Fa'aletonu tafatolu
O fa'aletonu tafatolu o fa'aletonu fa'aletino sili ona mata'utia i vaega epitaxial SiC. O le tele o lipoti tusitusia ua fa'aalia ai o le fausiaina o fa'aletonu tafatolu e feso'ota'i ma le foliga o le tioata 3C. Peita'i, ona o auala eseese o le tuputupu a'e, o le fa'aleleiga o le tele o fa'aletonu tafatolu i luga o le fogāeleele o le vaega epitaxial e matua'i eseese lava. E mafai ona vaevaeina i ni ituaiga nei:
(1) O loʻo i ai ni faʻaletonu tafatolu ma ni vaega tetele i le pito i luga
O lenei ituaiga o fa'aletonu tafatolu e iai se fasi lapo'a e foliga fa'atafafā i le pito i luga, lea e ono mafua mai i mea e pa'ū i le taimi o le fa'agasologa o le tuputupu a'e. E mafai ona va'aia i lalo mai lenei tumutumu se vaega la'ititi e tafatolu ma se foliga ma'a'a. E mafua ona o le mea moni i le taimi o le fa'agasologa o le epitaxial, e lua vaega eseese o le 3C-SiC e fa'asolosolo ona fausia i le vaega tafatolu, lea e fa'apipi'i ai le vaega muamua i le va ma tuputupu a'e e ala i le tafega o le la'asaga 4H-SiC. A'o fa'ateleina le mafiafia o le vaega epitaxial, e fa'apipi'i le vaega lona lua o le 3C polytype ma tuputupu a'e i ni lua tafatolu laiti, ae o le la'asaga tuputupu a'e 4H e le ufiufi atoa ai le vaega 3C polytype, ma o lo'o manino pea le va'aia o le vaega o le V-shaped growth o le 3C-SiC.
(2) O loʻo i ai ni tamaʻi vaega i le pito i luga ma ni faʻaletonu tafatolu ma se foliga maʻaʻa.
E laiti tele vaega i pito o lenei ituaiga o le fa'aletonu tafatolu, e pei ona fa'aalia i le Ata 4.2. Ma o le tele o le vaega tafatolu e ufiufiina e le tafega o le 4H-SiC, o lona uiga, o le vaega atoa o le 3C-SiC ua fa'apipi'iina atoa i lalo o le vaega 4H-SiC. E na'o la'asaga tuputupu a'e o le 4H-SiC e mafai ona va'aia i luga o le fogāeleele o le fa'aletonu tafatolu, ae o nei la'asaga e sili atu le lapo'a nai lo la'asaga tuputupu a'e masani o le 4H crystal.
(3) Fa'aletonu tafatolu ma se foliga lamolemole
O lenei ituaiga o faaletonu tafatolu e iai lona foliga lamolemole o le laualuga, e pei ona faaalia i le Ata 4.3. Mo ia faaletonu tafatolu, o le vaega 3C-SiC e ufiufiina e le tafe faasolosolo o le 4H-SiC, ma o le foliga o le tioata 4H i luga o le laualuga e faasolo ina manifinifi ma lamolemole.
Fa'aletonu o le lua epitaxial
O lua epitaxial (Pits) o se tasi lea o fa'aletonu masani o foliga o luga, ma o latou foliga masani o luga ma le fausaga o lo'o fa'aalia i le Ata 4.4. O le nofoaga o lua ele o le threading dislocation (TD) na matauina ina ua uma ona vaneina le KOH i tua o le masini e tutusa lelei ma le nofoaga o lua epitaxial a'o le'i saunia le masini, e fa'ailoa mai ai o le fa'avaeina o fa'aletonu o le lua epitaxial e feso'ota'i ma le threading dislocations.
faaletonu o karoti
O fa'aletonu o kāloti o se fa'aletonu masani i luga o vaega epitaxial 4H-SiC, ma o latou foliga masani o lo'o fa'aalia i le Ata 4.5. O le fa'aletonu o kāloti ua lipotia mai na faia e ala i le feiloa'iga o fa'aletonu o le fa'aputuga Franconian ma prismatic o lo'o i luga o le basal plane e feso'ota'i e ala i le fa'asolosolo fa'asolosolo. Ua lipotia mai fo'i o le fa'avaeina o fa'aletonu o kāloti e feso'ota'i ma le TSD i le substrate. Na maua e Tsuchida H. et al. o le mafiafia o fa'aletonu o kāloti i le vaega epitaxial e tutusa ma le mafiafia o le TSD i le substrate. Ma e ala i le fa'atusatusaina o ata o foliga o luga a'o le'i amataina ma ina ua mae'a le tuputupu a'e o le epitaxial, o fa'aletonu uma o kāloti na matauina e mafai ona maua e fetaui ma le TSD i le substrate. Na fa'aogaina e Wu H. et al. le fa'ata'ita'iga o le su'ega fa'asalalau Raman e iloa ai o fa'aletonu o kāloti e le'i i ai le foliga o le tioata 3C, ae na'o le 4H-SiC polytype.
A'afiaga o fa'aletonu tafatolu i uiga o masini MOSFET
O le Ata 4.7 o se histogram o le tufatufaina fa'amaumauga o uiga e lima o se masini o lo'o i ai ni fa'aletonu fa'atafatolu. O le laina lanumoana togitogi o le laina vaeluaina lea mo le fa'aleagaina o uiga o le masini, ma le laina mumu togitogi o le laina vaeluaina lea mo le fa'aletonu o le masini. Mo le fa'aletonu o le masini, o fa'aletonu fa'atafatolu e i ai se aafiaga tele, ma o le fua faatatau o le fa'aletonu e sili atu i le 93%. O lenei mea e mafua tele lava i le aafiaga o fa'aletonu fa'atafatolu i uiga o le tafe fa'afeagai o masini. E o'o atu i le 93% o masini o lo'o i ai fa'aletonu fa'atafatolu ua matua'i fa'ateleina ai le tafe fa'afeagai. E le gata i lea, o fa'aletonu fa'atafatolu e i ai fo'i se aafiaga tele i uiga o le tafe o le faitoto'a, fa'atasi ai ma le fua faatatau o le fa'aleagaina o le 60%. E pei ona fa'aalia i le Laulau 4.2, mo le fa'aleagaina o le voltage o le tulaga maualuga ma le fa'aleagaina o uiga o le diode o le tino, o le a'afiaga o fa'aletonu fa'atafatolu e la'ititi, ma o le fua faatatau o le fa'aleagaina e 26% ma le 33%. I le tulaga o le mafua'aga o le fa'ateleina o le tete'e, o le a'afiaga o fa'aletonu fa'atafatolu e vaivai, ma o le fua faatatau o le fa'aleagaina e tusa ma le 33%.
A'afiaga o fa'aletonu o le epitaxial pit i uiga o masini MOSFET
O le Ata 4.8 o se histogram o le tufatufaina fa'amaumauga o uiga e lima o se masini o lo'o i ai ni fa'aletonu o le lua epitaxial. O le laina togitogi lanumoana o le laina vaeluaina lea mo le fa'aleagaina o uiga o le masini, ma le laina togitogi mumu o le laina vaeluaina lea mo le fa'aletonu o le masini. E mafai ona iloa mai lenei mea o le aofa'i o masini o lo'o i ai ni fa'aletonu o le lua epitaxial i le fa'ata'ita'iga SiC MOSFET e tutusa ma le aofa'i o masini o lo'o i ai ni fa'aletonu tafatolu. O le a'afiaga o fa'aletonu o le lua epitaxial i uiga o le masini e ese mai fa'aletonu tafatolu. I tulaga o le fa'aletonu o le masini, o le fua faatatau o le fa'aletonu o masini o lo'o i ai ni fa'aletonu o le lua epitaxial e na'o le 47%. Pe a fa'atusatusa i fa'aletonu tafatolu, o le a'afiaga o fa'aletonu o le lua epitaxial i uiga o le tafega fa'afeagai ma uiga o le tafega o le faitoto'a o le masini e matua fa'avaivaia lava, fa'atasi ai ma le fua fa'atatau o le fa'aleagaina o le 53% ma le 38% i le fa'asologa, e pei ona fa'aalia i le Laulau 4.3. I le isi itu, o le a'afiaga o fa'aletonu o le lua epitaxial i uiga o le voltage threshold, uiga o le fa'atautaia o le diode o le tino ma le tete'e e sili atu nai lo fa'aletonu tafatolu, fa'atasi ai ma le fua fa'atatau o le fa'aleagaina e o'o atu i le 38%.
I se tulaga lautele, e lua fa'aletonu fa'aletino, e pei o tafatolu ma lua epitaxial, e iai sona aafiaga tele i le fa'aletonu ma le fa'aleagaina o uiga o masini SiC MOSFET. O le iai o fa'aletonu tafatolu e sili ona mata'utia, fa'atasi ai ma le fua faatatau o le fa'aletonu e o'o atu i le 93%, e masani ona fa'aalia o se fa'ateleina tele o le tafe fa'afeagai o le masini. O masini o lo'o iai fa'aletonu epitaxial pit e maualalo le fua faatatau o le fa'aletonu e 47%. Peita'i, o fa'aletonu epitaxial pit e iai sona aafiaga tele i le voltage threshold o le masini, uiga o le diode conduction o le tino ma le on-resistance nai lo fa'aletonu tafatolu.
Taimi na lafoina ai: Ape-16-2024