သတင်းများ

ဆိုလာဆဲလ်အတွက် PECVD ဂရပ်ဖိုက်လှေ၏ အခြေခံမူ (အပေါ်ယံလွှာ) | VET Energy
၂၄-၁၂-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
ပထမဦးစွာ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ကို သိရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ Plasma ဆိုသည်မှာ ပစ္စည်းမော်လီကျူးများ၏ အပူရွေ့လျားမှု ပိုမိုပြင်းထန်လာခြင်း ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အကြား တိုက်မိခြင်းကြောင့် ဓာတ်ငွေ့မော်လီကျူးများသည် အိုင်းယွန်းများ ဖြစ်ပေါ်လာပြီး ပစ္စည်းသည် fr ရောနှောမှုတစ်ခု ဖြစ်လာလိမ့်မည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များသည် လေဟာနယ်အကူအညီဖြင့် ဘရိတ်အုပ်ခြင်းကို မည်သို့လုပ်ဆောင်ကြသနည်း။ | VET Energy
admin မှ ၂၄-၁၂-၁၈ ရက်တွင် ရေးသားသည်
စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များတွင် လောင်စာဆီအင်ဂျင်များ တပ်ဆင်ထားခြင်းမရှိသောကြောင့် ဘရိတ်အုပ်နေစဉ်အတွင်း ဖုန်စုပ်စက်ဖြင့် ဘရိတ်အုပ်ခြင်းကို မည်သို့ပြုလုပ်ကြသနည်း။ စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များသည် အဓိကအားဖြင့် နည်းလမ်းနှစ်ခုဖြင့် ဘရိတ်အုပ်ခြင်းကို ရရှိသည်- ပထမနည်းလမ်းမှာ လျှပ်စစ်ဖုန်စုပ်စက် မြှင့်တင်ဘရိတ်အုပ်သည့်စနစ်ကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ ဤစနစ်သည် လျှပ်စစ်ဖုန်စုပ်စက်ကို အသုံးပြုသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဝေဖာအတုံးလေးတွေ လှီးဖြတ်ဖို့အတွက် UV တိပ်ကို ဘာကြောင့်သုံးတာလဲ။ | VET Energy
admin မှ ၂၄-၁၂-၁၆ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဝေဖာသည် ယခင်လုပ်ငန်းစဉ်ကို ဖြတ်သန်းပြီးနောက်၊ ချစ်ပ်ပြင်ဆင်မှုပြီးစီးပြီး ဝေဖာပေါ်ရှိ ချစ်ပ်များကို ခွဲထုတ်ရန် ဖြတ်တောက်ရန် လိုအပ်ပြီး နောက်ဆုံးတွင် ထုပ်ပိုးရန် လိုအပ်ပါသည်။ မတူညီသော အထူရှိသော ဝေဖာများအတွက် ရွေးချယ်ထားသော ဝေဖာဖြတ်တောက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည်လည်း မတူညီပါ- ▪ ပိုမိုထူသော ဝေဖာများ ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဝေဖာ ကောက်ကွေးခြင်း၊ ဘာလုပ်ရမလဲ။
admin မှ ၂၄-၁၂-၁၆ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုတွင်၊ မတူညီသော အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းများပါရှိသော ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည်။ ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ဝေဖာကို ထုပ်ပိုးမှုအောက်ခံပေါ်တွင် ထားပြီးနောက် ထုပ်ပိုးမှုကို အပြီးသတ်ရန် အပူပေးခြင်းနှင့် အအေးပေးခြင်းအဆင့်များကို လုပ်ဆောင်သည်။ သို့သော်၊ အကြား မကိုက်ညီမှုကြောင့်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Si နှင့် NaOH တို့၏ ဓာတ်ပြုမှုနှုန်းသည် SiO2 ထက် အဘယ်ကြောင့် ပိုမိုမြန်ဆန်သနည်း။
admin မှ ၂၄-၁၂-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဆီလီကွန်နှင့် ဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်၏ ဓာတ်ပြုမှုနှုန်းသည် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ထက် အဘယ်ကြောင့် သာလွန်နိုင်သည်ကို အောက်ပါရှုထောင့်များမှ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာနိုင်ပါသည်- ဓာတုနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်ကွာခြားချက် ▪ ဆီလီကွန်နှင့် ဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်၏ ဓာတ်ပြုမှု- ဆီလီကွန်သည် ဆိုဒီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်နှင့် ဓာတ်ပြုသောအခါ ဆီလီကွန်နှင့် အက်တမ်အကြား Si-Si နှောင်ကြိုးစွမ်းအင်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်က ဘာလို့ ဒီလောက်မာကျောပေမယ့် ကြွပ်ဆတ်ရတာလဲ။
admin မှ ၂၄-၁၂-၁၀ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဆီလီကွန်သည် အက်တမ်ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်း၏အက်တမ်များသည် အချင်းချင်း covalent bonds များဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး spatial network structure ကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံတွင် အက်တမ်များအကြား covalent bonds များသည် ဦးတည်ချက်အလွန်ကောင်းမွန်ပြီး bond energy မြင့်မားသောကြောင့် ပြင်ပအားများကို ခုခံသောအခါ ဆီလီကွန်သည် မာကျောမှုမြင့်မားသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ခြောက်သွေ့စွာ ထွင်းထုခြင်းတွင် ဘေးနံရံများ အဘယ်ကြောင့် ကွေးညွှတ်ရသနည်း။
admin မှ ၂၄-၁၂-၀၃ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
အိုင်းယွန်းဗုံးကြဲခြင်း၏ တသမတ်တည်းမရှိခြင်း ခြောက်သွေ့သော etching သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အကျိုးသက်ရောက်မှုများ ပေါင်းစပ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အိုင်းယွန်းဗုံးကြဲခြင်းသည် အရေးကြီးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ etching နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ etching လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အိုင်းယွန်းများ၏ အဖြစ်အပျက်ထောင့်နှင့် စွမ်းအင်ဖြန့်ဖြူးမှုသည် မညီမညာဖြစ်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်း ပေါက်ကွဲပါက...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
အသုံးများသော CVD နည်းပညာသုံးခုအကြောင်း မိတ်ဆက်ခြင်း
admin မှ ၂၄-၁၂-၀၃ ရက်တွင် ရေးသားခဲ့သည်။
ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် လျှပ်ကာပစ္စည်းများ၊ သတ္တုပစ္စည်းများအများစုနှင့် သတ္တုအလွိုင်းပစ္စည်းများအပါအဝင် ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကို စုပုံရန်အတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် အသုံးအများဆုံးနည်းပညာဖြစ်သည်။ CVD သည် ရိုးရာအလွှာပါးပြင်ဆင်မှုနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မူလ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
စိန်က တခြား ပါဝါမြင့် semiconductor devices တွေကို အစားထိုးနိုင်ပါသလား။
၂၄-၁၁-၂၅ ရက်တွင် admin မှ
ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများ၏ အုတ်မြစ်အနေဖြင့်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် မကြုံစဖူးပြောင်းလဲမှုများ ဖြစ်ပေါ်နေပါသည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် စိန်သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်နှင့် အပူဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အလွန်အမင်း အေးခဲမှုအောက်တွင် တည်ငြိမ်မှုတို့ဖြင့် စတုတ္ထမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ၎င်း၏ ကြီးမားသော အလားအလာကို တဖြည်းဖြည်း ပြသလာနေပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ