi enerjiya nû çawa frena bi alîkariya valahiyê bi dest dixin? | VET Energy
ji hêla admin ve di 24-12-18 de
Wesayîtên enerjiya nû bi motorên sotemeniyê nehatine sazkirin, ji ber vê yekê ew çawa di dema frenkirinê de frena bi alîkariya valahiyê bi dest dixin? Wesayîtên enerjiya nû bi giranî bi du rêbazan alîkariya frenê bi dest dixin: Rêbaza yekem ew e ku pergala frena zêdekera valahiyê ya elektrîkî were bikar anîn. Ev pergal pergala frena valahiyê ya elektrîkî bikar tîne...
Zêdetir bixwîne
Çima em ji bo perçekirina waferê kaseta UV bikar tînin? | VET Energy
ji hêla admin ve di 24-12-16 de
Piştî ku wafer ji pêvajoya berê derbas bû, amadekirina çîpê temam dibe, û pêdivî ye ku ew were birîn da ku çîpên li ser waferê ji hev werin veqetandin, û di dawiyê de were pakêt kirin. Pêvajoya birrîna waferê ya ku ji bo waferên bi qalindahiyên cûda hatî hilbijartin jî cûda ye: ▪ Waferên bi qalindahiya ji ... zêdetir
Zêdetir bixwîne
Wafer warpage, çi bikim?
ji hêla admin ve di 24-12-16 de
Di pêvajoyeke pakkirinê ya diyarkirî de, materyalên pakkirinê yên bi katsayiyên berfirehbûna germî yên cuda têne bikar anîn. Di dema pêvajoya pakkirinê de, wafer li ser bingeha pakkirinê tê danîn, û dûv re gavên germkirin û sarkirinê têne kirin da ku pakkirin temam bibe. Lêbelê, ji ber nelihevhatina di navbera...
Zêdetir bixwîne
Çima rêjeya reaksiyonê ya Si û NaOH ji ya SiO2 zûtir e?
ji hêla admin ve di 24-12-10 de
Çima rêjeya reaksiyona silîkon û hîdroksîda sodyûmê dikare ji ya dîoksîda silîkonê derbas bibe, dikare ji aliyên jêrîn were analîzkirin: Cûdahiya di enerjiya girêdana kîmyewî de ▪ Reaksiyona silîkon û hîdroksîda sodyûmê: Dema ku silîkon bi hîdroksîda sodyûmê re reaksiyon dike, enerjiya girêdana Si-Si di navbera atomên silîkonê de...
Zêdetir bixwîne
Çima silîkon ewqas hişk e lê ewqas jî nazik e?
ji hêla admin ve di 24-12-10 de
Silîkon krîstaleke atomî ye, ku atomên wê bi girêdanên kovalent bi hev ve girêdayî ne û avahiyeke toreke fezayî çêdikin. Di vê avahiyê de, girêdanên kovalent ên di navbera atoman de pir arasteyî ne û enerjiya girêdanê ya bilind heye, ku ev yek dihêle ku silîkon dema ku li hember hêzên derveyî li ber xwe dide hişkbûnek bilind nîşan bide...
Zêdetir bixwîne
Çima dîwarên kêlekê di dema gravkirina hişk de ditewin?
ji hêla admin ve di 24-12-03 de
Neyekrengiya bombebarana iyonan Gravkirina hişk bi gelemperî pêvajoyek e ku bandorên fîzîkî û kîmyewî li hev dicivîne, ku tê de bombebarana iyonan rêbazek gravkirina fîzîkî ya girîng e. Di dema pêvajoya gravkirinê de, goşeya ketinê û belavkirina enerjiyê ya iyonan dibe ku neyeksan be. Ger iyon bikeve...
Zêdetir bixwîne
Danasîna sê teknolojiyên hevpar ên CVD
ji hêla admin ve di 24-12-03 de
Depozkirina buxara kîmyewî (CVD) di pîşesaziya nîvconductor de teknolojiya herî berbelav e ji bo depozkirina cûrbecûr materyalan, di nav de cûrbecûr materyalên îzolekirinê, piraniya materyalên metal û materyalên alloyên metal. CVD teknolojiyek kevneşopî ya amadekirina fîlima zirav e. Prensîba wê...
Zêdetir bixwîne
Gelo elmas dikare şûna cîhazên din ên nîvconductor ên bi hêza bilind bigire?
ji hêla admin ve di 24-11-25 de
Wek kevirê bingehîn ê cîhazên elektronîkî yên nûjen, materyalên nîvconductor di guhertinên bêhempa re derbas dibin. Îro, elmas hêdî hêdî potansiyela xwe ya mezin wekî materyalek nîvconductor a nifşê çaremîn bi taybetmendiyên xwe yên elektrîkî û germî yên hêja û aramiya xwe di bin şert û mercên dijwar de nîşan dide...
Zêdetir bixwîne